确实N沟道和沟道的长效应管是完全反相的器件,上图按p沟道原理,放电TDCP,充电rcop都为高电位时,TDCP-fet完全导通进行放电,RDcp低电位时候截止过放保护。
充电时候,rcod低电位是,充电FET保护。