个人认为.加气隙可以适当的减少电感量,因此在正常运行时,励磁电流将会变大.在主开关管关闭时.励磁电流比较容易与主mos结电容谐振.如果选结电容较小的mosfet,是否可以不加气隙.据我所知,一般低压dcdc电源模块不会加气的.但是否380v转5v或12v这种情况要不要稍微加一点?
不知道还有什么别的好处?欢迎大家讨论!
正激有源箝位,到底要不要加气隙?
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@chernwenbin
有源钳位变压器加气息是实现zvs的好办法,加气隙改变了磁滞回线的斜率,虽然磁芯损耗加大了,但毕竟是很小的.我们试验过,加得合理大概有2%效率的提升
磁芯损耗是减少的.因为磁压有一部分施加在了气隙上.
但是激磁电流的能量有所增加.如果是单管正激,这个能量非常不好处理,几乎难以回收.所以单管正激一般不加气隙.
如果是双管正激、有源钳位正激则由于可以无损回收激磁电流的能量,所以不在乎这个激磁电流的大小(也不要太大哦.)又因为激磁电流增大以后和Cds谐振能量较大,可以大大增加软开关范围,所以才有很多人增加气隙的.
而对于非软开关拓扑,开气隙的实际意义不大.
很多人说开气隙后能够防止磁芯饱和……正确的变压器设计就应该会有足够的裕量.如果依赖与这个气隙来阻止饱和,就好比因为房子在派出所对面而不锁门.
但是激磁电流的能量有所增加.如果是单管正激,这个能量非常不好处理,几乎难以回收.所以单管正激一般不加气隙.
如果是双管正激、有源钳位正激则由于可以无损回收激磁电流的能量,所以不在乎这个激磁电流的大小(也不要太大哦.)又因为激磁电流增大以后和Cds谐振能量较大,可以大大增加软开关范围,所以才有很多人增加气隙的.
而对于非软开关拓扑,开气隙的实际意义不大.
很多人说开气隙后能够防止磁芯饱和……正确的变压器设计就应该会有足够的裕量.如果依赖与这个气隙来阻止饱和,就好比因为房子在派出所对面而不锁门.
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@楚天?
磁芯损耗是减少的.因为磁压有一部分施加在了气隙上.但是激磁电流的能量有所增加.如果是单管正激,这个能量非常不好处理,几乎难以回收.所以单管正激一般不加气隙.如果是双管正激、有源钳位正激则由于可以无损回收激磁电流的能量,所以不在乎这个激磁电流的大小(也不要太大哦.)又因为激磁电流增大以后和Cds谐振能量较大,可以大大增加软开关范围,所以才有很多人增加气隙的.而对于非软开关拓扑,开气隙的实际意义不大.很多人说开气隙后能够防止磁芯饱和……正确的变压器设计就应该会有足够的裕量.如果依赖与这个气隙来阻止饱和,就好比因为房子在派出所对面而不锁门.
嗯,这个分析我很满意.在现有的参数和电路条件下,适当的调整气隙大小确实可以使主开关最大限度的接近zvs,但由于电路拓扑的限制,可能实现完全ZVS的效率还不如一定程度的zvs高.呵呵,我的看法是这样的.
另外有没有气隙和励磁电感方面的计算公式可查啊?请不吝赐教!谢谢!
另外有没有气隙和励磁电感方面的计算公式可查啊?请不吝赐教!谢谢!
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@mimosa
同意.那加气隙改变了什么参数,使得ZVS更容易实现?
漏磁通确实会增加一些的.不过不太大.有无磁芯时,耦合系数是会变化的.
激磁电流使得ZVS容易实现.
比如一个100K的active-clamp forward converter ,Vin300V,40%占空比dB=200mT,PC44PQ3230,源边匝数37匝,源边空载电感量7mH.空载激磁电流为300V×4uS/7mH=0.17A.
若中间开一0.2mm气隙则空载电感量为1.1mH,空载激磁电流1.09A
若中间开一1mm气隙则空载电感量为274uH,空载激磁电流4.38A
激磁电流能量除了少部分作为磁芯损耗外,余下很大部分需要通过复位电路泄放掉.
如上述磁芯,200mT典型损耗为3.92W,则每个周期损耗39uJ,无气隙时激磁电感存储能量为101uJ-39uJ=62uJ/周期.这个能量足够将103的电容充电到111V
如果开0.2mm气隙则电感存储能量为653uJ-39uJ=614uJ.这个能量可以将103的电容充电到350V,104的电容充电到110V.
可见,增加气隙(减小激磁电感)能够增加激磁能量使得谐振能量增大,有利于软开关.但是需要仔细设计谐振能量的大小,否则谐振能量的损耗也会降低效率.
激磁电流使得ZVS容易实现.
比如一个100K的active-clamp forward converter ,Vin300V,40%占空比dB=200mT,PC44PQ3230,源边匝数37匝,源边空载电感量7mH.空载激磁电流为300V×4uS/7mH=0.17A.
若中间开一0.2mm气隙则空载电感量为1.1mH,空载激磁电流1.09A
若中间开一1mm气隙则空载电感量为274uH,空载激磁电流4.38A
激磁电流能量除了少部分作为磁芯损耗外,余下很大部分需要通过复位电路泄放掉.
如上述磁芯,200mT典型损耗为3.92W,则每个周期损耗39uJ,无气隙时激磁电感存储能量为101uJ-39uJ=62uJ/周期.这个能量足够将103的电容充电到111V
如果开0.2mm气隙则电感存储能量为653uJ-39uJ=614uJ.这个能量可以将103的电容充电到350V,104的电容充电到110V.
可见,增加气隙(减小激磁电感)能够增加激磁能量使得谐振能量增大,有利于软开关.但是需要仔细设计谐振能量的大小,否则谐振能量的损耗也会降低效率.
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@楚天?
漏磁通确实会增加一些的.不过不太大.有无磁芯时,耦合系数是会变化的.激磁电流使得ZVS容易实现.比如一个100K的active-clampforwardconverter,Vin300V,40%占空比dB=200mT,PC44PQ3230,源边匝数37匝,源边空载电感量7mH.空载激磁电流为300V×4uS/7mH=0.17A.若中间开一0.2mm气隙则空载电感量为1.1mH,空载激磁电流1.09A若中间开一1mm气隙则空载电感量为274uH,空载激磁电流4.38A激磁电流能量除了少部分作为磁芯损耗外,余下很大部分需要通过复位电路泄放掉.如上述磁芯,200mT典型损耗为3.92W,则每个周期损耗39uJ,无气隙时激磁电感存储能量为101uJ-39uJ=62uJ/周期.这个能量足够将103的电容充电到111V如果开0.2mm气隙则电感存储能量为653uJ-39uJ=614uJ.这个能量可以将103的电容充电到350V,104的电容充电到110V.可见,增加气隙(减小激磁电感)能够增加激磁能量使得谐振能量增大,有利于软开关.但是需要仔细设计谐振能量的大小,否则谐振能量的损耗也会降低效率.
说的好.完全正确.给个好评
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@楚天?
漏磁通确实会增加一些的.不过不太大.有无磁芯时,耦合系数是会变化的.激磁电流使得ZVS容易实现.比如一个100K的active-clampforwardconverter,Vin300V,40%占空比dB=200mT,PC44PQ3230,源边匝数37匝,源边空载电感量7mH.空载激磁电流为300V×4uS/7mH=0.17A.若中间开一0.2mm气隙则空载电感量为1.1mH,空载激磁电流1.09A若中间开一1mm气隙则空载电感量为274uH,空载激磁电流4.38A激磁电流能量除了少部分作为磁芯损耗外,余下很大部分需要通过复位电路泄放掉.如上述磁芯,200mT典型损耗为3.92W,则每个周期损耗39uJ,无气隙时激磁电感存储能量为101uJ-39uJ=62uJ/周期.这个能量足够将103的电容充电到111V如果开0.2mm气隙则电感存储能量为653uJ-39uJ=614uJ.这个能量可以将103的电容充电到350V,104的电容充电到110V.可见,增加气隙(减小激磁电感)能够增加激磁能量使得谐振能量增大,有利于软开关.但是需要仔细设计谐振能量的大小,否则谐振能量的损耗也会降低效率.
谢谢.为了降低电感量,为什么不减少圈数而要开气隙呢?
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