最近在做SiC MOS的驱动。想在GS极之间加两个反串的TVS做保护。
选型的时候看了好多也没弄懂TVS的这个几个参数。
我的理解是Vc是击穿后的最大钳位电压,这个值必须要小于我的安全电压。Vr是开始工作的电压,Vr之前都是截止的。那Vr到Vbr之间TVS工作在什么状态??
以及还是拿不准GS保护用ZD做还是用TVS做,用ZD总担心响应时间太长把GS击穿了。因为SiC MOS的DS耐压虽然特别高但是GS间就很脆,炸一个管子就是好几百。有没有什么简单的GS间保护方案?