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请教各大高手关于高频高压整流的问题

各位大哥哥大姐姐救命啊!

小的在玩高压电源的时候在后级整流的时候出大问题了:高频高压硅堆发热严重.我用的是全桥电路,前级以及变压器问题基本上是解决了,开关频率100K,输出2400V,电流200mA,不知道为什么后级整流堆就是受不了,既使用很多快恢串起来也不行.各位大哥哥大姐姐救命啊!能不能给点见意啊.
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xpt-2
LV.5
2
2007-11-11 03:56
降低开关频率,采用进口硅堆.
如不想降低频率则把次级改成四个独立绕组,整流后再串联.
最好别采用全桥整流,改用全波整流.
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ak53
LV.5
3
2007-11-14 14:45
检查一下你的负载.
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烧刀子
LV.1
4
2007-11-24 18:16
我看硅堆发热的原因是器件的反向恢复时间长,在高频工作时损耗大.有两个办法可以解决:1 降低工作频率. 2 换反向恢复时间短的硅元件.(在高频电路中应用的二极管,反向恢复时间trr 是一个重要的参数,可以挑选trr 小的多只二极管串联应用.)
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abcqbc
LV.1
5
2007-11-25 21:13
XPT-2说的有理,我照你的方法实验了一下,降低开关频率效果很好,管子凉了很多;在不降频率的情况下,改用进口硅堆SDA5000F,效果也很好,不过就是成本太高了,一个管子要千来元.
后来改用了4个独立的绕组,效果相当的好,而且管子也可以用上1200V的快恢,成本相当的低.呵呵
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abcqbc
LV.1
6
2007-11-25 21:21
@烧刀子
我看硅堆发热的原因是器件的反向恢复时间长,在高频工作时损耗大.有两个办法可以解决:1降低工作频率.2换反向恢复时间短的硅元件.(在高频电路中应用的二极管,反向恢复时间trr是一个重要的参数,可以挑选trr小的多只二极管串联应用.)
由于现在的材料和工艺,反向恢复时间和耐压是有一定的反比关系的,所以耐高压的二极管反向恢复时间一般都比较长,如果用多个二极管级连,反向恢复时间也会受影响,其组合的二极管堆的反向恢复时间也不会是每个独立二极管的反向恢复时间,最好的解决问题的方法应该像XPT-2所说的那样降压整流后再电压串联.
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abcqbc
LV.1
7
2007-11-25 21:27
这次分压整流串联实验中,我做了两组实验,一组是2400V分成了4组600V,每个二极管的温升都很小;一组是2400V分成2组600V和一组1200V,1200V组的二极管堆就是烫得很(用的是2个二极管串联后组成的桥堆);

所以通过这次教训,本人认为不要轻易地去串联二极管
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schaoge
LV.3
8
2008-09-25 10:46
@abcqbc
这次分压整流串联实验中,我做了两组实验,一组是2400V分成了4组600V,每个二极管的温升都很小;一组是2400V分成2组600V和一组1200V,1200V组的二极管堆就是烫得很(用的是2个二极管串联后组成的桥堆);所以通过这次教训,本人认为不要轻易地去串联二极管
请位abcqbc:
需要在每个二极管上并RC吗?
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