gfs是在MOSFET中得增益。它可以表达为以下等式和用栅源偏置电压的变化量表示漏极电流的变化量。
gfs = [ΔIds / ΔVgs]Vds
Vds应该被设定以使器件工作在饱和区。Vgs应该被供电以使Ids变为最大额定电流的二分之一。gfs的变化取决于沟道的宽度/长度,和栅极氧化层的厚度。如图15所示，在提供Vgs（th）后，gfs随着漏极电流增加而动态增加，在漏极电流到达一个特定点（在较高的漏电流值）后它变为一个恒定值。如果gfs足够高，可以从低栅极驱动电压获得高的电流处理能力，也可能获得一个高的频率响应。
温度特性：
由于流动性的减小，gfs随着温度的增加而降低。从下等式我们可以知道gfs随温度改变而改变，这个等式与Rds（on）和温度关系的等式类似。 gfs(T) = gfs(25°C) （T/300）e–2.3
T：绝对温度值
