不用等，我就是高手.......
Mos_G-S, 以前是没人在加电阻的，为何，一部份省零件，一部份是Mos爆炸那颗电阻也跟着挂，所以装没意义，有些人㑹人为是泄放电流，但你想想，装个10K电阻能起啥泄放作用?，光驱动泄放都比它强........
说了，Mos于G极有很大阻抗，且因为电场作用，很容易吸引杂讯，一但吸引杂讯㑹糟成D-S产生通道，若D-S电压足够，那么流过通道电流在通道阻抗乘积大于MOS可承受，则MOS便㑹挂掉，我们举个例子: PWM IC可以低电流起动，意谓在VCC-GND, OUT-GND都需高阻，才能在高压串联大阻值电阻达到低电流起动，那么问题来了，由于在未动作时，驱动断对MOS-G为高阻，虽然有一颗驱动电阻，但是还是高阻，因此，在上电初期当AC电压升高PWM起动，短时间没事，但是，当产线测试后放入萃盘，当大电容放电未完成时，MOS_G藕和杂讯，此时MOS就挂了，所以产线㑹觉得很奇怪，明明是测好的呀!?
所以设计上才需要用一个电阻让MOS电位固定，致于用10K与否，随你........
所以，那叫电位电阻，不叫泄放电阻.....
