用栅极驱动器驱动MOS,MOS发热严重，表面测量温度达到90℃以上。这种情况可以从哪些角度去改善？
RF+需要输出1.7M 峰峰值200V的正弦波信号驱动压电陶瓷换能器
1.从硬件的角度，MOS的驱动要考虑MOS的驱动电平、内阻、栅极电容、驱动波形是否陡峭？还可以从哪些角度进行改善？内阻和栅极电容是选型的问题。那驱动电平和驱动波形是电路设计的问题。这个MOS用5V方波驱动是没有问题的吧！怎么使得驱动波形更接近方波而不会发生波形的失真呢？以上这些是否可以改善温升的问题？
2.从嵌入式角度，栅极驱动器是经过DDS给信号的，DDS是经过MCU控制的，因此嵌入式可以从哪些角度进行温升的改善？
3.从结构的角度，进行通风孔对流、散热片导热到外壳、加微型高速的风扇，或者加铜管、液冷？除了这些还可以进行怎样的处理？MOS规格书：chrome-extension://ibllepbpahcoppkjjllbabhnigcbffpi/https://atta.szlcsc.com/upload/public/pdf/source/20171123/C114889_15114107965411137412.pdf
