【40W准谐振反激电源】+波形测试分析讨论

不错，楼主有测试板原理图吗？

带载测试   CH1测试C1两端电压，CH2输入电流波形    由图可见母线电压的波动频率为100Hz 波动值为18V

为了方便测试MOSFET的驱动波形和Vds波形，在PCB反面引脚上焊接测试针。如下图所示：

空载输出时测试驱动波形Vgs波形和输出电压交流分量，可见间歇驱动模式：

展开轻载状态的驱动波形：

上述波形可知测试驱动频率52kHZ

空载时脉冲簇

空载时驱动波形和Vds波形：

右上图可见VDS电压CH4在谷底时驱动信号开始上升，满足准谐振的过程。降低开关管道同时刻的VDS电压，来减小开通损耗。

下面是带载时驱动波形和Vds波形：

Vds电压从432V跌落到176V后开关管导通。从驱动信号上升到开关管完全导通时间约100ns。

今天测试了负载变化时驱动波形的变化情况：

上图为负载1.89A时 MOSFET的DS电压波形

上图为负载1.53A时 MOSFET的DS电压波形

上图为负载1.29A时 MOSFET的DS电压波形

上图为负载1.1A时 MOSFET的DS电压波形

上图为负载0.94A时 MOSFET的DS电压波形

上图为负载0.83A时 MOSFET的DS电压波形

上图为负载0.1A时 MOSFET的DS电压波形

负载电流小于0.83A以下波形相近,驱动信号的上升沿之前有6个波峰。

之前测试都是在上一位工程师的基础上，使用MOS我用的nce80t420f的OSFET见

http://www.dianyuan.com/bbs/2453833.html?tdsourcetag=s_pcqq_aiomsg

下面更换为原装英飞凌的IPA95R450P7测试正常，驱动波形如下。

为了测试方便，新焊接MOSFET引脚未剪短，可用示波器探头测试用。

上图输出电压测试18.9V  负载0.2A时 MOSFET 的Vds（CH3）和Vgs（CH4）波形

上图输出电压测试18.9V  负载0.31A时 MOSFET 的Vds（CH3）和Vgs（CH4）波形

上图输出电压测试18.9V  负载0.41A时 MOSFET 的Vds（CH3）和Vgs（CH4）波形

上图输出电压测试18.9V  负载0.5A时 MOSFET 的Vds（CH3）和Vgs（CH4）波形

上图输出电压测试18.9V  负载0.62A时 MOSFET 的Vds（CH3）和Vgs（CH4）波形

上图输出电压测试18.9V  负载0.72A时 MOSFET 的Vds（CH3）和Vgs（CH4）波形

上图输出电压测试18.9V  负载0.83A时 MOSFET 的Vds（CH3）和Vgs（CH4）波形

上图输出电压测试18.9V  负载1.01A时 MOSFET 的Vds（CH3）和Vgs（CH4）波形

上图输出电压测试18.9V  负载1.31A时 MOSFET 的Vds（CH3）和Vgs（CH4）波形

上图输出电压测试18.9V  负载1.41A时 MOSFET 的Vds（CH3）和Vgs（CH4）波形

上图输出电压测试18.9V  负载1.59A时 MOSFET 的Vds（CH3）和Vgs（CH4）波形

上图输出电压测试18.9V  负载1.9A时 MOSFET 的Vds（CH3）和Vgs（CH4）波形

上图输出电压测试18.9V  负载2.13A时 MOSFET 的Vds（CH3）和Vgs（CH4）波形

MOS的吸收二极管换成1n4007（或M7）试一下，开关波形会好很多

1N4007（M7）普通整流二极管。。能够做吸收二级管吗？

RCD吸收二级管需要高速的，你别误导人家！！！

RCD吸收二极管用M7会改善米勒平台的震荡；同时对EMI有好处。关于二极管的温度，调整RC阻值容量就可以了（在合理的尖峰电压范围内调整）

把功率管换成1500V的，再把变压器的匝数增加，是不是就能用于500V直流输入电压的？三项交流整流后的电压。