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UCC3818的芯片实际应用

几天前接了项目,经上司推荐,采用UCC3818DW做APFC控制芯片.由于系统工作环境比较恶劣,为使工作稳定,所以深入地对这个芯片了解了一下.
  500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/60/419001198978214.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
          UCC3818内部框图
  500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/60/419001198979195.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
           UCC3854内部框图
  UCC3818是UCC3854的升级产品,升级产品通常是对上一代产品的一些不足进行弥补,弥补的主要以下几点:
   UCC3818的8脚前馈电压,内部做了一个IAC镜像,这样就改善了以前UC3854外部要再另外加分压电阻,简化了IC外围电路.
    UCC3818的10脚引入了一个OVP和一个LVP功能,这样做的目的有利于改善了对电路的冲击,无形中相当于一个缓启动.
   再就是他的电压反馈基准为7.5v,与3854A/B的点差别.
   还有个就是这个芯片改善很多的输出图腾.(输出能力有很在的差别.)
   整个反馈环路与UCC3854比较相比较稳定了许多,没有UCC3854这么敏感.
  (如上图中的红线框起来 部分)

有了以上的改善当然是好了,但是鄙人在实验时就发现了几点的不足.
  最明显的不足就是这个芯片的驱动能力,3854的栅极连续驱动电流能做到0.5A,3818仅可怜的0.2A,如果这个芯片定位在大电源.以如此小的驱动功率,只能驱动很小管子.如果要往上做大功率的PFC,这样做就必然要外加驱动,这样对驱动的要求又提高了.对系统的成本增加了不少.
工作的电压是个问题.需要外加一个辅助电源.如果按照DATASHEET中所提供的方式做,以轻载和重载的情况下,VCC将会变化很大.
下面我将会贴上一个例子:
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zxlltd
LV.4
2
2007-12-30 11:44
最之前的设计中,供电是采用UCC3818的DATASHEET中所提供的倍压方式供电.刚实验时,烧毁了好几片芯片,这么贵的芯片,好心痛;就不敢再试了,分析了半天:
   由于电路在轻载和重载情况下,脉冲的DUTY变化很大.故整流出来的电压变化很大,轻载的情况下,供电电压较低,导致芯片输出电压下跌,驱动能力下降.如果输出电压不能快速地跨越功率MOS管的米勒曲线点.MOS将会严重发热.
   要满足在轻载的情况下工作,只有增加供电绕组的匝数,这样就导致了一个问题,在重载的情况下电压会变化很大,有可能超过芯片的工作电压.内部一旦篏位.就必然增加芯片的功耗,芯片一热就会工作不稳定.电压若再过高就会烧毁芯片.
    我对烧毁的芯片检测了一遍.无一例外的,全部是输出端和电源和地短路,(不知用过个芯片的同仁们,是不是也是这个原因造成的,大家可以检测下芯片,)从而分析是内部两个MOS管烧毁,
    该芯片采用了MOS管图腾,目的是想加大驱动能力.改善输出,但因采用MOS图腾有个缺点.就是在开关过程中,要求速度足够快,才能幸免被烧毁.
    由于之前是采用从BOOST电感上取电压.电压变化较大.在电源电压变化时,这种输出方式,极易损坏芯片.
    反倒是UCC3854采用三极管图腾还好点.
......
  
    提个醒在使用这个芯片,或准备用这个芯片的朋友们慎重些.
    也提醒一些做技术支持的朋友们(我自己也做过技术支持,呵呵!)在推出芯片时,DATASHEET中,尽量把实验做全点.芯片内部参数给全面点.这样才更有利于产品的推广.
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yjmyjm
LV.1
3
2007-12-30 12:42
@zxlltd
最之前的设计中,供电是采用UCC3818的DATASHEET中所提供的倍压方式供电.刚实验时,烧毁了好几片芯片,这么贵的芯片,好心痛;就不敢再试了,分析了半天:  由于电路在轻载和重载情况下,脉冲的DUTY变化很大.故整流出来的电压变化很大,轻载的情况下,供电电压较低,导致芯片输出电压下跌,驱动能力下降.如果输出电压不能快速地跨越功率MOS管的米勒曲线点.MOS将会严重发热.  要满足在轻载的情况下工作,只有增加供电绕组的匝数,这样就导致了一个问题,在重载的情况下电压会变化很大,有可能超过芯片的工作电压.内部一旦篏位.就必然增加芯片的功耗,芯片一热就会工作不稳定.电压若再过高就会烧毁芯片.    我对烧毁的芯片检测了一遍.无一例外的,全部是输出端和电源和地短路,(不知用过个芯片的同仁们,是不是也是这个原因造成的,大家可以检测下芯片,)从而分析是内部两个MOS管烧毁,    该芯片采用了MOS管图腾,目的是想加大驱动能力.改善输出,但因采用MOS图腾有个缺点.就是在开关过程中,要求速度足够快,才能幸免被烧毁.    由于之前是采用从BOOST电感上取电压.电压变化较大.在电源电压变化时,这种输出方式,极易损坏芯片.    反倒是UCC3854采用三极管图腾还好点.......      提个醒在使用这个芯片,或准备用这个芯片的朋友们慎重些.    也提醒一些做技术支持的朋友们(我自己也做过技术支持,呵呵!)在推出芯片时,DATASHEET中,尽量把实验做全点.芯片内部参数给全面点.这样才更有利于产品的推广.
我先來頂一下,寫的很好,你現在有這樣的水平真的很不錯了
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zxlltd
LV.4
4
2007-12-30 18:01
@yjmyjm
我先來頂一下,寫的很好,你現在有這樣的水平真的很不錯了
我也是没有办法,这个系统本身工作环境比较恶劣,又要求长期工作,还有几KV的高压,需要单片机参与的控制,安全系数又要高,所以只能这样了.呵呵!!
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2008-02-03 20:57
能不能帮忙解释一下3818 8PIN 你用红色圈起来的那段是怎么工作的啊,谢谢
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zxlltd
LV.4
6
2008-02-14 08:37
@老实和尚
能不能帮忙解释一下38188PIN你用红色圈起来的那段是怎么工作的啊,谢谢
你只要了解了,如何计算功率因数就了解了这个引脚 的功能.电压的均方根值,
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liucitty
LV.1
7
2008-02-18 15:22
@zxlltd
你只要了解了,如何计算功率因数就了解了这个引脚的功能.电压的均方根值,
请问UCC3818最高可以做到多大的功率?可以做到5.5kW吗?我看到资料中有介绍75W to 2kW+  ,不明白这个加号是什么意义 ?还请有用过的高手指点一下.
本人是新手,刚接触PFC,还请各位大虾不吝赐教.
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zxlltd
LV.4
8
2008-02-19 16:01
@liucitty
请问UCC3818最高可以做到多大的功率?可以做到5.5kW吗?我看到资料中有介绍75Wto2kW+  ,不明白这个加号是什么意义?还请有用过的高手指点一下.本人是新手,刚接触PFC,还请各位大虾不吝赐教.
你问这个问题,我倒是想问一下你,你认为UC3842做反激电源的话,能做到300W的功率吗?
  明白了这个问题,你就明白了用UC3818能不能做到5.5KW了.
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2008-08-13 23:18
你好,我用3818做到了3KW,不过调到低压端时(90V带半载)我的调压器叫的厉害,时间长了就烧机了,你碰到过这个问题吗,望赐教,谢谢
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2008-08-14 09:25
@power-2000
你好,我用3818做到了3KW,不过调到低压端时(90V带半载)我的调压器叫的厉害,时间长了就烧机了,你碰到过这个问题吗,望赐教,谢谢
UCC3818我们有一个客户在生产的最大功率是4880,四千多W,现在Ti有更新的交错模式的PFC控制IC UCC28070 可以上TI的网站下载资料看看.我们可以提供1.2KW的EVM板 测试.
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zxlltd
LV.4
11
2008-08-15 14:13
@power-2000
你好,我用3818做到了3KW,不过调到低压端时(90V带半载)我的调压器叫的厉害,时间长了就烧机了,你碰到过这个问题吗,望赐教,谢谢
有几种可能,一种可能是你的调压器功率可能小了,你可以尝试不用调压器,试下,
另一种可能,调压器充当了一个小输入电感,
当然不排除你的电路存在保护的可能性,像电流峰值保护等,这个还要看你的电路参数匹配才好分析.
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LV.1
12
2008-09-14 22:00
@远方一风
UCC3818我们有一个客户在生产的最大功率是4880,四千多W,现在Ti有更新的交错模式的PFC控制ICUCC28070可以上TI的网站下载资料看看.我们可以提供1.2KW的EVM板测试.
有ucc28070的1200w PFC的原理图及DEMO板吗?传上来我们分享一下
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2008-09-16 14:01
@
有ucc28070的1200wPFC的原理图及DEMO板吗?传上来我们分享一下
我稍后回做一个2KW的demo供参考 107711221544853.pdf
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power-2000
LV.3
14
2008-09-18 22:46
@zxlltd
有几种可能,一种可能是你的调压器功率可能小了,你可以尝试不用调压器,试下,另一种可能,调压器充当了一个小输入电感,当然不排除你的电路存在保护的可能性,像电流峰值保护等,这个还要看你的电路参数匹配才好分析.
谢谢你的回复,我用AC SORCE就不会有响声,你所说的电流峰值保护是指3818的哪一只管脚呀?
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LV.1
15
2008-09-21 08:58
@远方一风
我稍后回做一个2KW的demo供参考107711221544853.pdf
简单点原理有没有,比较复杂,输入85-264V,输出正负100V,8A.正负20V,2A;辅助18V/1A.如何设计,PFC后面用UC3525+IR2110做成半桥形式.UC3525固定脉宽,固定频率做,这样的方案有没有,可不可以做功率在2000W左右的,甚至是3000w左右的电路??
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xsaqs
LV.5
16
2012-05-09 15:45
@zxlltd
最之前的设计中,供电是采用UCC3818的DATASHEET中所提供的倍压方式供电.刚实验时,烧毁了好几片芯片,这么贵的芯片,好心痛;就不敢再试了,分析了半天:  由于电路在轻载和重载情况下,脉冲的DUTY变化很大.故整流出来的电压变化很大,轻载的情况下,供电电压较低,导致芯片输出电压下跌,驱动能力下降.如果输出电压不能快速地跨越功率MOS管的米勒曲线点.MOS将会严重发热.  要满足在轻载的情况下工作,只有增加供电绕组的匝数,这样就导致了一个问题,在重载的情况下电压会变化很大,有可能超过芯片的工作电压.内部一旦篏位.就必然增加芯片的功耗,芯片一热就会工作不稳定.电压若再过高就会烧毁芯片.    我对烧毁的芯片检测了一遍.无一例外的,全部是输出端和电源和地短路,(不知用过个芯片的同仁们,是不是也是这个原因造成的,大家可以检测下芯片,)从而分析是内部两个MOS管烧毁,    该芯片采用了MOS管图腾,目的是想加大驱动能力.改善输出,但因采用MOS图腾有个缺点.就是在开关过程中,要求速度足够快,才能幸免被烧毁.    由于之前是采用从BOOST电感上取电压.电压变化较大.在电源电压变化时,这种输出方式,极易损坏芯片.    反倒是UCC3854采用三极管图腾还好点.......      提个醒在使用这个芯片,或准备用这个芯片的朋友们慎重些.    也提醒一些做技术支持的朋友们(我自己也做过技术支持,呵呵!)在推出芯片时,DATASHEET中,尽量把实验做全点.芯片内部参数给全面点.这样才更有利于产品的推广.

顶!

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2012-11-19 23:41
@zxlltd
最之前的设计中,供电是采用UCC3818的DATASHEET中所提供的倍压方式供电.刚实验时,烧毁了好几片芯片,这么贵的芯片,好心痛;就不敢再试了,分析了半天:  由于电路在轻载和重载情况下,脉冲的DUTY变化很大.故整流出来的电压变化很大,轻载的情况下,供电电压较低,导致芯片输出电压下跌,驱动能力下降.如果输出电压不能快速地跨越功率MOS管的米勒曲线点.MOS将会严重发热.  要满足在轻载的情况下工作,只有增加供电绕组的匝数,这样就导致了一个问题,在重载的情况下电压会变化很大,有可能超过芯片的工作电压.内部一旦篏位.就必然增加芯片的功耗,芯片一热就会工作不稳定.电压若再过高就会烧毁芯片.    我对烧毁的芯片检测了一遍.无一例外的,全部是输出端和电源和地短路,(不知用过个芯片的同仁们,是不是也是这个原因造成的,大家可以检测下芯片,)从而分析是内部两个MOS管烧毁,    该芯片采用了MOS管图腾,目的是想加大驱动能力.改善输出,但因采用MOS图腾有个缺点.就是在开关过程中,要求速度足够快,才能幸免被烧毁.    由于之前是采用从BOOST电感上取电压.电压变化较大.在电源电压变化时,这种输出方式,极易损坏芯片.    反倒是UCC3854采用三极管图腾还好点.......      提个醒在使用这个芯片,或准备用这个芯片的朋友们慎重些.    也提醒一些做技术支持的朋友们(我自己也做过技术支持,呵呵!)在推出芯片时,DATASHEET中,尽量把实验做全点.芯片内部参数给全面点.这样才更有利于产品的推广.
多谢提醒,正准备了解这个
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