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讨论:在高频的工作情况下,输出整流器能否选用同步整流技术?
讨论:在高频的工作情况下,输出整流器能否选用同步整流技术?
在高频的工作情况下,如何选取输出整流器?
常规的使用肖特基二极管,但为了提高效率,常用同步整流技术.
但用同步整流技术问题也很多,比如,体内寄生电容、电阻、电感等.在频率很高的时候,如500KHZ以上的时候,这些寄生的东西会是致命的.
请问各位大侠,在高频时,您如何处理这些问题???
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阿客东
LV.5
2
2005-02-10 21:56
各位,别只看,不发表意见呀.
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阿客东
LV.5
3
2005-02-11 18:21
给点意见呀
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阿客东
LV.5
4
2005-02-15 00:28
我顶!
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powerpower
LV.5
5
2005-02-15 18:35
@阿客东
我顶!
ding
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阿客东
LV.5
6
2005-02-16 22:16
@powerpower
ding
ding
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开膛手jack
LV.5
7
2005-02-16 23:51
@阿客东
ding
1、只能选Qg和CISS小的MOSFET了.
2、对驱动电路进行优化
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virginliu0915
LV.1
8
2005-02-17 11:02
可用用Si9122否,帶二次同步整流驅動輸出.
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glzhao
LV.6
9
2005-02-17 15:54
在频率很高的时候,如500KHZ的时候同样可以用同步整流,没发现有什末问题呀?
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阿客东
LV.5
10
2005-02-18 23:00
@glzhao
在频率很高的时候,如500KHZ的时候同样可以用同步整流,没发现有什末问题呀?
可是,从理论上说,高频的情况下,MOSFET的寄生参数对EMC影响很大,如果使用压降小、功耗小的肖特基,EMI将会大大提高.
同步整流只有在大电流、低电压(很多人都认为是20V以下)输出的情况下,才会大大提高效率.
glzhao兄,您是否在500KHZ以上的情况下使用过同步整流?如果使用过,能否告知您的效率(相比肖特基)?
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glzhao
LV.6
11
2005-02-19 08:54
@阿客东
可是,从理论上说,高频的情况下,MOSFET的寄生参数对EMC影响很大,如果使用压降小、功耗小的肖特基,EMI将会大大提高.同步整流只有在大电流、低电压(很多人都认为是20V以下)输出的情况下,才会大大提高效率.glzhao兄,您是否在500KHZ以上的情况下使用过同步整流?如果使用过,能否告知您的效率(相比肖特基)?
在500KHz是的效率3.3V是87
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低压大电流
LV.5
12
2005-02-19 14:36
@virginliu0915
可用用Si9122否,帶二次同步整流驅動輸出.
SI9122性能不是很好,不建议用
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阿客东
LV.5
13
2005-02-19 21:36
@glzhao
在500KHz是的效率3.3V是87
厉害!你如何做到的?
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