这个不算什么，很正常，但仿真只能参考，是完全理想的状态，是不作数的，实际的元件完全没有仿真时那么理想的工况，功率元件在大电流时表现非常糟糕。

这种情况能工作到2KW就很了不起了

输入要做保护的，避免输入电平低于-0.3V，不然比较器对负电压不能识别，就会输出高电平

保护电路很灵敏啊，是饱和了，变压器的气隙不够，或者磁芯规格太小了

非常困难，在做相关的项目，难度怀疑人生

算错啦，电感值按照100uH取值，电容量按照1uF就很可以了你的那个参数是无法工作的，最简单的理解是，1uH的电感值太小了是无法存储和传递能量的

这个数据很有意义，验证了反激电压的威力。小功率的反激，可以用缓冲电容吸收掉，超过200W的功率，吸收电路就很难处理了

全桥的波形其实很复杂，不同的工作区间有不同特性，最关键的是IGBT开通时，一定要零电流开，当然最好的工况是零电流开零电流关，不过控制还是挺复杂的，要反复摸索图上的状态是安全状态，但全桥工作过程中随负载变化，工作状态会漂移，不会一直安全，需要做相应调整，很难说的清，需要反复仿真，用MCU控制，专用芯片不会做这么细致

不要坚，属于自由振荡，谐振电感在上下管同时关闭后短暂续流，一般不会有问题

这种尖峰要看是在MOS开通前还是开通后，如果MOS管开通瞬间出现尖峰，说明吸收电容太大了，或者杂散电容太高。如果是MOS关断时出现尖峰，说明没有吸收电容，或吸收电容容量不够。不过这种尖峰往往是MOS管关断时产生的，加入吸收电容能降低尖峰，但也会带来新的问题，比如开通冲击电流等等