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MOS管栅极电阻

MOS管栅极电阻
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flying123
LV.6
2
2018-04-12 09:13
沙发
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2018-04-12 10:43
是的,R51应该接在Q10的GS极间。因为GS间存在电容,起到放电作用,加速MOS管截止。
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2018-04-12 11:52

一般是放在后面,阻值选10k左右。

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2018-04-12 14:37

这样接是对的..... 谁说电阻一定要在G-S?

Mos闸极具有非常大的阻抗,当没有电阻下地而浮接时,㑹跟天线一样藕和杂讯,通常加电阻是为了推动级被开路,G极˙因为有阻抗因此稳定

以你这图为例,假设电阻移到G-S, 那驱动将被分压成一半,若你是3.3V驱动,那Mos将㑹推不动,而过大的电阻在高Noise场何是没用的,所以放前面是对的.... 

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sheng227
LV.2
6
2018-04-12 21:33
等高手回答!
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2018-04-13 08:04
@juntion
这样接是对的.....谁说电阻一定要在G-S?Mos闸极具有非常大的阻抗,当没有电阻下地而浮接时,㑹跟天线一样藕和杂讯,通常加电阻是为了推动级被开路,G极˙因为有阻抗因此稳定以你这图为例,假设电阻移到G-S,那驱动将被分压成一半,若你是3.3V驱动,那Mos将㑹推不动,而过大的电阻在高Noise场何是没用的,所以放前面是对的.... 
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2018-04-13 19:18
@sheng227
[图片][图片]等高手回答!

不用等,我就是高手....... 

Mos_G-S, 以前是没人在加电阻的,为何,一部份省零件,一部份是Mos爆炸那颗电阻也跟着挂,所以装没意义,有些人㑹人为是泄放电流,但你想想,装个10K电阻能起啥泄放作用?,光驱动泄放都比它强........ 

说了,Mos于G极有很大阻抗,且因为电场作用,很容易吸引杂讯,一但吸引杂讯㑹糟成D-S产生通道,若D-S电压足够,那么流过通道电流在通道阻抗乘积大于MOS可承受,则MOS便㑹挂掉,我们举个例子: PWM IC可以低电流起动,意谓在VCC-GND, OUT-GND都需高阻,才能在高压串联大阻值电阻达到低电流起动,那么问题来了,由于在未动作时,驱动断对MOS-G为高阻,虽然有一颗驱动电阻,但是还是高阻,因此,在上电初期当AC电压升高PWM起动,短时间没事,但是,当产线测试后放入萃盘,当大电容放电未完成时,MOS_G藕和杂讯,此时MOS就挂了,所以产线㑹觉得很奇怪,明明是测好的呀!?

所以设计上才需要用一个电阻让MOS电位固定,致于用10K与否,随你........ 

所以,那叫电位电阻,不叫泄放电阻..... 

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2018-04-16 09:14
@juntion
不用等,我就是高手....... Mos_G-S,以前是没人在加电阻的,为何,一部份省零件,一部份是Mos爆炸那颗电阻也跟着挂,所以装没意义,有些人㑹人为是泄放电流,但你想想,装个10K电阻能起啥泄放作用?,光驱动泄放都比它强........ 说了,Mos于G极有很大阻抗,且因为电场作用,很容易吸引杂讯,一但吸引杂讯㑹糟成D-S产生通道,若D-S电压足够,那么流过通道电流在通道阻抗乘积大于MOS可承受,则MOS便㑹挂掉,我们举个例子:PWMIC可以低电流起动,意谓在VCC-GND,OUT-GND都需高阻,才能在高压串联大阻值电阻达到低电流起动,那么问题来了,由于在未动作时,驱动断对MOS-G为高阻,虽然有一颗驱动电阻,但是还是高阻,因此,在上电初期当AC电压升高PWM起动,短时间没事,但是,当产线测试后放入萃盘,当大电容放电未完成时,MOS_G藕和杂讯,此时MOS就挂了,所以产线㑹觉得很奇怪,明明是测好的呀!?所以设计上才需要用一个电阻让MOS电位固定,致于用10K与否,随你........ 所以,那叫电位电阻,不叫泄放电阻..... 

博大精深

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