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◆RM6312D是一种离线式开关电源管理芯片，内置高压MOSFET及电流模式PWM+PFM控制器，满足六级能效标准。
◆RM6312D采用低电流启动模式，最低工作电流可过到600uA，减少待机损耗。芯片内置多种工作模式，在轻载情况下，芯片进入 Burst mode 模式，消除变压器的音频噪音，提高转换效率；在待机模式下，电路进入打嗝模式，有效降低电路的待机功耗。内部集成斜坡补偿模块，在 90V-264V 输入时有效的补偿输出功率，保证输出功率的恒定。
◆芯片内部集成多种异常状态保护功能，包括欠压锁定，过压保护，过载保护，CS过流和悬空保护，过温保护功能。在电路发生异常时，芯片进入保护状态并自动重启检测，直至异常解除为止，输出正常。
◆RM6312D采用DIP-8封装。
一，方案原理图
二，DEMO图，板尺寸：50mm×30mm
三：基本性能测试
四：能效测试
