新人求解这两种RCD电路有什么区别？

这两个RCD吸收电路，为什么二极管与电容放的位置不一样啊，有什么区别吗?

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弈成

LV.1

2018-02-04 19:49

同求

juntion

2018-02-13 11:26

完蛋了, 這帖這麼久沒人回.....

如圖:

上圖, 當開關ON 時, 電流流過變壓器同時也對C充電, 此時VC=VL, 當開關Off後, 變壓器產生一個-VL, 其極性與VC

相反, 因此透過D將兩個電荷抵銷, 使VC=0 , VL=0

另一個:

當第一周其開關導通時, 電流只流過變壓器, 並不會對C充電, 當開關Off時, 變壓器產生一個-VL, 此時透過D為順向對C充得依個VC電壓, 當開關在次導通後, VC則藉由R對其放電直到VC=0

這兩種Snubber 上一接法不管開關ON或OFF都有損耗, 但其吸收效果非常好, 所以大多用在大功率電源上

下一接法其損耗較低, 但吸收效果略差, 通常用在小功率尤其需要空載損耗低的要求上.....

大伟电子

LV.2

2018-04-02 09:40

@juntion

完蛋了,這帖這麼久沒人回.....如圖:[图片]上圖,當開關ON時,電流流過變壓器同時也對C充電,此時VC=VL,當開關Off後,變壓器產生一個-VL,其極性與VC相反,因此透過D將兩個電荷抵銷,使VC=0,VL=0另一個:[图片]當第一周其開關導通時,電流只流過變壓器,並不會對C充電,當開關Off時,變壓器產生一個-VL,此時透過D為順向對C充得依個VC電壓,當開關在次導通後,VC則藉由R對其放電直到VC=0這兩種Snubber上一接法不管開關ON或OFF都有損耗,但其吸收效果非常好,所以大多用在大功率電源上下一接法其損耗較低,但吸收效果略差,通常用在小功率尤其需要空載損耗低的要求上.....

分析的太好了，学习了。

gaohq

LV.8

2018-04-02 10:39

@juntion

为什么说第一个的吸收效果好于第二个？

juntion

2018-04-02 12:36

@gaohq

为什么说第一个的吸收效果好于第二个？

第一個, MOSFET_ON時, 電容就充電, 所以VC=VL

MOSFET_OFF時, 變壓器原邊產生一個-VL, 所以電容是以二極體搭橋, 以VC-VL型態放電

=========================================================

第二個當MOSFET_ON時, 電容不充電

當MOSFET_OFF時, 電容才充電

當MOSFET再次ON時, 電容RC放電常數必須小於Ton時間常數, 若RC放電常數大於Ton

那麼電容由於沒有清空能量, 所以下一次OFF時吸收力就差....

gaohq

LV.8

2018-04-02 13:16

@juntion

第一個,MOSFET_ON時,電容就充電,所以VC=VL MOSFET_OFF時,變壓器原邊產生一個-VL,所以電容是以二極體搭橋,以VC-VL型態放電=========================================================第二個當MOSFET_ON時,電容不充電當MOSFET_OFF時,電容才充電當MOSFET再次ON時,電容RC放電常數必須小於Ton時間常數,若RC放電常數大於Ton 那麼電容由於沒有清空能量,所以下一次OFF時吸收力就差....

明白了，谢谢！

dy-z7zd25aV

LV.1

03-07 16:48

@juntion

您好!關於第一個分析的部分我有一個地方不太了解，就是開關off時，變壓器產生一個-VL，在圖上的極性為上-下+，Vc的極性為上+下-，這樣Vc透過二極體與VL相接時不應該是相加在一起嗎?為何是說抵銷呢?

麻煩您幫我解惑，謝謝!!

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