关于MOS管内阻大小问题

沙发           

这事不能都怪在内阻身上吧。

这个貌似是设计本身的问题

你们的工程师跑线上焊板去了啊？

上传两个MOS的规格书或是型号先

原则上与MOS自身关系不大

同意，两个不相关的事

雷击性能有问题，生产炸机与设计有关

不能单独看MOS管导通内阻，不同内阻其他参数也是不同的，比如MOS寄生电容等，这是有可能导致的原因，还有与变压器、PCB寄生参数匹配等；从你描述来看，主要还是从设计上来找原因吧；

一般同厂家的同系列的MOS管，耐压一样，内阻越小芯片尺寸越大，抗雪崩能力越强。1.1欧姆的打雷击可以过可能是芯片尺寸较大这个原因。

而实际工作时1.1欧会炸机，可能是内阻低，QG就高了，导致开关损耗大，发热大，最后过热炸机。

我是做MOS的。  希望能帮到你。