【亲测ROHM评估板】+迟来的开箱及简评

感谢电源网举办的罗姆1700V碳化硅的AC/DC免费试用活动

我有幸获得了ROHM（罗姆） 1700V SiC MOSFET+AC/DC转换器评估板,作为380V三相副电源(待机电源)测试

首先,我设计的产品功率部分是采用SIC产品的ZVS全桥,标准输出功率4KW;使用ROHM的第三代SIC SCT3080KL为主功率管.功率及效率还是比较满意的.

而副电源,采用的高压MOS管3N150;工作中有一定的发热量,需要散热措施才能可靠工作

看到了罗姆推出的高压小电流SIC,还是有心想替代的(样品都申请了),主要集中在其驱动方式(主要是电压)与现有的MOS不太一致,没有正式使用。

现在，我有幸获得的ROHM（罗姆） 1700V SiC MOSFET+AC/DC转换器评估板，就是为了验证副电源替代的可行性的。

评估板在7月18日就送到我手上了，一直忙于其它工作，耽误了发贴

现先补上开箱图：

1.包装图，包装挺工整的，没有快递损伤的痕迹。

2.开盒图，评估板包装在防静电袋中，不错！

3.打开防静电袋，板子正面图，用料规整，核心用料不错，如尼吉康的高压电解，松下的检流电阻，输出电解为台湾的合美，等等

不过正面没找到功率管。

4.评估板的反面和说明书，首先，看到的是功率管是贴片的，TO268-2L封装；而且无刻意的散热措施，

从实物设计来看，应该是效率较高；不需要散热片就能正常工作的，这个是最吸引我的地方。

5.评估板反面图，注意有个小问题，就是输出整流的散热片是未焊接在PCB上的，实物操作时，这个地方挺松的，个人觉得，需要加焊下为好。

未完，待下次继续补充

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lingyan

2019-07-28 07:11

坐等

dingzy2002

LV.2

2019-08-12 10:35

进行电气测试：

一、首先进行额定满负载（24V1A）下，低电压启动：

1.电子负载，设定恒流模式，电流1A

2.达到正常输出时，其整流后电压240.6V，电流0.112A

3.功率管D极电压最高值470V

4.输入功率：240.6*0.112＝26.95W，输出功率24.11W 效率：89.5%

dingzy2002

LV.2

2019-08-12 11:05

@dingzy2002

进行电气测试：一、首先进行额定满负载（24V1A）下，低电压启动： 1.电子负载，设定恒流模式，电流1A[图片]2.达到正常输出时，其整流后电压240.6V，电流0.112A[图片]3.功率管D极电压最高值470V[图片]4.输入功率：240.6*0.112＝26.95W，输出功率24.11W效率：89.5%

二、额定满功率输出时，不同整流电压下的输入数据：

1.整流电压为252.6V，输入电流0.106A，功率管D级电压520V，效率：90%

、

2.整流电压为300.3V，输入电流0.09A，功率管D级电压572V，效率：89.2%

3.整流电压为350.3V，输入电流0.077A，效率：89.3%

4.整流电压为400.2V，输入电流0.068A，功率管D级电压608V，效率：88.5%

5.整流电压为452V，输入电流0.061A，功率管D级电压656V，效率：78.4%

dingzy2002

LV.2

2019-08-12 11:23

@dingzy2002

二、额定满功率输出时，不同整流电压下的输入数据：1.整流电压为252.6V，输入电流0.106A，功率管D级电压520V，效率：90%[图片][图片]、2.整流电压为300.3V，输入电流0.09A，功率管D级电压572V，效率：89.2%[图片][图片]3.整流电压为350.3V，输入电流0.077A，效率：89.3%[图片]4.整流电压为400.2V，输入电流0.068A，功率管D级电压608V，效率：88.5%[图片][图片]5.整流电压为452V，输入电流0.061A，功率管D级电压656V，效率：78.4%[图片][图片]

6.整流电压为507V，输入电流0.055A，功率管D级电压710V，效率：86.4%

7.整流电压为549V，输入电流0.051A，功率管D级电压760V，效率：86.1%

7.整流电压为616V，输入电流0.046A，功率管D级电压820V，效率：85.1%

8.使用隔离三相调压器完成以上的输入变电压测试：

dingzy2002

LV.2

2019-08-12 11:45

@dingzy2002

6.整流电压为507V，输入电流0.055A，功率管D级电压710V，效率：86.4%[图片][图片]7.整流电压为549V，输入电流0.051A，功率管D级电压760V，效率：86.1%[图片][图片]7.整流电压为616V，输入电流0.046A，功率管D级电压820V，效率：85.1%[图片][图片]8.使用隔离三相调压器完成以上的输入变电压测试：[图片]

二，输入额定的380V电压，负载电流变化后，测试其效率：

1.0.1A负载下，整流电压532V，输入电流0.007A，效率：64.4%（未列出电子负载图）

2.0.2A负载下，整流电压531V，输入电流0.012A，效率：75.4%

3.0.3A负载下，整流电压531V，输入电流0.017A，效率：79.87%

4.0.4A负载下，整流电压529V，输入电流0.022A，效率：82.74%

5.0.5A负载下，整流电压529V，输入电流0.027A，效率：84.29%

6.0.6A负载下，整流电压529V，输入电流0.033A，效率：82.77%

dingzy2002

LV.2

2019-08-12 12:03

@dingzy2002

二，输入额定的380V电压，负载电流变化后，测试其效率：[图片]1.0.1A负载下，整流电压532V，输入电流0.007A，效率：64.4%（未列出电子负载图）[图片]2.0.2A负载下，整流电压531V，输入电流0.012A，效率：75.4%[图片][图片]3.0.3A负载下，整流电压531V，输入电流0.017A，效率：79.87%[图片][图片]4.0.4A负载下，整流电压529V，输入电流0.022A，效率：82.74%[图片][图片]5.0.5A负载下，整流电压529V，输入电流0.027A，效率：84.29%[图片][图片]6.0.6A负载下，整流电压529V，输入电流0.033A，效率：82.77%[图片][图片]

7.0.7A负载下，整流电压529V，输入电流0.038A，效率：83.92%

8.0.8A负载下，整流电压528V，输入电流0.043A，效率：84.87%

9.0.9A负载下，整流电压526V，输入电流0.048A，效率：85.91%

10.1A负载下，整流电压527V，输入电流0.053A，效率：86.21%

11.1.1A负载下，整流电压528V，输入电流0.058A，效率：86.53%

12.1.2A负载下，整流电压525V，输入电流0.063A，效率：87.41%

13.1.3A负载下，整流电压525V，输入电流0.068A，效率：87.75%

dingzy2002

LV.2

2019-08-12 12:04

@dingzy2002

7.0.7A负载下，整流电压529V，输入电流0.038A，效率：83.92%[图片][图片]8.0.8A负载下，整流电压528V，输入电流0.043A，效率：84.87%[图片][图片]9.0.9A负载下，整流电压526V，输入电流0.048A，效率：85.91%[图片][图片]10.1A负载下，整流电压527V，输入电流0.053A，效率：86.21%[图片][图片]11.1.1A负载下，整流电压528V，输入电流0.058A，效率：86.53%[图片][图片]12.1.2A负载下，整流电压525V，输入电流0.063A，效率：87.41%[图片][图片]13.1.3A负载下，整流电压525V，输入电流0.068A，效率：87.75%[图片][图片]

本次测试的板子连接图：

dingzy2002

LV.2

2019-08-12 12:33

@dingzy2002

四、在1.3A电流负载下，进行温升测试，测试的是功率管的温升，测试采用温度探头，位于红圈标示位置（功率管的D级）

初始的功率管温度：26℃

2小时后，测试的功率管温度：53℃

总温升为27℃，热效率挺高的。

dingzy2002

LV.2

2019-08-12 13:37

根据上面的测试结果，给出相关数据曲线：

1.在额定满功率输出时，输入电压与效率的曲线：

2.在输入电压为交流380V时，输出功率变化，对应的效率曲线：

dingzy2002

LV.2

2019-08-12 13:44

@dingzy2002

根据上面的测试结果，给出相关数据曲线：1.在额定满功率输出时，输入电压与效率的曲线：[图片]2.在输入电压为交流380V时，输出功率变化，对应的效率曲线：[图片]

评测总结：

1.因个人原因，本次测试用时较少，所以没有细化相关数据。

2.从效率来说，此DEMO板的效率还是较高的，除低功率输出外，大部分能达80%以上；

3.温升不算高，环境温度下，温升仅27℃，况且DEMO板的功率管没有刻意的散热措施，能达到此温升足见SIC的MOS管效率很高，损耗很小。

4.按DEMO板的电路设计，其实增加点散热措施，其输出功率能更高；应该比所标识的输出功率高1～2倍。

霸唱

LV.3

2019-08-15 08:41

@dingzy2002

评测总结：1.因个人原因，本次测试用时较少，所以没有细化相关数据。2.从效率来说，此DEMO板的效率还是较高的，除低功率输出外，大部分能达80%以上；3.温升不算高，环境温度下，温升仅27℃，况且DEMO板的功率管没有刻意的散热措施，能达到此温升足见SIC的MOS管效率很高，损耗很小。4.按DEMO板的电路设计，其实增加点散热措施，其输出功率能更高；应该比所标识的输出功率高1～2倍。

输出二极管是MBR20200吗？有测试它的反向电压吗？