1、第一个是关于 反激多路输出的.
我们知道,反激很适合来做多路输出,但实际上,它也是很难调试的.
例如:次级有两路输出,一路输出6v,一路输出120v,我们在计算变压器的时候,往往会设定这两路绕组匝比为 1:20,但实际调试时,这两路输出一般不会是1:20的关系,而且相差甚远.
遇到这种现象,一个土法子,就是在6v输出的后面,串联一个电感.这么做的理论依据就是:
反激多路绕组输出的电压,不是跟次级绕组匝比成正比关系,而是跟这两个次级的 漏感 成正比.
有哪位大虾,在实际中这么做过?上面的理论依据,是否有道理?
2、第2个是关于MOSFET的米勒效应的.
哪位能比较详细的讲讲米勒效应的成因,以及消除米勒效应的具体办法.
特别是在高电压输入的拓扑中,米勒效应的表现特别明显,会导致驱动不足.
