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求助:磁芯开气隙与垫气隙片有何区别?

要达到同样的电感量磁芯开气隙与垫气隙片有何区别?
请求高手指点,举例:比如说需要开0.5mm的气隙,但是垫气隙片却不是0.5mm,为什么?
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wwqwwq
LV.4
2
2008-04-25 16:55
看磁路具体怎么走?如:EE、EI等开气隙是垫气隙的2倍
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tj-zjh
LV.4
3
2008-04-25 16:55
之间的比例我通过实验倒是知道,只是对知识的探索....
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tj-zjh
LV.4
4
2008-04-25 16:57
@wwqwwq
看磁路具体怎么走?如:EE、EI等开气隙是垫气隙的2倍
谢谢,我只是想知道为什么.
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tj-zjh
LV.4
5
2008-04-25 17:18
@wwqwwq
我也想知道,谁会就说说吧,谢谢了
谢谢,我们一起期待吧....
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tj-zjh
LV.4
6
2008-04-25 17:58
@tj-zjh
谢谢,我们一起期待吧....
希望大家积极参与...谢谢
开气隙要优于垫气隙片,这样对PCB板周围的干扰会更小....
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pzdy
LV.6
7
2008-04-26 09:29
@tj-zjh
希望大家积极参与...谢谢开气隙要优于垫气隙片,这样对PCB板周围的干扰会更小....
此帖已被删除
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tj-zjh
LV.4
8
2008-04-26 09:34
@pzdy
此帖已被删除
谢谢....
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2008-04-26 13:15
@tj-zjh
谢谢....
其实垫纸片还有一个优点就是会比磨气息的效率要高点...
  但垫纸片的生产工时太慢了,不太适合生产..
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wwqwwq
LV.4
10
2008-04-26 15:09
@tj-zjh
之间的比例我通过实验倒是知道,只是对知识的探索....
我也想知道,谁会就说说吧,谢谢了
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贝多芬
LV.7
11
2008-05-01 15:10
@transformer1
其实垫纸片还有一个优点就是会比磨气息的效率要高点...  但垫纸片的生产工时太慢了,不太适合生产..
完全同意transformer1的意见,掂气隙的效率比中间蘑气隙的效率要高点.
但EMI比中间蘑气隙要差点,建议增加EMI屏蔽铜片
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transformer1
LV.10
12
2008-05-01 20:01
@贝多芬
完全同意transformer1的意见,掂气隙的效率比中间蘑气隙的效率要高点.但EMI比中间蘑气隙要差点,建议增加EMI屏蔽铜片
是哦!
  我们公司只要两边有垫气息的都会在成品外面搞一个屏蔽shielding !
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cafetea
LV.4
13
2008-06-03 13:21
假设气隙设计需要2mm,对于中柱磨气隙,磁力线穿过磁芯中柱再通过边柱闭合时,串在整个磁路中的气隙就是2mm.而对于边柱垫气隙,每个边柱只垫1mm(此时中柱也会自然出现1mm气隙),磁力线穿过中柱再通过边柱闭合时,串在整个磁路中的气隙仍是2mm,所以垫气隙比磨气隙要少一半.

垫气隙效率高,是因为气隙长度小,漏磁少,切割周围的线包损耗较小.但由于边柱垫气隙后,漏磁直接释放到周围空气中,对EMI不利.采用中柱磨气隙,气隙处的漏磁被线包全部包裹住,类似于天然屏蔽,所以EMI比垫气隙小,但也正因为漏磁紧靠线包,切割损耗较大,所以效率比垫气隙略低.
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transformer1
LV.10
14
2008-06-03 14:53
@cafetea
假设气隙设计需要2mm,对于中柱磨气隙,磁力线穿过磁芯中柱再通过边柱闭合时,串在整个磁路中的气隙就是2mm.而对于边柱垫气隙,每个边柱只垫1mm(此时中柱也会自然出现1mm气隙),磁力线穿过中柱再通过边柱闭合时,串在整个磁路中的气隙仍是2mm,所以垫气隙比磨气隙要少一半.垫气隙效率高,是因为气隙长度小,漏磁少,切割周围的线包损耗较小.但由于边柱垫气隙后,漏磁直接释放到周围空气中,对EMI不利.采用中柱磨气隙,气隙处的漏磁被线包全部包裹住,类似于天然屏蔽,所以EMI比垫气隙小,但也正因为漏磁紧靠线包,切割损耗较大,所以效率比垫气隙略低.
cafetea兄:
分析的很透澈!!!
頂...
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贝多芬
LV.7
15
2008-06-03 18:02
@cafetea
假设气隙设计需要2mm,对于中柱磨气隙,磁力线穿过磁芯中柱再通过边柱闭合时,串在整个磁路中的气隙就是2mm.而对于边柱垫气隙,每个边柱只垫1mm(此时中柱也会自然出现1mm气隙),磁力线穿过中柱再通过边柱闭合时,串在整个磁路中的气隙仍是2mm,所以垫气隙比磨气隙要少一半.垫气隙效率高,是因为气隙长度小,漏磁少,切割周围的线包损耗较小.但由于边柱垫气隙后,漏磁直接释放到周围空气中,对EMI不利.采用中柱磨气隙,气隙处的漏磁被线包全部包裹住,类似于天然屏蔽,所以EMI比垫气隙小,但也正因为漏磁紧靠线包,切割损耗较大,所以效率比垫气隙略低.
确实是这样,应该给cafetea兄加分
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transformer1
LV.10
16
2008-06-03 18:42
@贝多芬
确实是这样,应该给cafetea兄加分
我加不了, 只有給他好評咯..
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tj-zjh
LV.4
17
2008-06-06 13:24
@cafetea
假设气隙设计需要2mm,对于中柱磨气隙,磁力线穿过磁芯中柱再通过边柱闭合时,串在整个磁路中的气隙就是2mm.而对于边柱垫气隙,每个边柱只垫1mm(此时中柱也会自然出现1mm气隙),磁力线穿过中柱再通过边柱闭合时,串在整个磁路中的气隙仍是2mm,所以垫气隙比磨气隙要少一半.垫气隙效率高,是因为气隙长度小,漏磁少,切割周围的线包损耗较小.但由于边柱垫气隙后,漏磁直接释放到周围空气中,对EMI不利.采用中柱磨气隙,气隙处的漏磁被线包全部包裹住,类似于天然屏蔽,所以EMI比垫气隙小,但也正因为漏磁紧靠线包,切割损耗较大,所以效率比垫气隙略低.
说的很有道理,赞
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tonical
LV.2
18
2008-06-06 13:44
@cafetea
假设气隙设计需要2mm,对于中柱磨气隙,磁力线穿过磁芯中柱再通过边柱闭合时,串在整个磁路中的气隙就是2mm.而对于边柱垫气隙,每个边柱只垫1mm(此时中柱也会自然出现1mm气隙),磁力线穿过中柱再通过边柱闭合时,串在整个磁路中的气隙仍是2mm,所以垫气隙比磨气隙要少一半.垫气隙效率高,是因为气隙长度小,漏磁少,切割周围的线包损耗较小.但由于边柱垫气隙后,漏磁直接释放到周围空气中,对EMI不利.采用中柱磨气隙,气隙处的漏磁被线包全部包裹住,类似于天然屏蔽,所以EMI比垫气隙小,但也正因为漏磁紧靠线包,切割损耗较大,所以效率比垫气隙略低.
垫气隙时磁路上有两个气隙,每个气隙上只有约一半的磁动势(MMF),扩散磁通(fringing flux)峰值较小,气隙附近的线圈涡流损耗较小.带来的问题是生产不方便,垫的气隙可能因垫的材料受气温湿度影响而变化,而且气隙在外面产生的RFI也较大,当然处理的好也是没问题的.
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twtujtishg
LV.5
19
2008-06-19 18:19
@tonical
垫气隙时磁路上有两个气隙,每个气隙上只有约一半的磁动势(MMF),扩散磁通(fringingflux)峰值较小,气隙附近的线圈涡流损耗较小.带来的问题是生产不方便,垫的气隙可能因垫的材料受气温湿度影响而变化,而且气隙在外面产生的RFI也较大,当然处理的好也是没问题的.
学习
顶起
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transformer1
LV.10
20
2008-06-19 18:39
@twtujtishg
学习顶起
開氣隙這個問題的研究..
  福州大學的陳為博導有過很多文獻討論過..
其中有一篇就是<<功率電感器損耗分析與設計考慮----福州大學功率變換與磁技術研究室>>
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2008-06-19 21:40
@transformer1
開氣隙這個問題的研究..  福州大學的陳為博導有過很多文獻討論過..其中有一篇就是
有个问题,请大家帮忙.变压器带不起负载的原因都有哪些?输出电流小了怎样解决?输入电流小了怎样解决,输出电压小了怎样解决?输入电压小了怎样解决?对你们来说简单,可是对我来说就不简单啦.无奈!!!请大家帮忙
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2008-06-21 09:24
@wwqwwq
看磁路具体怎么走?如:EE、EI等开气隙是垫气隙的2倍
说的对,支持

我们也是这样计算的
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120421322
LV.6
23
2009-02-18 14:18
@lwj371809196
有个问题,请大家帮忙.变压器带不起负载的原因都有哪些?输出电流小了怎样解决?输入电流小了怎样解决,输出电压小了怎样解决?输入电压小了怎样解决?对你们来说简单,可是对我来说就不简单啦.无奈!!!请大家帮忙
带不起负载有可能是自身功率不够,或者辅助绕组的电压太低,不知道你的是个什么电路,对于我自己搞的东东,输出电流小了就是负载带不起,输入电流是跟着负载和输入电压的变化而变化的,输出电压小了的话可能是你的取样有问题,输入电压小去找供电局啊
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背影子
LV.6
24
2009-02-19 11:30
@lwj371809196
有个问题,请大家帮忙.变压器带不起负载的原因都有哪些?输出电流小了怎样解决?输入电流小了怎样解决,输出电压小了怎样解决?输入电压小了怎样解决?对你们来说简单,可是对我来说就不简单啦.无奈!!!请大家帮忙
到我的电源网博客http://jixiuxicicl.blog.dianyuan.com/,或我的个人网站http://xinxincicl.ik8.cn/去找,多得很.
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