感谢电源网给的这次机会,收到了罗姆碳化硅功率管评估板,先放几张开箱图,蓝色的小袋子里放了
2个SCT3060AL,650V 39A的Nch SiC功率MOSFET。
2个SCT3040KL,1200V 55A的Nch SiC功率MOSFET。
2个SCT3030AL,650V 70A的Nch SiC功率MOSFET。
2个SCT3080KL,1200V 31A的Nch SiC功率MOSFET。
板子正面
板子背面
功能方框图
再来看下科锐(CREE)公司的半桥评估板CRD 8FF1217P-1,
顶视图
底视图
电路图
可以明显看出,CREE公司的评估板比较粗糙,只有单纯的驱动,没有任何保护功能,也没有任何指示灯,下表为两个板子的参数对比。
之前是因为没安装MOS管,导致板子一直在报故障信号,还好有天边请J版大神指导,测试得以继续,在此表示多谢。
今天测了一组驱动的性能,Rohm评估版驱动信号延迟1us左右,下图绿色的是dsp发出的信号(时钟信号),紫色的为驱动信号。
驱动沿上升时间46ns,下降时间42ns
接下来看一下Cree公司评估版采用的ACPL-W346芯片的表现
延迟时间74ns,非常短,但是驱动沿上升时间较长,下降时间也较长,似乎驱动能力不足,并且该芯片仅有5个管脚,没有任何保护功能。
还有一个问题就是在高频下抖动比较严重,如下图所示。
下面是一些双脉冲的测试,由于实验室条件受限,只能测低压下的测试,并且电流探头带宽不够,所以就没加电流波形。
先放c2m00820d的测试
在第二个脉冲下关断尖峰较高,尝试在DS两端加了100p的电容,基本没有效果,也许大一点会有,还没来得及试
下面是SCT3080KE的测试,上升下降时间均小于30ns
下面是生涯电路的测试,借用说明书的图
由于没找到大功率电阻,仅测试了空载条件下的升压电路,由100V升至400V,驱动信号很稳定,输出电压也非常稳定
测试暂告一段落,有机会会借其他实验室的设备进行进一步的测试并更新此帖。
测试小结:
1.Rohm的板子防护较多,适合设计安全级别较高的工程师使用,输出驱动信号较为稳定
2.Cree的板子电路比较简单,适合初学者理解电路原理使用,并且相对便宜一点
3.Rohm管子的耐压耐流能力都很高
请问关断震荡有改善了?后续