最近在一个96v转12V转换器（开关频率50KHZ）上测试了两款MOSFET 一款结电容比另外一款大一倍但是内阻小一倍，测试下来发现内阻小的竟然效率差，带载能力也没内阻大的那个强；本以为测试过程中出现纰漏，可是反复几次，多次查找，也没发现问题。看了一下示波器的波形，恍然大悟，这么小的占空比导通损耗肯定不占主导因素，于是用公式计算了一下与测试数据的趋势基本吻合（开关损耗果然大于导通损耗）。因此得出一个结论再设计和测试中，公式计算还是非常必要的。本来整理了一些MOSFET相关的计算公式，最近电源网似乎附件再不上去，过几天能正常添加了给大家共享一下。
