要达到同样的电感量磁芯开气隙与垫气隙片有何区别?
请求高手指点,举例:比如说需要开0.5mm的气隙,但是垫气隙片却不是0.5mm,为什么?
求助:磁芯开气隙与垫气隙片有何区别?
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@cafetea
假设气隙设计需要2mm,对于中柱磨气隙,磁力线穿过磁芯中柱再通过边柱闭合时,串在整个磁路中的气隙就是2mm.而对于边柱垫气隙,每个边柱只垫1mm(此时中柱也会自然出现1mm气隙),磁力线穿过中柱再通过边柱闭合时,串在整个磁路中的气隙仍是2mm,所以垫气隙比磨气隙要少一半.垫气隙效率高,是因为气隙长度小,漏磁少,切割周围的线包损耗较小.但由于边柱垫气隙后,漏磁直接释放到周围空气中,对EMI不利.采用中柱磨气隙,气隙处的漏磁被线包全部包裹住,类似于天然屏蔽,所以EMI比垫气隙小,但也正因为漏磁紧靠线包,切割损耗较大,所以效率比垫气隙略低.
cafetea兄:
分析的很透澈!!!
頂...
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@cafetea
假设气隙设计需要2mm,对于中柱磨气隙,磁力线穿过磁芯中柱再通过边柱闭合时,串在整个磁路中的气隙就是2mm.而对于边柱垫气隙,每个边柱只垫1mm(此时中柱也会自然出现1mm气隙),磁力线穿过中柱再通过边柱闭合时,串在整个磁路中的气隙仍是2mm,所以垫气隙比磨气隙要少一半.垫气隙效率高,是因为气隙长度小,漏磁少,切割周围的线包损耗较小.但由于边柱垫气隙后,漏磁直接释放到周围空气中,对EMI不利.采用中柱磨气隙,气隙处的漏磁被线包全部包裹住,类似于天然屏蔽,所以EMI比垫气隙小,但也正因为漏磁紧靠线包,切割损耗较大,所以效率比垫气隙略低.
确实是这样,应该给cafetea兄加分
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@cafetea
假设气隙设计需要2mm,对于中柱磨气隙,磁力线穿过磁芯中柱再通过边柱闭合时,串在整个磁路中的气隙就是2mm.而对于边柱垫气隙,每个边柱只垫1mm(此时中柱也会自然出现1mm气隙),磁力线穿过中柱再通过边柱闭合时,串在整个磁路中的气隙仍是2mm,所以垫气隙比磨气隙要少一半.垫气隙效率高,是因为气隙长度小,漏磁少,切割周围的线包损耗较小.但由于边柱垫气隙后,漏磁直接释放到周围空气中,对EMI不利.采用中柱磨气隙,气隙处的漏磁被线包全部包裹住,类似于天然屏蔽,所以EMI比垫气隙小,但也正因为漏磁紧靠线包,切割损耗较大,所以效率比垫气隙略低.
说的很有道理,赞
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@cafetea
假设气隙设计需要2mm,对于中柱磨气隙,磁力线穿过磁芯中柱再通过边柱闭合时,串在整个磁路中的气隙就是2mm.而对于边柱垫气隙,每个边柱只垫1mm(此时中柱也会自然出现1mm气隙),磁力线穿过中柱再通过边柱闭合时,串在整个磁路中的气隙仍是2mm,所以垫气隙比磨气隙要少一半.垫气隙效率高,是因为气隙长度小,漏磁少,切割周围的线包损耗较小.但由于边柱垫气隙后,漏磁直接释放到周围空气中,对EMI不利.采用中柱磨气隙,气隙处的漏磁被线包全部包裹住,类似于天然屏蔽,所以EMI比垫气隙小,但也正因为漏磁紧靠线包,切割损耗较大,所以效率比垫气隙略低.
垫气隙时磁路上有两个气隙,每个气隙上只有约一半的磁动势(MMF),扩散磁通(fringing flux)峰值较小,气隙附近的线圈涡流损耗较小.带来的问题是生产不方便,垫的气隙可能因垫的材料受气温湿度影响而变化,而且气隙在外面产生的RFI也较大,当然处理的好也是没问题的.
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