输入: AC90~240、50HZ
输出: +、-15V,1A,纹波小于75mv
+、-5V, 1A,纹波小于25mv
电路拓扑:反激
设计估算:
1、 总的输出:Po=15*2+5*2=40W
2、 估计输入功率:Pin=总功率/效率=40W/0.8=50W
3、 直流输入电压:Vin(min)=90*1.414=127V
Vin(max)=240*1.414=340V
4、 平均输入电流:最大平均电流:Iin(max)=50/127=0.4A
最小平均电流: Iin(min)=50/340=0.15A
5、 估算峰值电流:Ipk=5.5*总功率/最小输入电压=5.5*40/127=1.74A
6、 散热:效率为0.8,那么损耗占0.2即40*0.2=8W
损耗中,整流占0.6,MOSFET占0.35则有:
PD(+-15V)=15/40*0.6*8=1.8W
PD(+-5V)=5/40*0.6*8=0.6W
PD(MOS)=0.35*8=2.8W
设计考虑:
选用电流控制器UC3842AN,工作频率100K,磁芯选用PC40EER28L,
骨架选用:
1、 一次侧电感值:Lpri= Vin(min)*最大占空比/ Ipk*f=127*0.5/1.74*100000=365uH
2、Igap=0.4*3.14* Lpri* Ipk*108/Ae*B max2 =0.4*3.14*0.000365*1.74*108 /0.821cm2 *2000G2
=0.038cm=15mil
2、 一次绕组所需的最大匝数:取有气隙的电感量为315nH/N2 ,那么它一千匝的电感量为315mH
Npri =1000* Lpri /Al1/2 =1000*(0.356/3151/2 ) =37T
3、+5V输出的绕组数:Nsee = Npri * (Vo+Vd)*(1-最大占空比)/ Vin(min)*最大占空比
=37*(5+0.5)*0.5/127*0.5=1.6≈2T
4、其他绕组数:Nsee2 = Nsee*(Vo2+Vd2)/Vo1+Vd1= 2* 2*15.9/5.5=5.78≈6T
5、辅助绕组数:2*15/5=6T 注:辅助电压为15V
