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电容放电电流控制电路,征求意见!

本人设计一个控制电容放电电流的电路,如下图所示,征求坛内高手多提宝宝意见!

    谢谢!

该电路主要用于电容大电流放电控制。

自己感觉取样电阻Rs的功率有点大!可考虑霍尔电流传感器。但带来电路复杂度提高!

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jianyedin
LV.9
2
2018-12-06 15:51
用运放放大电流信号
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hx010
LV.2
3
2018-12-06 16:09
@jianyedin
用运放放大电流信号

谢谢二楼师长的回复!

     用运放能降低Rs的阻值,但电路要求运放反应时间快,快速反应的运放在我等业余条件下,不好找,不便做试验。

    

     顺便说明:上面的电路在电位器阻值=0时,控制70A的放电电流。

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ta7698
LV.9
4
2018-12-07 08:00
放电电流靠Rs和Q1控制,原理上是可以的但实际上Rs和Q1受温度影响太大,只能弄来玩玩。
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hx010
LV.2
5
2018-12-07 08:47
@ta7698
放电电流靠Rs和Q1控制,原理上是可以的但实际上Rs和Q1受温度影响太大,只能弄来玩玩。

谢谢ta7698军长的回复!

   考虑取样电阻为10毫欧时,功耗近50W,有点太大!

   经过思考后考虑,Rs用1毫欧取样电阻,在Rs上端接一LM339比较器,MOS用IRF1405,只是不知道的问题有:

      ① 339的反应速度能否满足MOS的要求?

      ② 339对几毫伏的电压变化能否分辨出来?

      ③  为简化电路,比较器仍用左边的电源供电,假设左边电源电压为3.6—4.2伏,不知是否可行?

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ta7698
LV.9
6
2018-12-07 08:55
@hx010
谢谢ta7698军长的回复!  考虑取样电阻为10毫欧时,功耗近50W,有点太大!  经过思考后考虑,Rs用1毫欧取样电阻,在Rs上端接一LM339比较器,MOS用IRF1405,只是不知道的问题有:   ① 339的反应速度能否满足MOS的要求?   ② 339对几毫伏的电压变化能否分辨出来?   ③ 为简化电路,比较器仍用左边的电源供电,假设左边电源电压为3.6—4.2伏,不知是否可行?
4V电压开通MOS有点悬!
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hx010
LV.2
7
2018-12-07 09:03
@ta7698
4V电压开通MOS有点悬!
听取ta7698军长的意见。将左边电源改为二节或三节锂电供电的电压,但还有两个问题未得求证!
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2018-12-07 09:36
@hx010
听取ta7698军长的意见。将左边电源改为二节或三节锂电供电的电压,但还有两个问题未得求证!

增加两个电阻为三极管提供一个偏置电流可以减小采样电阻Rs,单用用三极管和MOS管搭电路精度不会太高(或许这个电路对精度没要求?)

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hx010
LV.2
9
2018-12-07 10:08
@boy59
[图片]增加两个电阻为三极管提供一个偏置电流可以减小采样电阻Rs,单用用三极管和MOS管搭电路精度不会太高(或许这个电路对精度没要求?)

谢谢boy59的回复!

  这个办法好!

    这个方法通过改变新两个电阻的大小,可以让Q1在截止与放大区之间转换,会不会也使MOS处于放大工作状态?有点担心MOS在放大区时的功耗。

     我的目的是使MOS在超过设定电流时断开;没有过流时,MOS全部开通。

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2018-12-07 11:49
@hx010
谢谢boy59的回复! 这个办法好![图片][图片]。  这个方法通过改变新两个电阻的大小,可以让Q1在截止与放大区之间转换,会不会也使MOS处于放大工作状态?有点担心MOS在放大区时的功耗。   我的目的是使MOS在超过设定电流时断开;没有过流时,MOS全部开通。

就是让MOS管工作于放大区实现恒流放电,你这个属于损耗性放电,不在MOS管上发热就在电阻RL上发热,散热器是少不了的了……

按你的目的用比较器实现是最理想的,关断动作会非常的精准和干脆,不过这样一来70A限流就只能通过电阻RL来实现,既然RL的阻值可以满足限流了那么是否还有电流超过70A的可能?

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hx010
LV.2
11
2018-12-07 15:14
@boy59
就是让MOS管工作于放大区实现恒流放电,你这个属于损耗性放电,不在MOS管上发热就在电阻RL上发热,散热器是少不了的了……按你的目的用比较器实现是最理想的,关断动作会非常的精准和干脆,不过这样一来70A限流就只能通过电阻RL来实现,既然RL的阻值可以满足限流了那么是否还有电流超过70A的可能?

谢谢boy59 

    RL是负载,电流大小不确定,但总来说负载RL需要较大电流几十至几百安,但这个电流也需要控制,一是不能超过MOS的额定电流;二是RL电流也需要分档控制。

     就是不知道用比较器339控制,其反应速度能否满足MOS的要求?再者就是:339对几毫伏的电压变化能否分辨出来?

     

     从这个参数上看,只用一个1405不能满足对几百安电流控制,一只1405用在100A以内可以,另外左边的电源电压4.0V也有点偏低!

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2018-12-07 16:10
@hx010
谢谢boy59 [图片]  RL是负载,电流大小不确定,但总来说负载RL需要较大电流几十至几百安,但这个电流也需要控制,一是不能超过MOS的额定电流;二是RL电流也需要分档控制。   就是不知道用比较器339控制,其反应速度能否满足MOS的要求?再者就是:339对几毫伏的电压变化能否分辨出来?   [图片]   从这个参数上看,只用一个1405不能满足对几百安电流控制,一只1405用在100A以内可以,另外左边的电源电压4.0V也有点偏低!

339比较器最小可以分辨出2mV左右的输入电压,LM339D还有LM339APWR好像切换时间是300nS,具体可以自己搜一下。

另外比较器要设计成滞回比较器,不然在极限电流处会震荡个不停……

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hx010
LV.2
13
2018-12-07 16:23
@boy59
339比较器最小可以分辨出2mV左右的输入电压,LM339D还有LM339APWR好像切换时间是300nS,具体可以自己搜一下。另外比较器要设计成滞回比较器,不然在极限电流处会震荡个不停……

谢谢boy59 

   

谢谢 boy59的提醒!

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