关于IGBT驱动的问题?

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什么产品啊,我们可以交流一下,我做 IGBT 做的比较多.

50A1200V就是整个模块的容量了,驱动只和IGBT的容量有关系,不同的IGBT需要的驱动电流不一样.判断IGBT是否烧了有简单粗略的方法,但不是很准,最好上专门的测试设备,不同厂家的IGBT有推荐的测试设备.

如果自带驱动电路,就是ipm模块.如果不带驱动,就只是igbt模块.可以用带驱动能力的高速光藕驱动,成本高一些.可以用判断mos管的方发简单判断igbt的好坏.50a应该指的是每个igbt的电流.

能说明MOS管判定好坏的方法吗
我用万用表测试
是打到电阻,还是电压挡.
我现在是采用多IGBT测试,看幅度来判定.
你是怎么判定的》?

一定要用电阻10k档才能测出好坏,具体测法很书上都有介绍,请参阅.

最好用指针表.打在10k档.红表笔接s极,黑表笔接g极,给栅源充电,红表笔接d极,黑表笔接s极,测mos能否导通(阻值为0);反之,红表笔接g极,黑表笔接s极,给栅源放电,红表笔接d极,黑表笔接s极,测mos能否关断(阻值为无穷大).igbt的导通阻值〉0.

不是很明白呀.你是说先这么做(红表笔接s极,黑表笔接g极,给栅源充电)然后再这么做吗,红表笔接d极,黑表笔接s极,测mos能否导通(阻值为0);反之,红表笔接g极,黑表笔接s极,给栅源放电,红表笔接d极,黑表笔接s极,测mos能否关断(阻值为无穷大).igbt的导通阻值〉0.
我试了一下.好的MOS管也不行
我测试的试IGBT.能再详细说说吗

最简单的办法是双向测DS之间的电阻,如果烧短路的话,DS会很小电阻的.另外还可以测一下GS之间的电阻,如果烧坏,一般会很小.

sorry ,说反了.给栅源充放电没错.先给栅源充电,用黑笔接d集,红笔接s极,测ds是否到通;再给栅源放电,用黑笔接d集,红笔接s极,测ds是否截止;