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次级整流二极管的RC吸收参数?

RC参数的确定是为了阻尼关断时的谐振的幅值,还是为了减少谐振的频率?
或者参数的确定以达到什么样的目的为标准?
如何去顶RC的参数?实验得出了二极管谐振的电容,如何确定并联的C?
望各大虾不吝赐教.谢谢!
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bpyanyu
LV.8
2
2008-02-29 09:53
关注中
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2008-03-03 08:24
请大家解释一下.
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mbyd
LV.6
4
2008-03-24 19:21
个人认为,对于正激的整流管加RC吸收,它的作用并不大.会好一些,电阻电容的取值其实没有一个准确的计算公式(个人想法,如有,哪就多谢指出),对它的值的选取,大多还是经验值,须要去用实验去验证.
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老韦
LV.5
5
2008-03-24 20:34
在二极管两端并联电容的目的是抑制二极管导通/截止瞬间的脉冲冲击电流,在保护二极管的同时又能消除脉冲尖峰抑制干扰电平,当容量选择过大时,初极开关管在导通/截止瞬间形成电容性负载,增大导通/截止损耗.一般开关频率20K左右,其值不宜大于1500PF ,如大于此值则要串联入47-470欧的电阻,以减小在开机瞬间电容性负载对开关管的冲击和整机的损耗
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changlun
LV.7
6
2008-03-25 09:57
@老韦
在二极管两端并联电容的目的是抑制二极管导通/截止瞬间的脉冲冲击电流,在保护二极管的同时又能消除脉冲尖峰抑制干扰电平,当容量选择过大时,初极开关管在导通/截止瞬间形成电容性负载,增大导通/截止损耗.一般开关频率20K左右,其值不宜大于1500PF,如大于此值则要串联入47-470欧的电阻,以减小在开机瞬间电容性负载对开关管的冲击和整机的损耗
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mbyd
LV.6
7
2008-03-25 10:11
@老韦
在二极管两端并联电容的目的是抑制二极管导通/截止瞬间的脉冲冲击电流,在保护二极管的同时又能消除脉冲尖峰抑制干扰电平,当容量选择过大时,初极开关管在导通/截止瞬间形成电容性负载,增大导通/截止损耗.一般开关频率20K左右,其值不宜大于1500PF,如大于此值则要串联入47-470欧的电阻,以减小在开机瞬间电容性负载对开关管的冲击和整机的损耗
同意你的观点,但是这个电容,我会用耐压高的,比如102C/2000V的电容,曾经发现耐压值小的话,作用不大,另外适当的调整R的值,也是可以的,这就要在实验中去看管子的尖峰变化情况,另外再考虑MOS的安全性等等,电阻取的小,自身功率大了之后,电阻发热大,这一点值得关注.
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lcf2008
LV.4
8
2009-10-28 17:00
@mbyd
同意你的观点,但是这个电容,我会用耐压高的,比如102C/2000V的电容,曾经发现耐压值小的话,作用不大,另外适当的调整R的值,也是可以的,这就要在实验中去看管子的尖峰变化情况,另外再考虑MOS的安全性等等,电阻取的小,自身功率大了之后,电阻发热大,这一点值得关注.
朋友你好,我现在有个问题,就是我的高压探头要是夹在了整流管上的,会引起输出电压的变化,同时老化一会模块,发现输出电压会下降,而一但去掉高压探头后,模块一切正常,望你指点下迷津,谢谢
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mbyd
LV.6
9
2009-10-28 18:20
@lcf2008
朋友你好,我现在有个问题,就是我的高压探头要是夹在了整流管上的,会引起输出电压的变化,同时老化一会模块,发现输出电压会下降,而一但去掉高压探头后,模块一切正常,望你指点下迷津,谢谢
请问中间还是否发生振荡,你的高压探头是不是隔离的?还有你的示波器是三相头还是两线的?如果你的探头不隔离,那么就的示波器就不能有接地线.
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lcf2008
LV.4
10
2009-10-29 08:35
@mbyd
请问中间还是否发生振荡,你的高压探头是不是隔离的?还有你的示波器是三相头还是两线的?如果你的探头不隔离,那么就的示波器就不能有接地线.
我的探头是普通高压探头,但是我用的示波器是隔离的,两线制,没有地线,我查询了下我的探头的电容也是比较小的,才几个PF,真不知道问题出在那里.另外,就我的模块还有更希奇的事情,那就是我在调整吸收的时候,按照论坛里高手的方法先把吸收全部去掉观察尖峰,呵呵,发现竟然没有尖峰,于是就开始老化,可是发现无论加不加高压探头,模块老化几分钟后发现输出电压缓慢下降,真不知道什么原因.难道主电路里边非要加RC吸收才行吗,呵呵,望解释下,谢谢!
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lcf2008
LV.4
11
2009-10-29 08:38
@老韦
在二极管两端并联电容的目的是抑制二极管导通/截止瞬间的脉冲冲击电流,在保护二极管的同时又能消除脉冲尖峰抑制干扰电平,当容量选择过大时,初极开关管在导通/截止瞬间形成电容性负载,增大导通/截止损耗.一般开关频率20K左右,其值不宜大于1500PF,如大于此值则要串联入47-470欧的电阻,以减小在开机瞬间电容性负载对开关管的冲击和整机的损耗
你好,我的吸收电容是1000PF,加的电阻是17R,20W的氧化膜电阻,可是发现吸收没有尖峰没有多大改变啊,帮我设计下吧.谢谢
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mbyd
LV.6
12
2009-10-29 11:43
@lcf2008
你好,我的吸收电容是1000PF,加的电阻是17R,20W的氧化膜电阻,可是发现吸收没有尖峰没有多大改变啊,帮我设计下吧.谢谢
你把电路贴出来,让大家给你出出主意吧?你电源效率怎么样?电源老化后会不会特别热,造成有器件工作的不开心.还是把电路贴出来吧
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2011-08-07 22:16
@老韦
在二极管两端并联电容的目的是抑制二极管导通/截止瞬间的脉冲冲击电流,在保护二极管的同时又能消除脉冲尖峰抑制干扰电平,当容量选择过大时,初极开关管在导通/截止瞬间形成电容性负载,增大导通/截止损耗.一般开关频率20K左右,其值不宜大于1500PF,如大于此值则要串联入47-470欧的电阻,以减小在开机瞬间电容性负载对开关管的冲击和整机的损耗
电阻的功率如何确定?
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fkedgtgta
LV.4
14
2011-08-07 23:16
实际测试为准吧!测试VR!就知道了!
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2011-08-08 15:49
@mbyd
同意你的观点,但是这个电容,我会用耐压高的,比如102C/2000V的电容,曾经发现耐压值小的话,作用不大,另外适当的调整R的值,也是可以的,这就要在实验中去看管子的尖峰变化情况,另外再考虑MOS的安全性等等,电阻取的小,自身功率大了之后,电阻发热大,这一点值得关注.
路过看看
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taber.tian
LV.2
16
2011-10-23 22:17
@fkedgtgta
实际测试为准吧!测试VR!就知道了!

好议题,做个记号

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