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耐压100V-200V,10A压降低于0.3V,不知有没有这样的管子
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向辉军
LV.6
2
2005-01-17 13:49
有啊,URE3020
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sxl1370
LV.4
3
2005-01-17 13:54
@向辉军
有啊,URE3020
哪里有货,我找不到啊
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sxl1370
LV.4
4
2005-01-17 14:03
@sxl1370
哪里有货,我找不到啊
我连资料都查不到,是不是太笨了
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sxl1370
LV.4
5
2005-01-17 15:03
@sxl1370
我连资料都查不到,是不是太笨了
根本没有这种管子
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向辉军
LV.6
6
2005-01-18 12:40
@sxl1370
根本没有这种管子
有的,247封装的,200V30A
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abt-bj
LV.9
7
2005-01-18 13:01
稍微知道一些半导体器件的人都知道,采用硅材料的半导体器件的正向压降为0.7V,肖特基二极管的压降可以低到0.4V.如果正向压降低于0.4v,就只能够选用锗管,而锗管几乎没有这么高耐压和这么大电流的器件.您应该修正您的技术要求.
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LV.6
8
2005-01-18 13:18
@abt-bj
稍微知道一些半导体器件的人都知道,采用硅材料的半导体器件的正向压降为0.7V,肖特基二极管的压降可以低到0.4V.如果正向压降低于0.4v,就只能够选用锗管,而锗管几乎没有这么高耐压和这么大电流的器件.您应该修正您的技术要求.
等碳化硅(好象不是它,是什么来的有点忘了.反正是一种什么新型材料,哪位知知道的补充一下)材料从实验室走出来,那么电源又会是一场革命性的飞跃,那么楼主的愿望就能实现了.曾经看到过这方面的文章,可惜不知到哪还能找得着.不然我一定会贴出来让大家了解一下.
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359847513
LV.1
9
2005-01-18 14:22
我提一个建议
可以用场效应管
开关整流,这方面的资料你看一下
我认为能满足你的要求的只有这啦
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hy.power
LV.5
10
2005-01-18 19:57
好象以前的2AN1可以满足这个条件,
它好象是锗材料制造的.
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sxl1370
LV.4
11
2005-01-21 12:33
@hy.power
好象以前的2AN1可以满足这个条件,它好象是锗材料制造的.
谢谢各位,我现在选用IRF3710的MOS管了.
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