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空载烧MOS管

我设计一款12V/12a铅酸充电器(开关电源式),空载时(输入电压大约为130V时)MOS管就会烧坏(比率为10%),mos管为STP8N100z(只要重新换一同类MOS管就好.曾用过9N90Z).我不知道是电路设计问题还是MOS管质量问题?请高手指点
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join1111
LV.4
2
2008-01-17 22:46
什么电路啊,要用1000V管子,用示波器看看波形了,用没有震荡?
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ta7698
LV.9
3
2008-01-18 07:33
是什么电路?多数是你电路问题!
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2008-01-18 11:30
@lchqligong
正激,MOS管漏源滤型正常.以下是电路图,请高手指教.变压器EE40.  
图中ZD4烧机时是没有的.变压器参数如下:初级45TS(电感LP=1mH) 复位50TS 辅助电源4TS 次级6TS.

输入电压230V
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ta7698
LV.9
5
2008-01-18 15:11
@lchqligong
图中ZD4烧机时是没有的.变压器参数如下:初级45TS(电感LP=1mH)复位50TS辅助电源4TS次级6TS.输入电压230V
1.正激电路1mH是不是小了?你有加气隙?
2.老是在低压时烧MOS,好象匝比有问题,改为40:7试试.
   供参考
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2008-01-18 15:22
@ta7698
1.正激电路1mH是不是小了?你有加气隙?2.老是在低压时烧MOS,好象匝比有问题,改为40:7试试.  供参考
有加气隙.如果初级匝数太少,我担心磁芯会饱合(用的国内磁芯).此机已在生产中.调机时没遇到过烧MOS,但生产中问题就出来了,没有头绪.
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jianyedin
LV.9
7
2008-01-18 22:27
@lchqligong
有加气隙.如果初级匝数太少,我担心磁芯会饱合(用的国内磁芯).此机已在生产中.调机时没遇到过烧MOS,但生产中问题就出来了,没有头绪.
空载时会不会丢波,会不会偶尔最大占空比输出.
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2008-01-19 07:41
UC3843的最大占空比接近100%,输入电压低时占空比全部打开,变压器几乎无退磁复位时间,变压器饱和,必烧MOS管.
解决办法是换用UC3844,其最大占空比小于50%,变压器就不会饱和了.
UC3843的输出频率与振荡频率相等,UC3844的输出频率是振荡频率的一半,所以更换UC3844后需重新调整振荡频率
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2008-01-19 08:25
@世界真奇妙
UC3843的最大占空比接近100%,输入电压低时占空比全部打开,变压器几乎无退磁复位时间,变压器饱和,必烧MOS管.解决办法是换用UC3844,其最大占空比小于50%,变压器就不会饱和了.UC3843的输出频率与振荡频率相等,UC3844的输出频率是振荡频率的一半,所以更换UC3844后需重新调整振荡频率
空载时占空比会到期100%?我有点不太明白,请指教.
回复第8贴:
怎样判定丢波,我用示波器看过,但看不出什么.
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2008-01-19 13:50
@lchqligong
空载时占空比会到期100%?我有点不太明白,请指教.回复第8贴:怎样判定丢波,我用示波器看过,但看不出什么.
你先换用UC3844试试,看看是否还烧MOS管.如果不再烧MOS管了,就可以确认是占空比的问题.
使用UC3843时,不管供电电压是多少,第一个周波肯定占空比远远超过50%,变压器就可能饱和,第二个周波时变压器就肯定饱和,UC3843的3脚可检测到过流信号,由于R27,C15滤波时间过长,UC3843的关断会滞后,MOS管会严重过流.如果供电电压过低,输出电压永远达不到额定值,UC3843的输出占空比就会大于50%,变压器饱和,MOS管严重过流多次后就会烧.
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lchqligong
LV.4
11
2008-01-19 13:59
@世界真奇妙
你先换用UC3844试试,看看是否还烧MOS管.如果不再烧MOS管了,就可以确认是占空比的问题.使用UC3843时,不管供电电压是多少,第一个周波肯定占空比远远超过50%,变压器就可能饱和,第二个周波时变压器就肯定饱和,UC3843的3脚可检测到过流信号,由于R27,C15滤波时间过长,UC3843的关断会滞后,MOS管会严重过流.如果供电电压过低,输出电压永远达不到额定值,UC3843的输出占空比就会大于50%,变压器饱和,MOS管严重过流多次后就会烧.
谢谢你的指教.按照你的意思是:如果象你所说,应该烧机的概率很高,但我烧机的比率只有10%.而且同一台机更换MOS管以后工作又正常(不明之处在此).但在我调机时没有烧过机,只在生产时就烧机(在电压为200V时也是同样问题),所以很难判定原因(我曾试过很多种方式).
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2008-01-19 14:19
@lchqligong
谢谢你的指教.按照你的意思是:如果象你所说,应该烧机的概率很高,但我烧机的比率只有10%.而且同一台机更换MOS管以后工作又正常(不明之处在此).但在我调机时没有烧过机,只在生产时就烧机(在电压为200V时也是同样问题),所以很难判定原因(我曾试过很多种方式).
我已经在11帖中说了,验证的办法是换用UC3844试试.
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lchqligong
LV.4
13
2008-01-19 14:36
@世界真奇妙
我已经在11帖中说了,验证的办法是换用UC3844试试.
正在用3845试,(但当电压为220V左右时,MOS管漏源电压有抖动)只有等下次生产再验证了.可否请教有什么办法在实验室能试出来呢.冒昧地问一句,是否方便告知电话,我想当面向你请教.(不好意思,我太想尽快解决这个困拢我很久的问题了).我的电话是:0756 7267939李工.
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2008-01-19 14:45
@lchqligong
谢谢你的指教.按照你的意思是:如果象你所说,应该烧机的概率很高,但我烧机的比率只有10%.而且同一台机更换MOS管以后工作又正常(不明之处在此).但在我调机时没有烧过机,只在生产时就烧机(在电压为200V时也是同样问题),所以很难判定原因(我曾试过很多种方式).
烧机的概率不能说明什么问题,因为毕竟3843的3脚过流保护起作用,如果没有3脚,启动时变压器肯定饱和,恐怕100%会炸掉.如果使用3844,占空比永远小于50%,变压器是不可能饱和的.
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lchqligong
LV.4
15
2008-01-19 14:49
@世界真奇妙
烧机的概率不能说明什么问题,因为毕竟3843的3脚过流保护起作用,如果没有3脚,启动时变压器肯定饱和,恐怕100%会炸掉.如果使用3844,占空比永远小于50%,变压器是不可能饱和的.
同意你的观点,在此再次谢过.
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lchqligong
LV.4
16
2008-01-19 15:39
@ta7698
是什么电路?多数是你电路问题!
正激,MOS管漏源滤型正常.以下是电路图,请高手指教.变压器EE40.

  
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jianyedin
LV.9
17
2008-01-19 20:16
@lchqligong
同意你的观点,在此再次谢过.
C14会影响环路响应.可以不要或几百皮
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2008-01-25 10:59
@lchqligong
空载时占空比会到期100%?我有点不太明白,请指教.回复第8贴:怎样判定丢波,我用示波器看过,但看不出什么.
正激电路最好不要采用3842和43,要采用3844,45;我感觉你的初级电路取样电阻是不是设置的太小啊,如果你让占空比在超过一定值时(比如70%)就关断MOSFET,也不会有这样的问题啊.
还有就是为啥你的复位绕组比NP要多伍匝啊?
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2008-01-25 11:02
@superpowersupply
正激电路最好不要采用3842和43,要采用3844,45;我感觉你的初级电路取样电阻是不是设置的太小啊,如果你让占空比在超过一定值时(比如70%)就关断MOSFET,也不会有这样的问题啊.还有就是为啥你的复位绕组比NP要多伍匝啊?
另外,你不需要用到1000伏特耐压的MOSFET管吧?用700V的足够啦(我看你的反射电压在月110左右).
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lchqligong
LV.4
20
2008-01-25 15:51
@superpowersupply
另外,你不需要用到1000伏特耐压的MOSFET管吧?用700V的足够啦(我看你的反射电压在月110左右).
实测试电压大于800V.
用3845代替3843后,(也调整了频率),变压器匝比改为40:7后,当AC电压在220V左右时(例如在230V)MOS管电压波型会抖动,(但只要稍稍调高电压到233V时,则波型正常.多次调节都无结果.
复位绕组多5匝,是为了降低MOS两端的电压.
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2008-01-25 15:57
@lchqligong
实测试电压大于800V.用3845代替3843后,(也调整了频率),变压器匝比改为40:7后,当AC电压在220V左右时(例如在230V)MOS管电压波型会抖动,(但只要稍稍调高电压到233V时,则波型正常.多次调节都无结果.复位绕组多5匝,是为了降低MOS两端的电压.
你的初级有没有用RDC缓冲SNUBBER啊?设计是否合理啊?要不怎么会有这么高的电压呢?
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lchqligong
LV.4
22
2008-01-25 16:00
@superpowersupply
你的初级有没有用RDC缓冲SNUBBER啊?设计是否合理啊?要不怎么会有这么高的电压呢?
没有,如果加RCD电路,200K/2W电阻温升很高,所以放弃了.请问有何高见.
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2008-01-25 16:13
@lchqligong
没有,如果加RCD电路,200K/2W电阻温升很高,所以放弃了.请问有何高见.
我觉得这应该是问题所在,RDC缓冲电路应该是要的.如果设计合理的话(你用的200K电阻怎么会温升很高呢?即使电阻两端的电压有效值为300V,电阻损耗也只有:300*300/200000=0.45W啊,怎么会温升高呢?),可以大幅降低MOSFET尖峰电压,这样以来可以采用较低耐压的MOSFET,损耗就下来啦,而且FCC好过些.
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2008-01-25 16:20
@superpowersupply
我觉得这应该是问题所在,RDC缓冲电路应该是要的.如果设计合理的话(你用的200K电阻怎么会温升很高呢?即使电阻两端的电压有效值为300V,电阻损耗也只有:300*300/200000=0.45W啊,怎么会温升高呢?),可以大幅降低MOSFET尖峰电压,这样以来可以采用较低耐压的MOSFET,损耗就下来啦,而且FCC好过些.
还有就是你为啥要给磁芯磨气隙呢,要磨也不要麽这么大的气息啊.我感觉(不确定)加这么大气息可能是最不合理的.
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lchqligong
LV.4
25
2008-01-25 16:23
@superpowersupply
我觉得这应该是问题所在,RDC缓冲电路应该是要的.如果设计合理的话(你用的200K电阻怎么会温升很高呢?即使电阻两端的电压有效值为300V,电阻损耗也只有:300*300/200000=0.45W啊,怎么会温升高呢?),可以大幅降低MOSFET尖峰电压,这样以来可以采用较低耐压的MOSFET,损耗就下来啦,而且FCC好过些.
我在MOS管DS端有加吸收电路,也就是说尖峰电压已经很低(实测),而且MOS管烧坏时的电压不高于600V(实测),因此时AC电压只不过是130V左右(而且是空载烧),所以我想不是因为电压高而烧坏,而是如上面他们所指的:应该是占空比大,而磁路未正常复位.换IC后,新的问题就是如上述所说抖动现象未解决.
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lchqligong
LV.4
26
2008-01-25 16:27
@superpowersupply
还有就是你为啥要给磁芯磨气隙呢,要磨也不要麽这么大的气息啊.我感觉(不确定)加这么大气息可能是最不合理的.
如果不磨气隙,初级电感有约10mH,接上电路时,测试MOS管压降波型严重变形.
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2008-01-25 16:59
@lchqligong
我在MOS管DS端有加吸收电路,也就是说尖峰电压已经很低(实测),而且MOS管烧坏时的电压不高于600V(实测),因此时AC电压只不过是130V左右(而且是空载烧),所以我想不是因为电压高而烧坏,而是如上面他们所指的:应该是占空比大,而磁路未正常复位.换IC后,新的问题就是如上述所说抖动现象未解决.
ok
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2008-01-25 17:15
@lchqligong
我在MOS管DS端有加吸收电路,也就是说尖峰电压已经很低(实测),而且MOS管烧坏时的电压不高于600V(实测),因此时AC电压只不过是130V左右(而且是空载烧),所以我想不是因为电压高而烧坏,而是如上面他们所指的:应该是占空比大,而磁路未正常复位.换IC后,新的问题就是如上述所说抖动现象未解决.
MOSFET波形严重变形说明系统工作不稳定(有震荡),正激电源有个最小负载问题,不知你有没有注意.你现在的波形抖动还是同一个问题啊,如果你改用3845,同时正确设置初级取样电阻,肯定不会烧机了,要解决波形抖动(空载还是负载啊?)可以考虑反馈电路,续流电感,最小负载等原因.
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heibaihao
LV.4
29
2008-01-25 17:48
@lchqligong
我在MOS管DS端有加吸收电路,也就是说尖峰电压已经很低(实测),而且MOS管烧坏时的电压不高于600V(实测),因此时AC电压只不过是130V左右(而且是空载烧),所以我想不是因为电压高而烧坏,而是如上面他们所指的:应该是占空比大,而磁路未正常复位.换IC后,新的问题就是如上述所说抖动现象未解决.
你的次级是6T,初级是45T,在130V时的占空比是:12/(160*6/45)=0.56!!
你的复位绕组是50T,所以的的占空比不能超过:45/(45+50)=0.47
你说你的设计能不有问题吗?把次极增加两匝,这样你MOS的电压也低些.
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heibaihao
LV.4
30
2008-01-25 17:51
@lchqligong
我在MOS管DS端有加吸收电路,也就是说尖峰电压已经很低(实测),而且MOS管烧坏时的电压不高于600V(实测),因此时AC电压只不过是130V左右(而且是空载烧),所以我想不是因为电压高而烧坏,而是如上面他们所指的:应该是占空比大,而磁路未正常复位.换IC后,新的问题就是如上述所说抖动现象未解决.
你的要不是电流型控制芯片,炸得更厉害....
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lchqligong
LV.4
31
2008-01-26 08:45
@heibaihao
你的次级是6T,初级是45T,在130V时的占空比是:12/(160*6/45)=0.56!!你的复位绕组是50T,所以的的占空比不能超过:45/(45+50)=0.47你说你的设计能不有问题吗?把次极增加两匝,这样你MOS的电压也低些.
接受你的观点.我测试它在200V时同样会烧机.
回复29贴:
有加750欧电阻作假负载.波型抖动是在大负载,但如电流在10A以下就不会抖动.
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