几天前接了项目,经上司推荐,采用UCC3818DW做APFC控制芯片.由于系统工作环境比较恶劣,为使工作稳定,所以深入地对这个芯片了解了一下.
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UCC3818内部框图
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UCC3854内部框图
UCC3818是UCC3854的升级产品,升级产品通常是对上一代产品的一些不足进行弥补,弥补的主要以下几点:
UCC3818的8脚前馈电压,内部做了一个IAC镜像,这样就改善了以前UC3854外部要再另外加分压电阻,简化了IC外围电路.
UCC3818的10脚引入了一个OVP和一个LVP功能,这样做的目的有利于改善了对电路的冲击,无形中相当于一个缓启动.
再就是他的电压反馈基准为7.5v,与3854A/B的点差别.
还有个就是这个芯片改善很多的输出图腾.(输出能力有很在的差别.)
整个反馈环路与UCC3854比较相比较稳定了许多,没有UCC3854这么敏感.
(如上图中的红线框起来 部分)
有了以上的改善当然是好了,但是鄙人在实验时就发现了几点的不足.
最明显的不足就是这个芯片的驱动能力,3854的栅极连续驱动电流能做到0.5A,3818仅可怜的0.2A,如果这个芯片定位在大电源.以如此小的驱动功率,只能驱动很小管子.如果要往上做大功率的PFC,这样做就必然要外加驱动,这样对驱动的要求又提高了.对系统的成本增加了不少.
工作的电压是个问题.需要外加一个辅助电源.如果按照DATASHEET中所提供的方式做,以轻载和重载的情况下,VCC将会变化很大.
下面我将会贴上一个例子:
UCC3818的芯片实际应用
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最之前的设计中,供电是采用UCC3818的DATASHEET中所提供的倍压方式供电.刚实验时,烧毁了好几片芯片,这么贵的芯片,好心痛;就不敢再试了,分析了半天:
由于电路在轻载和重载情况下,脉冲的DUTY变化很大.故整流出来的电压变化很大,轻载的情况下,供电电压较低,导致芯片输出电压下跌,驱动能力下降.如果输出电压不能快速地跨越功率MOS管的米勒曲线点.MOS将会严重发热.
要满足在轻载的情况下工作,只有增加供电绕组的匝数,这样就导致了一个问题,在重载的情况下电压会变化很大,有可能超过芯片的工作电压.内部一旦篏位.就必然增加芯片的功耗,芯片一热就会工作不稳定.电压若再过高就会烧毁芯片.
我对烧毁的芯片检测了一遍.无一例外的,全部是输出端和电源和地短路,(不知用过个芯片的同仁们,是不是也是这个原因造成的,大家可以检测下芯片,)从而分析是内部两个MOS管烧毁,
该芯片采用了MOS管图腾,目的是想加大驱动能力.改善输出,但因采用MOS图腾有个缺点.就是在开关过程中,要求速度足够快,才能幸免被烧毁.
由于之前是采用从BOOST电感上取电压.电压变化较大.在电源电压变化时,这种输出方式,极易损坏芯片.
反倒是UCC3854采用三极管图腾还好点.
......
提个醒在使用这个芯片,或准备用这个芯片的朋友们慎重些.
也提醒一些做技术支持的朋友们(我自己也做过技术支持,呵呵!)在推出芯片时,DATASHEET中,尽量把实验做全点.芯片内部参数给全面点.这样才更有利于产品的推广.
由于电路在轻载和重载情况下,脉冲的DUTY变化很大.故整流出来的电压变化很大,轻载的情况下,供电电压较低,导致芯片输出电压下跌,驱动能力下降.如果输出电压不能快速地跨越功率MOS管的米勒曲线点.MOS将会严重发热.
要满足在轻载的情况下工作,只有增加供电绕组的匝数,这样就导致了一个问题,在重载的情况下电压会变化很大,有可能超过芯片的工作电压.内部一旦篏位.就必然增加芯片的功耗,芯片一热就会工作不稳定.电压若再过高就会烧毁芯片.
我对烧毁的芯片检测了一遍.无一例外的,全部是输出端和电源和地短路,(不知用过个芯片的同仁们,是不是也是这个原因造成的,大家可以检测下芯片,)从而分析是内部两个MOS管烧毁,
该芯片采用了MOS管图腾,目的是想加大驱动能力.改善输出,但因采用MOS图腾有个缺点.就是在开关过程中,要求速度足够快,才能幸免被烧毁.
由于之前是采用从BOOST电感上取电压.电压变化较大.在电源电压变化时,这种输出方式,极易损坏芯片.
反倒是UCC3854采用三极管图腾还好点.
......
提个醒在使用这个芯片,或准备用这个芯片的朋友们慎重些.
也提醒一些做技术支持的朋友们(我自己也做过技术支持,呵呵!)在推出芯片时,DATASHEET中,尽量把实验做全点.芯片内部参数给全面点.这样才更有利于产品的推广.
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@zxlltd
最之前的设计中,供电是采用UCC3818的DATASHEET中所提供的倍压方式供电.刚实验时,烧毁了好几片芯片,这么贵的芯片,好心痛;就不敢再试了,分析了半天: 由于电路在轻载和重载情况下,脉冲的DUTY变化很大.故整流出来的电压变化很大,轻载的情况下,供电电压较低,导致芯片输出电压下跌,驱动能力下降.如果输出电压不能快速地跨越功率MOS管的米勒曲线点.MOS将会严重发热. 要满足在轻载的情况下工作,只有增加供电绕组的匝数,这样就导致了一个问题,在重载的情况下电压会变化很大,有可能超过芯片的工作电压.内部一旦篏位.就必然增加芯片的功耗,芯片一热就会工作不稳定.电压若再过高就会烧毁芯片. 我对烧毁的芯片检测了一遍.无一例外的,全部是输出端和电源和地短路,(不知用过个芯片的同仁们,是不是也是这个原因造成的,大家可以检测下芯片,)从而分析是内部两个MOS管烧毁, 该芯片采用了MOS管图腾,目的是想加大驱动能力.改善输出,但因采用MOS图腾有个缺点.就是在开关过程中,要求速度足够快,才能幸免被烧毁. 由于之前是采用从BOOST电感上取电压.电压变化较大.在电源电压变化时,这种输出方式,极易损坏芯片. 反倒是UCC3854采用三极管图腾还好点....... 提个醒在使用这个芯片,或准备用这个芯片的朋友们慎重些. 也提醒一些做技术支持的朋友们(我自己也做过技术支持,呵呵!)在推出芯片时,DATASHEET中,尽量把实验做全点.芯片内部参数给全面点.这样才更有利于产品的推广.
我先來頂一下,寫的很好,你現在有這樣的水平真的很不錯了
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@zxlltd
最之前的设计中,供电是采用UCC3818的DATASHEET中所提供的倍压方式供电.刚实验时,烧毁了好几片芯片,这么贵的芯片,好心痛;就不敢再试了,分析了半天: 由于电路在轻载和重载情况下,脉冲的DUTY变化很大.故整流出来的电压变化很大,轻载的情况下,供电电压较低,导致芯片输出电压下跌,驱动能力下降.如果输出电压不能快速地跨越功率MOS管的米勒曲线点.MOS将会严重发热. 要满足在轻载的情况下工作,只有增加供电绕组的匝数,这样就导致了一个问题,在重载的情况下电压会变化很大,有可能超过芯片的工作电压.内部一旦篏位.就必然增加芯片的功耗,芯片一热就会工作不稳定.电压若再过高就会烧毁芯片. 我对烧毁的芯片检测了一遍.无一例外的,全部是输出端和电源和地短路,(不知用过个芯片的同仁们,是不是也是这个原因造成的,大家可以检测下芯片,)从而分析是内部两个MOS管烧毁, 该芯片采用了MOS管图腾,目的是想加大驱动能力.改善输出,但因采用MOS图腾有个缺点.就是在开关过程中,要求速度足够快,才能幸免被烧毁. 由于之前是采用从BOOST电感上取电压.电压变化较大.在电源电压变化时,这种输出方式,极易损坏芯片. 反倒是UCC3854采用三极管图腾还好点....... 提个醒在使用这个芯片,或准备用这个芯片的朋友们慎重些. 也提醒一些做技术支持的朋友们(我自己也做过技术支持,呵呵!)在推出芯片时,DATASHEET中,尽量把实验做全点.芯片内部参数给全面点.这样才更有利于产品的推广.
顶!
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@zxlltd
最之前的设计中,供电是采用UCC3818的DATASHEET中所提供的倍压方式供电.刚实验时,烧毁了好几片芯片,这么贵的芯片,好心痛;就不敢再试了,分析了半天: 由于电路在轻载和重载情况下,脉冲的DUTY变化很大.故整流出来的电压变化很大,轻载的情况下,供电电压较低,导致芯片输出电压下跌,驱动能力下降.如果输出电压不能快速地跨越功率MOS管的米勒曲线点.MOS将会严重发热. 要满足在轻载的情况下工作,只有增加供电绕组的匝数,这样就导致了一个问题,在重载的情况下电压会变化很大,有可能超过芯片的工作电压.内部一旦篏位.就必然增加芯片的功耗,芯片一热就会工作不稳定.电压若再过高就会烧毁芯片. 我对烧毁的芯片检测了一遍.无一例外的,全部是输出端和电源和地短路,(不知用过个芯片的同仁们,是不是也是这个原因造成的,大家可以检测下芯片,)从而分析是内部两个MOS管烧毁, 该芯片采用了MOS管图腾,目的是想加大驱动能力.改善输出,但因采用MOS图腾有个缺点.就是在开关过程中,要求速度足够快,才能幸免被烧毁. 由于之前是采用从BOOST电感上取电压.电压变化较大.在电源电压变化时,这种输出方式,极易损坏芯片. 反倒是UCC3854采用三极管图腾还好点....... 提个醒在使用这个芯片,或准备用这个芯片的朋友们慎重些. 也提醒一些做技术支持的朋友们(我自己也做过技术支持,呵呵!)在推出芯片时,DATASHEET中,尽量把实验做全点.芯片内部参数给全面点.这样才更有利于产品的推广.
多谢提醒,正准备了解这个
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