Ciss：输入电容。Ciss=Cgd+Cgs
Coss：输出电容。Coss=Cds+Cgd
Crss：反向传输电容。Crss=Cgd
Test Condition：Vgs=0，VDS=10V、15V、25V，f=1MHz
MOSFET是电压型驱动器件，驱动的过程就是栅极电压的建立过程，这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的。
Qg：栅极总充电电量。
Qgs：栅源充电电量。
Qgd：栅源充电电量。
Test Condition：Vdd=80%RatedVds，ID=RatedID,Vgs=4.5V或10V，Rg=10Ω
开关时间（Switching Time）
Td（on）：导通延迟时间
Tr：上升时间
Td（off）：关断延迟时间
Tf：下降时间
Test Condition：Vdd=1/2RatedVds，ID=1/2RatedID,Vgs=4.5V或10V，Rg=4.7Ω
Vsd：寄生二极管正向导通电压
Trr：二极管反向恢复时间
二极管可视为一种电容，积累的电荷Qrr完全放掉需要时间为Trr。
