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电源技术综合区
辐射问题请教
辐射问题请教
30到50M间超高,有什么办法?
此间应是Q管问题,我作了如下对策仍无效:
1.增大驱动电阻
2.VCC整流管采用满管
大家有什么好的建议说说!!!
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雪山无痕
LV.9
2
2008-06-13 08:33
没有EMC高手顶?
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雪山无痕
LV.9
3
2008-06-13 09:20
@雪山无痕
没有EMC高手顶?
51471213320034.pdf
辐射图
垂直方向上有问题,水平方向上没问题
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changlun
LV.7
4
2008-06-13 09:58
@雪山无痕
51471213320034.pdf辐射图垂直方向上有问题,水平方向上没问题
您都两颗星了,其他人还有啥好说的? 我做估您传导的高端留的余量很小.
另外,您这是单独电源还是说有其它的系统在一起?
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changlun
LV.7
5
2008-06-13 10:05
@雪山无痕
51471213320034.pdf辐射图垂直方向上有问题,水平方向上没问题
您只说辐射超标,没说电路的拓扑,如何下手?
我上回用单管反激时有碰到垂直超的,也是在40MHz,把Y电容装在高压电源端和低压地之间(就是PI推荐的方法)会比接在高压地与低压地之间好很多
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雪山无痕
LV.9
6
2008-06-13 10:11
@changlun
您都两颗星了,其他人还有啥好说的? 我做估您传导的高端留的余量很小.另外,您这是单独电源还是说有其它的系统在一起?
^_^!!!你看过天上的星星吗?
单电源,EMC是个复杂繁琐的货,没有很多次实践,你很难想的出来,谢谢你的参与!!!
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雪山无痕
LV.9
7
2008-06-13 10:13
@changlun
您只说辐射超标,没说电路的拓扑,如何下手?我上回用单管反激时有碰到垂直超的,也是在40MHz,把Y电容装在高压电源端和低压地之间(就是PI推荐的方法)会比接在高压地与低压地之间好很多
我是正激单管,对策了很多,但改善效果不大,呵呵
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雪山无痕
LV.9
8
2008-06-13 10:16
@雪山无痕
我是正激单管,对策了很多,但改善效果不大,呵呵
好的,扫过了我会把对策写出来供大家参考的
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ivan_cid
LV.4
9
2008-06-13 14:25
@雪山无痕
好的,扫过了我会把对策写出来供大家参考的
你输入端的Y电容调试一下了.
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雪山无痕
LV.9
10
2008-06-13 14:34
@ivan_cid
你输入端的Y电容调试一下了.
恩,可以考虑增大Y电容值,网上的多是夸夸其谈理论的人,实践的人很少啊!!!
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雨树淋风
LV.6
11
2008-06-13 16:00
@雪山无痕
恩,可以考虑增大Y电容值,网上的多是夸夸其谈理论的人,实践的人很少啊!!!
呵呵,晚上有机会聊聊,看能不能帮到你.QQ361121663
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changlun
LV.7
12
2008-06-13 18:18
@雪山无痕
恩,可以考虑增大Y电容值,网上的多是夸夸其谈理论的人,实践的人很少啊!!!
增大Y电容值是办法之一,但不知您的产品是属于Ⅰ类还是Ⅱ类?我都是做Ⅱ类的,为减少接触电流,不喜欢把Y加大的.
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雪山无痕
LV.9
13
2008-06-13 20:24
@changlun
增大Y电容值是办法之一,但不知您的产品是属于Ⅰ类还是Ⅱ类?我都是做Ⅱ类的,为减少接触电流,不喜欢把Y加大的.
是的,要考虑漏电流问题
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low-power
LV.3
14
2008-06-13 21:19
@雪山无痕
是的,要考虑漏电流问题
在MOS管的D-S并一个101K/2KV的电容也许会帮助.
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雪山无痕
LV.9
15
2008-06-13 21:23
@low-power
在MOS管的D-S并一个101K/2KV的电容也许会帮助.
这是一个好的对策
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mikesu
LV.5
16
2008-06-13 23:35
@雪山无痕
这是一个好的对策
如果在 D-S 併電容效果不錯...... 或許在 MOS 管的串個 Bead 會有用.
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雪山无痕
LV.9
17
2008-06-14 08:32
@mikesu
如果在D-S併電容效果不錯......或許在MOS管的串個Bead會有用.
有串BEAD
认为30到50M间辐射超高,
此间应是Q管问题请举手,呵呵!!!!
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changlun
LV.7
18
2008-06-14 08:58
@雪山无痕
我是正激单管,对策了很多,但改善效果不大,呵呵
您说对策了很多,可否列也来看看?要不大伙儿想过或用过的办法您可能都对策过了,咱们又review一遍也没啥意思
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changlun
LV.7
19
2008-06-14 09:03
@雪山无痕
有串BEAD认为30到50M间辐射超高,此间应是Q管问题请举手,呵呵!!!!
前阵子有个FAE跟我说过高频不通过的话,在初次间的Y电容两个印脚套BEAD有效果,咱是没试过,不知是否真有作用?
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changlun
LV.7
20
2008-06-14 09:12
@雪山无痕
这是一个好的对策
在MOS管的D-S并一个101K/2KV的电容是使管子退出截止的速度慢一点,从波形上可以看到其后沿没那么垂直,使高频分量不会聚中在某个点上.咱有个案子在做传导时,(9~10)MHz区间超标,有用这办法搞定.您这个...
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雪山无痕
LV.9
21
2008-06-14 09:15
@changlun
您说对策了很多,可否列也来看看?要不大伙儿想过或用过的办法您可能都对策过了,咱们又review一遍也没啥意思
1.增大驱动电阻
2.VCC整流管采用慢管
3.输出负载线加套磁环
4.输入G加磁环
5.初次级Y电容减小
6.输出DIOED调整RC加BEAD
7.去除初次级Y电容
等
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changlun
LV.7
22
2008-06-14 09:15
@雪山无痕
有串BEAD认为30到50M间辐射超高,此间应是Q管问题请举手,呵呵!!!!
眼光也不能只落在Q管上,次级整流管也会产生这么高的谐波
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雪山无痕
LV.9
23
2008-06-14 09:16
@changlun
前阵子有个FAE跟我说过高频不通过的话,在初次间的Y电容两个印脚套BEAD有效果,咱是没试过,不知是否真有作用?
加了BEAD,无效果
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changlun
LV.7
24
2008-06-14 09:23
@雪山无痕
1.增大驱动电阻2.VCC整流管采用慢管3.输出负载线加套磁环4.输入G加磁环5.初次级Y电容减小6.输出DIOED调整RC加BEAD7.去除初次级Y电容等
您说是正激单管,那应该是功率不小的产品.从五、七两项看,都是把Y电容减小,变压器采用哪能些措施了,不然何以这样做?
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changlun
LV.7
25
2008-06-14 09:26
@雪山无痕
加了BEAD,无效果
哈哈,这论坛简直成了咱俩的私人空间.
我就是估计效果不大,所以没试过.您这个是超了比较多,应该是多方面入手,不可能一个对策就搞定吧
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changlun
LV.7
26
2008-06-14 09:33
@雪山无痕
51471213320034.pdf辐射图垂直方向上有问题,水平方向上没问题
重新看了您发的辐射图,超标的中心点是35MHz,不是您说的(30~50)MHz ,您电源的主频是多少?
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雪山无痕
LV.9
27
2008-06-14 09:47
@changlun
您说是正激单管,那应该是功率不小的产品.从五、七两项看,都是把Y电容减小,变压器采用哪能些措施了,不然何以这样做?
功率不大,100W,变压器三明治绕法,内部加铜带屏蔽
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雪山无痕
LV.9
28
2008-06-14 09:48
@changlun
重新看了您发的辐射图,超标的中心点是35MHz,不是您说的(30~50)MHz,您电源的主频是多少?
66K
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雪山无痕
LV.9
29
2008-06-14 09:50
@changlun
哈哈,这论坛简直成了咱俩的私人空间.我就是估计效果不大,所以没试过.您这个是超了比较多,应该是多方面入手,不可能一个对策就搞定吧
不会改动很多,若Q管没问题,改动Y电容值,加BEAD等应该没问题
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半导体1
LV.5
30
2008-06-14 16:37
学习学习
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雪山无痕
LV.9
31
2008-06-16 22:30
@半导体1
学习学习
终于搞定,输入初级的Y电容调整后就OK了,有至少8DB的余量.
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