最近在做一个电磁加热项目,采用半桥串联谐振电路,但是在做低压测试的时候,出了如下波形,还请各位大神帮我分析一下!!
这个是电路图
这个是上桥臂的IGBT的波形图,蓝色是驱动波形,黄色是CE两端波形
这是放大后的波形!
现在的问题是:
1,负电压方向的尖峰是不是在下桥臂关断后形成的?
2,驱动电压为高电平时,IGBT应该完全导通了,为什么CE的电压会小于0?
开通前必须要是负压的,这是谐振正常的表现,是谐振周期完成后的电流续流,只有脉冲开启瞬间存在负向电流,并且只有这样才是安全的。
但是,也因为存在负向电压,说明谐振周期没有充分完成,功率并没有达到峰值,相当于以功率余量换取安全空间。
如果需要输出峰值功率,那么就要控制脉冲宽度刚刚好在不产生负压,但这需要极高的控制能力,非常复杂。
如果内部没有并联二极管,只会造成负压值过大,但不影响续流时间,负压值大于30V会击穿栅极,损坏IGBT。
续流时间是由LC参数和脉冲宽度决定的。
如果负载重,负压峰值和续流时间会显著减小,负压会被负载吸收掉。
负载轻的时候,负压问题才需要足够重视。
负压问题基本不需要考虑,它只是在轻载时才比较明显,并且是正常存在的现象。
重载或高功率输出时,负压才会基本消失。
负压问题和工作稳定性没有关系。
好的,谢谢你的回复,我再好好消化消化!
另外,我是直接用单片机发出的PWM波,死区时间直接由单片机控制。
预计工作评率在20k-40k,那么我死区时间控制在多少us左右合适呢?能给一个参考值么?
5us会不会太大了?固定时间比较好还是随频率变化比较好?
死区时间不是太重要,和工作频率有关系,工作频率高,死区时间要小,比如100KHZ,死区时间几百ns,几十KHZ,1us就可以了。
固定时间就可以了,暂时不需要花那么多时间放在死区时间上。
计算死区时间是一件非常复杂的事情,如果计算依据和数据来源不能保证,结果只会起到反作用。