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MOSFET桥式电路的驱动电路设计

请问各位大虾:MOSFET桥式电路的驱动电路设计方法.由于桥式电路的元件不共地,为了简化驱动电路设计,考虑成本等问题,不希望采用隔离电源+信号隔离的方案,在器件供应商的资料中提到了采用一种专用芯片的设计方案,我没有试过,不知是否可行?
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xue007
LV.9
2
2005-03-05 22:21
就用变压器驱动吧,最简单
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izxm
LV.2
3
2005-03-06 10:23
我也在找简单易行的驱动方式.现在我这样做,望大家批评指正.MISO\MOSI\PB3\PB4是单片机的IO口
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/27/1110075735.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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hcl57
LV.4
4
2005-03-06 20:08
@izxm
我也在找简单易行的驱动方式.现在我这样做,望大家批评指正.MISO\MOSI\PB3\PB4是单片机的IO口[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/27/1110075735.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
在VDD较低、功率较小是可以的,当VDD较高、功率大就有麻烦,一方面要解决高压驱动问题,另一方面P沟道的功率MOS管不好找.
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hjjwb-power
LV.4
5
2005-03-06 20:40
IR公司有好几种MOS高压推动电路
IR211x 高达500V.
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philips
LV.8
6
2005-03-07 08:11
@izxm
我也在找简单易行的驱动方式.现在我这样做,望大家批评指正.MISO\MOSI\PB3\PB4是单片机的IO口[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/27/1110075735.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
低壓可以!高壓不行!
若是高壓要用自舉電路!
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yuanchuanyou
LV.1
7
2005-03-07 08:36
@izxm
我也在找简单易行的驱动方式.现在我这样做,望大家批评指正.MISO\MOSI\PB3\PB4是单片机的IO口[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/27/1110075735.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
这样做低压是可以的,但高压有较大的问题.用脉冲变压器是个很好的方案.
这个电路中的推挽三极管比较难选.
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wulx
LV.3
8
2005-03-07 08:43
@xue007
就用变压器驱动吧,最简单
变压器驱动有饱和问题,(当占空比100%时)
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wulx
LV.3
9
2005-03-07 08:44
@hjjwb-power
IR公司有好几种MOS高压推动电路IR211x高达500V.
不知能否用IR211X直接驱动桥式电路?
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cuke
LV.5
10
2005-03-07 09:06
@wulx
不知能否用IR211X直接驱动桥式电路?
可以,注意驱动电流就行.
必须说明一点P管的功耗较N管大(在相同面积下).
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wulx
LV.3
11
2005-03-07 16:02
@cuke
可以,注意驱动电流就行.必须说明一点P管的功耗较N管大(在相同面积下).
难道IR211x的两个引脚之间能承受500V的高压?
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st.you
LV.9
12
2005-03-07 16:08
@wulx
难道IR211x的两个引脚之间能承受500V的高压?
1110182884.pdf
路过,看看这个.
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wulx
LV.3
13
2005-03-07 16:33
@st.you
1110182884.pdf路过,看看这个.
这个资料我早已看过了,就是不知所给出的驱动方式能否直接实用?从给出的芯片原理图看在两路驱动信号之间没有采取隔离方案,这如何适应桥式电路上下桥臂的电位差?
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aladdin1001
LV.2
14
2005-03-07 17:43
@wulx
这个资料我早已看过了,就是不知所给出的驱动方式能否直接实用?从给出的芯片原理图看在两路驱动信号之间没有采取隔离方案,这如何适应桥式电路上下桥臂的电位差?
该驱动IC采用的自举升压电路(boot-strap),高端可以承受高达1200V的电压.IR2110可以耐受500V.
更多咨询,请发邮件至tac@irf.com
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aladdin1001
LV.2
15
2005-03-07 17:49
@wulx
这个资料我早已看过了,就是不知所给出的驱动方式能否直接实用?从给出的芯片原理图看在两路驱动信号之间没有采取隔离方案,这如何适应桥式电路上下桥臂的电位差?
该系列驱动产品的灌/源电流能力可以高达3A.说说你的操作频率和桥式开关器件的型号,我帮你选择合适的具体IC
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wugaopei
LV.1
16
2008-03-19 13:06
@aladdin1001
该系列驱动产品的灌/源电流能力可以高达3A.说说你的操作频率和桥式开关器件的型号,我帮你选择合适的具体IC
我现正急要,高达3A-4A的桥式IC能否帮我选择合适的IC!
谢谢!!
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cjy_21020638
LV.1
17
2013-03-08 10:38
@izxm
我也在找简单易行的驱动方式.现在我这样做,望大家批评指正.MISO\MOSI\PB3\PB4是单片机的IO口[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/27/1110075735.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">

请问一下， 由MOSFET组成的“互补对称”结构电路里， 端口M2B输出电流的能力是多大?

我认为，用桥式电路来驱动负载， 桥式电路里面的“上桥”和“下桥”的晶体管应该都为N channel, 具体可以参考一些IPM模块（如STK621）的内部结构

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