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INN2214-2215的同步整流足可以提高效率

        小功率的反激电源平常效率不会超过85%,大概在83%的样子。因为INN2214-2215器件有同步整流功能,自己能够对次级侧同步整流MOSFET及初级侧MOSFET的开关进行精确控制。这样可增强系统可靠性提高整个负载范围内的效率,并实现小于10 mW的空 载功耗。

        InnoSwitch已经将初级和次级控制器以及输出的检测元件集成到了,可极大简化低压大电流电源的开发和制造,尤其是那些采用紧凑外壳或需要满足高效率要求的电源。它的初级和次级在芯片内部是完全隔离的,也就是变压器两端是隔离的不用在加光耦了。

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2018-09-12 12:52
这样不用再一次用隔离挺好的,效率才是关键,不知可否再提高一些效率
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x1995418
LV.8
3
2018-09-13 09:50
@shakencity
这样不用再一次用隔离挺好的,效率才是关键,不知可否再提高一些效率
这个是隔离电源吧。InnoSwitch3-CP效率达94%
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x34242980
LV.9
4
2018-09-14 15:02
不在需要外部的光耦来隔离信号,初级控制和次级控制器通过磁感耦合电路控制电路。
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2018-09-15 20:02
@shakencity
这样不用再一次用隔离挺好的,效率才是关键,不知可否再提高一些效率
已经将初级和次级控制器以及输出的检测元件集成了
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2018-09-15 20:30
@x34242980
不在需要外部的光耦来隔离信号,初级控制和次级控制器通过磁感耦合电路控制电路。
 InnoSwitch已经将初级和次级控制器以及输出的检测元件集成了
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2018-09-17 12:20
InnoSwitch系列将一系列的功能元件集成起来,在电路设计上显得简洁可靠,不错
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x1995418
LV.8
8
2018-09-20 14:26
@shakencity
InnoSwitch系列将一系列的功能元件集成起来,在电路设计上显得简洁可靠,不错
InnoSwitch IC都集成了初级MOSFET、初级侧控制器、用于同步整流的次级侧控制器以及可省去光耦器的创新性的FluxLink™技术。
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2018-09-21 15:16
@x1995418
这个是隔离电源吧。InnoSwitch3-CP效率达94%
同步整流的效率可能会稍微高一些,能不能达到94%就不知道了。
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a2512848524
LV.8
10
2018-09-21 15:44
@原来会员名可以很长的
已经将初级和次级控制器以及输出的检测元件集成了。
   对次级侧同步整流MOSFET及初级侧MOSFET的开关进行精确控制
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a2512848524
LV.8
11
2018-09-21 15:54
@红枣加桂圆补气又养颜
 InnoSwitch已经将初级和次级控制器以及输出的检测元件集成了
可极大简化低压大电流电源的开发和制造,可以做成小充电器了。
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a2512848524
LV.8
12
2018-09-21 15:59
@x1995418
InnoSwitchIC都集成了初级MOSFET、初级侧控制器、用于同步整流的次级侧控制器以及可省去光耦器的创新性的FluxLink™技术。
可靠性提高整个负载范围内的效率,并实现小于10 mW的空 载功耗。
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wyhl
LV.8
13
2018-10-02 12:33
@x1995418
这个是隔离电源吧。InnoSwitch3-CP效率达94%
这个是隔离电源,Innoswitch芯片内部就完成了。效率比较高。
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wyhl
LV.8
14
2018-10-02 12:34
@x34242980
不在需要外部的光耦来隔离信号,初级控制和次级控制器通过磁感耦合电路控制电路。
光耦元件时间长了带来不稳定性。这个FluxLink技术解决了这个问题。
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wyhl
LV.8
15
2018-10-02 12:35
@wyhl
光耦元件时间长了带来不稳定性。这个FluxLink技术解决了这个问题。
光耦元件也占地方,这一个芯片解决隔离,同步整流,外部MOSFET的设计问题。
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紫蝶
LV.9
16
2018-10-06 20:22
@x1995418
InnoSwitchIC都集成了初级MOSFET、初级侧控制器、用于同步整流的次级侧控制器以及可省去光耦器的创新性的FluxLink™技术。

磁通信隔离技术集成在芯片内部,这个很棒。输出电流大、精度高。

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tabing_dt
LV.10
17
2018-10-09 13:07
@a2512848524
同步整流的效率可能会稍微高一些,能不能达到94%就不知道了。
全负载范围可以做到94%的效率,还是某个特定条件下测量到的效率?
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tabing_dt
LV.10
18
2018-10-09 13:08
@wyhl
这个是隔离电源,Innoswitch芯片内部就完成了。效率比较高。
Innoswitch是用磁感耦合来进行跨越初级侧和次级侧的通信的。
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tabing_dt
LV.10
19
2018-10-09 13:11
@a2512848524
可靠性提高整个负载范围内的效率,并实现小于10mW的空载功耗。
InnoSwitch空载功耗小于10 mW,InnoSwitch3空载功耗会比较大点,小于30 mW
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2018-10-09 22:17
@wyhl
光耦元件时间长了带来不稳定性。这个FluxLink技术解决了这个问题。
FluxLink™通信技术无需使用任何磁芯材料即可在安规隔离带之间进行反馈控制。
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cmdz002
LV.5
21
2022-04-22 19:55

芯片集成了次级侧同步整流MOSFET以及初级侧MOSFET ,设计变得更简单了

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