IGBT能否替换MOSFET

查一下电流电压以及工作频率,差不多就可以换

这两款管子参数是比较接近,它们的不同是驱动信号与工作频率

参数差不多,但是电路要适当微改,要不可能出现问题!!
只是个人观点

频率够就问题不大.一般IGBT的频率做的没有MOS高

如果工作频率在几十KHZ以下应该没有多大问题.若是在MHZ上就不行了

还要注意驱动电压的问题,IGBT要有负压的.

负压只是其中一个问题,而是IGBT的驱动电压比MOS管的驱动电压高些,MOS管的驱一般是12V,而IGBT的驱动电压是15V,其它的只要频率,电流等差不多的话就可以了!

说得对,IGBT正压一般15v左右,不超过20v,负压一般-5v

IGBT一般放在MOSFET后面由其驱动,可以放在MOSFET后面工作

MOSFET的驱动是12v吗,大多数不是5v就可以驱动吗

是不是我记错了,请赐教

现在MOSFET的驱动电压差异比较大,有比较先进的2.5V的

原来的也有12.6V,19.1V的等等

对于不同的MOSFET我们要查查其DATASHEET

非常正确,加十分,还有一点压降象可控硅导通时一样

谢谢,我不是很懂可控硅特性

是不是导通瞬间压降大,导通后压降就小了啊

场效应管导通时压降=内阻*电流,可控硅导通时无论电流大小压降都在1V左右

1、场效应管是电压控制元件,而晶体管的是电流控制元件.在只允许从信号源取较小电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,只允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.

2、场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电.被称为双极型器件.

3、有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.

4、场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.

5、三极管导通电阻大,场效应管导通电阻小,只有几百毫欧姆.

最重要是f

这里讲的是能否代换,讲那么高深干吗?我试验过IGBT在导通时不管电流大小都有0.4-1左右的压降,

IGBT关断时有拖尾电流,跑步机电机功率较小,电流也不太大,可以替换应急.
我曾经用相同的板子,相同的驱动电路分别用MSFET和IGBT做电机驱动,性能差不多

学习了,说的很全面

跑步机我没接触过,可能发热要大点,IGBT比交适合用在电压较高的场合,逆变器用IGBT效率低发热大

拖尾电流影响开关的快速性,功率小时电流较小,可以由MOSFET驱动电路驱动,功率较大时就要考虑关断时提供负几伏的充电电压,即使用专门的IGBT驱动

建议楼主还是先看看这个管子的手册,电压、电流、频率等是否差不多,还有注意看一下驱动电压是否也在一个可以接受的替换范围内

哥们,将MOSFET替代IGBT请注意以下几点:
1.只要开关频率有几十K,替代时频率应该不是大问题.
2.关键元参数:耐压和最大电流.一般来说IGBT能做到比MOSFET更大的功率,所以替代时应特别注意MOSFET的最大电流是否和IGBT的接近或更大.
  从这两个元件的规格上来看电流差不多,但耐压相差较大,所以你要分析一下实际工作的耐压是多少,最好不要超过400V(留个20%的安全余量)
3.这两种元件的驱动电阻也要注意,驱动电阻不同会使得尖峰电压不一样,替代后最好用示波器测一下反峰电压是否正常.

G40N150D,多少钱一只?
还有没有更高耐压的?

IGBT 的驱动电压比MOS管的驱动电压還要高些?!
IGBT 驅動要有负压,MOSFET本身可不要负压,但柵極電容要掃除吧?
三极管因有PN結擋道,导通电压下不去,场效应管导通电阻小,但负載加重就會變大.