新人求解这两种RCD电路有什么区别？

完蛋了, 這帖這麼久沒人回.....

如圖:

上圖, 當開關ON 時, 電流流過變壓器同時也對C充電, 此時VC=VL, 當開關Off後, 變壓器產生一個-VL, 其極性與VC

相反, 因此透過D將兩個電荷抵銷, 使VC=0 , VL=0

另一個:

這兩種Snubber 上一接法不管開關ON或OFF都有損耗, 但其吸收效果非常好, 所以大多用在大功率電源上

下一接法其損耗較低, 但吸收效果略差, 通常用在小功率尤其需要空載損耗低的要求上.....

为什么说第一个的吸收效果好于第二个？

第一個, MOSFET_ON時, 電容就充電, 所以VC=VL

           MOSFET_OFF時, 變壓器原邊產生一個-VL, 所以電容是以二極體搭橋, 以VC-VL型態放電

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第二個當MOSFET_ON時, 電容不充電

         當MOSFET_OFF時, 電容才充電

         當MOSFET再次ON時, 電容RC放電常數必須小於Ton時間常數, 若RC放電常數大於Ton 

那麼電容由於沒有清空能量, 所以下一次OFF時吸收力就差.... 

明白了，谢谢！

您好!關於第一個分析的部分我有一個地方不太了解，就是開關off時，變壓器產生一個-VL，在圖上的極性為上-下+，Vc的極性為上+下-，這樣Vc透過二極體與VL相接時不應該是相加在一起嗎?為何是說抵銷呢?

麻煩您幫我解惑，謝謝!!