Mark

测试小结：1.Rohm的板子防护较多，适合设计安全级别较高的工程师使用，输出驱动信号较为稳定2.Cree的板子电路比较简单，适合初学者理解电路原理使用，并且相对便宜一点3.Rohm管子的耐压耐流能力都很高

下面是一些双脉冲的测试，由于实验室条件受限，只能测低压下的测试，并且电流探头带宽不够，所以就没加电流波形。先放c2m00820d的测试[图片][图片][图片]在第二个脉冲下关断尖峰较高，尝试在DS两端加了100p的电容，基本没有效果，也许大一点会有，还没来得及试下面是SCT3080KE的测试，上升下降时间均小于30ns[图片][图片][图片]下面是生涯电路的测试，借用说明书的图[图片][图片]由于没找到大功率电阻，仅测试了空载条件下的升压电路，由100V升至400V，驱动信号很稳定，输出电压也非常稳定[图片]测试暂告一段落，有机会会借其他实验室的设备进行进一步的测试并更新此帖。

之前是因为没安装MOS管，导致板子一直在报故障信号，还好有天边请J版大神指导，测试得以继续，在此表示多谢[图片]。今天测了一组驱动的性能，Rohm评估版驱动信号延迟1us左右，下图绿色的是dsp发出的信号（时钟信号），紫色的为驱动信号。[图片][图片]驱动沿上升时间46ns，下降时间42ns[图片]接下来看一下Cree公司评估版采用的ACPL-W346芯片的表现延迟时间74ns，非常短，但是驱动沿上升时间较长，下降时间也较长，似乎驱动能力不足，并且该芯片仅有5个管脚，没有任何保护功能。[图片]还有一个问题就是在高频下抖动比较严重，如下图所示。[图片]

板子跟资料肯定都是真的，看法呢是自己的理解，欢迎探讨，一起学习

功能方框图[图片]再来看下科锐（CREE）公司的半桥评估板CRD8FF1217P-1，顶视图[图片]底视图[图片]功能方框图[图片]电路图[图片]可以明显看出，CREE公司的评估板比较粗糙，只有单纯的驱动，没有任何保护功能，也没有任何指示灯，下表为两个板子的参数对比。[图片]    接下来对比一下驱动芯片和驱动芯片供电电源。先说驱动芯片，CREE公司用的ACPL-W346（Avago公司的sicmosfet专用驱动芯片），3A的rail-to-rail输出，光耦隔离，绝缘电压1140V延迟时间120nS；Rohm公司用的驱动芯片是自己家的BM6101FV，最高可达4.5A输出，绝缘电压2500V，延迟时间350nS。在驱动电源方面，CREE公司用的是G1212S，通过调节阻容网络，可输出25V电压，之后用齐纳管截取5V电压作为负压驱动。Rohm公司为了电压可调和隔离用了三个芯片依次链接，分别是BD7F200EFJ-LBE2，EE222504398-T256和S-19700A00A-E8，具体的还没有深究。欢迎大家指正和补充，后续会做一些对比测试，如果大家有什么想看到的测试结果，可以留言，我根据实验室条件尽量做。      先说一下CREE公司的部分防护电路，控制信号进驱动芯片前加了一个choke，有效抑制EMI，在栅源两端加了两个齐纳管，分别为5V和24V，以保护栅源电压不超过额定值。驱动的低电平电压-5V也由齐纳管ZD6提供。在上管栅极前加了一个磁珠，降低EMI，但是这个应该会影响驱动芯片的驱动能力或者说会降低开关速度。

尊敬的主办方您好：   本人是在校研究生一枚，有幸看到这则消息，想要申请贵公司的评估版，申请理由如下：1.本人大论文课题是sicmosfet模型的研究，现在正在进行双脉冲实验，以后打算做一个基于sicmosfet的PFC电路，故想申请贵公司的评估板。2.本人手里有几颗cree公司的c3m0065090d,还有几颗贵公司的sct2080ke,打算做一些这两个产品的对比性实验。3.本人在恩智浦半导体实习，有幸了解到IGBT驱动的芯片以及外围电路，想要研究一下IGBT的驱动和mosfet的驱动的差异主要体现在哪些方面，以及有多大。    使用计划：1.做双脉冲实验，对比两种产品的差异，以及动态特性的差异，还有栅极电阻在不同电路下的影响程度。2.用IGBT的驱动电路驱动sicmosfet，与贵公司的驱动电路进行对比，看优势有多大。3.测试基于sicmosfet的电源相关参数，如效率，功率因数，过流，纹波等。

尊敬的主办方您好：   本人是在校研究生一枚，有幸看到这则消息，想要申请贵公司的评估版，申请理由如下：1.本人大论文课题是sicmosfet模型的研究，现在正在进行双脉冲实验，以后打算做一个基于sicmosfet的PFC电路，故想申请贵公司的评估板。2.本人手里有几颗cree公司的c3m0065090d,还有几颗贵公司的sct2080ke,打算做一些这两个产品的对比性实验。3.本人在恩智浦半导体实习，有幸了解到IGBT驱动的芯片以及外围电路，想要研究一下IGBT的驱动和mosfet的驱动的差异主要体现在哪些方面，以及有多大。    使用计划：1.做双脉冲实验，对比两种产品的差异，以及动态特性的差异，还有栅极电阻在不同电路下的影响程度。2.用IGBT的驱动电路驱动sicmosfet，与贵公司的驱动电路进行对比，看优势有多大。3.测试基于sicmosfet的电源相关参数，如效率，功率因数，过流，纹波等。