整流桥一般有三个参数比较重要,If(AV),Id,URRM,我想知道
If(AV),Id这两个参数代表什么意思,还有我如果设计一个200KW的电源,如何计算这两个参数,输入为AC380V
三相整流桥的参数计算
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@陈永真
留有3~10倍的电流裕量，这是MOTOLOLA在80年代给出的经验公式。
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ROHM确立了SiC元件的一条龙生产体系低驱动电压，高效率的SiC肖特基势垒二极管开始量产！
2010.05.10
半导体制造商ROHM株式会社（总部设在京都），最近开始了肖特基势垒二极管（SBD）“SCS110A系列”的量产，本系列产品采用了因低功耗、高耐压而有望成为下一代功率元件材料的 SiC（Silicon carbide：碳化硅）。“SCS110A系列”产品与其他公司已经量产的SiC-SBD相比，在正向电压和动作时阻抗等特性上有很大的改善，可以广泛应用于电动汽车/混合动力车等进行电源转换的变压器、转换器、PFC电路（功率因数校正电路）等领域和其他可能的领域。本系列新产品已在2010年4月下旬开始量产和销售，我们将视市场需求情况逐步扩大生产。生产基地定于晶圆在SiCrystal公司（德国埃尔兰根市）制造，前期工序在ROHM Apollo Device Co.,Ltd.（福冈县），后期工序在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰国）进行。
最近，在电力电子技术领域，电源转换时半导体元件所带来的功耗已成为一个问题，从环保角度出发，行业也在以进一步降低功耗为目标，不断进行材料特性比硅材料更优越的SiC功率元件的开发研究。在这种趋势下，2004年ROHM率先采用SiC成功试制出MOSFET产品，并成功试制出采用了SBD和这些元件的功率模块，在行业中首先推进了SiC元件/模块的研究和开发。SiC-SBD从2005年开始销售工程样品，结合客户的反馈，我们不断努力提高可靠性和改善生产性。此外，为了确保高品质的SiC晶圆，ROHM收购了德国SiCrystal公司，以建立SiC元件的一条龙生产体系。
本次开始量产的“SCS110A系列”产品的反向恢复时间（trr）是15nsec，与以往的硅材料快速恢复二极管（35nsec〜50nsec）相比大幅缩短，恢复过程中的损失减少到约三分之一。因此，变压器、转换器、PFC电路中如果采用本系列产品，可以大大降低损耗，从而减少发热量。此外，相比硅材料快速恢复二极管（FRD），由于其温度变化时的特性变化极小，散热片小型化等可望效果显著。另外，和以往的SiC-SBD相比较，具有反向恢复时间显著改善、芯片尺寸减小15％左右等优势。本系列产品的量产，解决了肖特基势垒的均一性、高温处理中形成不必要的高抗保护环层等SiC元件的课题，并且确立了一条龙生产体制。另外，本系列产品与已经量产的以往SiC-SBD产品相比，工作时阻抗更小、正向电压更低（VF = 1.5V（标称值）10A时），温度特性得到改善，实现了比以往产品都高的效率。
ROHM将SiC元件业务视为下一代半导体业务的核心技术之一，今后将继续推进SBD的进一步高耐压化，强化大电流产品阵容，扩展搭载MOSFET和 SiC元件的IPM（智能功率模块）等SiC相关产品阵容并实现量产化。
SiC肖特基势垒二极管“SCS110A系列” (PDF：768KB)
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■碳化硅快速恢复二极管和SiC-SBD的开关波形比較
| 品名 | VRM(V) | VR(V) | IO(A) | IFSM(A) | Tj(ºC) | Tstg(ºC) | VF (V) | IR (µA) | trr(nsec) | Conditions | typ. | IF(A) | Max. | VR(V) | typ. | SCS110A系列 | 600 | 600 | 10 | 40 | 150 | -55 to +150 | 1.5 | 10 | 2 | 600 | 15 | IF=10AVR=400Vdi/dt=-350A/µsec |
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