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想在单片机/MCU断电的时候还能运行几秒钟,此时用中断脚检测断电这一刻的动作。在MCU的VCC脚加一
QWE4562009
最新回复:03-20 17:44
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加密芯片/EEPROM损坏有哪些防护措施?
QWE4562009
最新回复:03-20 08:29
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断电检测电路(用于统计断电关机那一刻到下一次上电开机的总时间)
QWE4562009
最新回复:03-20 08:37
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波形参数测量1.疏波的电压峰峰值为 82.4V, 有效值为 21.5V, 频率约为 31Hz,
QWE4562009
最新回复:03-16 14:50
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这种分压电阻+比较器+模拟开关构成的过流保护检测电路相较于毫欧检流电阻Rsens+MCU ADC的有
QWE4562009
最新回复:03-14 14:40
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NPN+PNP构成的桥式变换电路
QWE4562009
最新回复:03-12 16:36
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电流波形用电流探头测试吗?有没有探头推荐一下?必须买原装的?
QWE4562009
最新回复:03-22 21:12
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选中bottomsolder层,为啥不在底层显示而背景是顶层?是哪里设置不对吗
QWE4562009
最新回复:03-01 16:47
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1.pcblayout多层板内层有些人用的是平面分割,有些人是直接画铜皮,想问下平面分割或者是直接画
QWE4562009
最新回复:02-28 17:30
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寻找可以用MCU输出PWM,控制升压芯片输出电压幅值的升压芯片,请帮忙推荐,目的是想要把单节锂电池4
QWE4562009
最新回复:02-23 17:39
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QWE4562009:
你好 张工 加了怎么就避免了上下管导通的问题了??
02-26 15:18 回复
原帖:这四个电阻的作用,加或不加各有什么效果
QWE4562009:
还是这里人才多啊
02-19 16:32 回复
原帖:同样是升压电路,MCU+MOS+电感这个方式和升压芯片+MOS+电感这个方式,有哪些优缺点和异同点?
QWE4562009:
类似这样的电路 你有更好的推荐不
2023-12-09 09:48 回复
原帖:用栅极驱动器驱动MOS,MOS发热严重,表面测量温度达到90℃以上。这种情况可以从哪些角度去改善?
QWE4562009:
做不到ns级上升下降沿,需要专用的驱动芯片-----这个纳秒是怎么衡量出来的
2023-12-09 09:25 回复
原帖:用栅极驱动器驱动MOS,MOS发热严重,表面测量温度达到90℃以上。这种情况可以从哪些角度去改善?
QWE4562009:
另外为啥频率高的时候需要的驱动功率要更大呢?本身电压幅度是没有升高的啊
2023-12-09 09:24 回复
原帖:用栅极驱动器驱动MOS,MOS发热严重,表面测量温度达到90℃以上。这种情况可以从哪些角度去改善?
QWE4562009:
你好 张工 我用的是MCU控制栅极驱动器
2023-12-09 09:23 回复
原帖:用栅极驱动器驱动MOS,MOS发热严重,表面测量温度达到90℃以上。这种情况可以从哪些角度去改善?
QWE4562009:
你好 非常感谢你是做电源的对吧
2023-11-28 15:53 回复
原帖:3843反馈电阻计算
QWE4562009:
这个谁来解答一下哈
2023-11-18 21:20 回复
原帖:RF输入信号是56V Vpp 1.7M的正弦波 经过这个整形电路之后,出来CUR_DET是什么信
QWE4562009:
这个谁来指导一下 是什么原因
2023-11-14 11:15 回复
原帖:远近光功能切换电路--------给近光上电时,只会亮近光灯,输出电流为1A;给远光灯上电时,远近光
QWE4562009:
有没有人用过9851的
2023-11-11 22:40 回复
原帖:MCU给AD9851信号使能不了9851,是什么原因?你有没有遇到过?看了时钟、数据、使能、复位时序
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