设计指标:
1、 输入电压:AC86~265V 50/60HZ
2、 输出电压:+—15V/1.5A +—5V/2A
3、 输出纹波:+—15V小于200mv +—5V小于100mv
4、 拓扑模式:反激
输出总功率:Po=30*1.5+10*2=65W
Pin=65/0.8=81.25
DC:Uin(min)=86*1.414=122V
Uin(max)=265*1.414=375v
输入平均电流:
Iin(min)= 81.25/375=0.22A
Iin(MAX)= 81.25/122=0.67A
峰值电流:IP=5.5*65/122=2.93A
磁芯为EER28-28
0.9359 Ap 82.10 Ae 114.00 Aw 2870.00 ( nH/N2 )AL 64.00 Le 5257.00 Ve 28.00 Wt 2.3 PCL 100kHz 200mT
初级电感最小值:
LPri= Uin(min).D/IPf=122*0.5/2.93*100000=208uH
一次绕组匝数:
NPri=1000*根号LPri/ AL =?怎样计算,可以这样计算吗,谢谢
Nsee= NPri(VO+VD)*(1-D)/ Uin(min)*D
希望能够指点一下小弟,提供一些比较简单的计算公式,谢谢!
D是占空比
