【公布试用名单】！基于罗姆1700V碳化硅的AC/DC 免费试用

占楼编辑

申请理由：1. 学习罗姆siC-MOSFET及的波形

                         2.测试效率

                         3.为以后产品上应用打个基础

试用规划：1.测试驱动波形

                2.测试输入输出波形及效率

                3.学习板子的设计 

尊敬的主办方：

本人是南京韦兹科技的新人所以本人对此很有兴趣，本人的申请理由下：

1. SIC MOSFET 取代IGBT是趋势，本人有做过IGBT的项目，现在想试用下SIC  MOSFET的评估板来和IGBT做个比较。

2. 未试用过罗姆的SIC  器件， 想以此机会评测罗姆公司的SIC 产品，也为本公司储备器件供应商资料。

试用规划是：

1.根据评估板的参 先评测下评估各项电源指标：效率、对应带宽的纹波、澡音、电压调整率、负载调整率、温飘系数等；

2.与本评估板相类似功率的电源且使用IGBT器件的电源对行各参数进行比较优劣；

3.最后本网站发布使用心得。

申请理由:

1.本人自己按照参考图做的板子，运行不起来。准备利用参考板对照一下，查找问题所在。

2.学习使用罗姆的Sic和驱动器IC产品，方便近期做SiC替代IGBT项目。

使用规划：

1.评估参考板的各项指标，电压调整率，负载调整率，效率和反馈环路的设计。

2.对比原来的IGBT方案，评估优势。

3.购买罗姆产品，自己做设计，然后调试ok生产。

3.电源网发表心得。

伸请理由：

  感受新一代AC-DC（orDC-DC）方案与原来通用（如TL494,SG3525,及LLC）在全方位的驱动方面的改进程度 ；以及新催向的碳化硅之类的特性，及早进入新材料的领域.......

规划：详细消化罗姆提供的技术资料，结合之前常规开发手段其他电源方案，进行横向和纵向对比，考量新方案在各种条件下的应用表现，若能和罗姆公司或资深开发行家真诚沟通，以变开出更完整合更接地气的实用方案，等等

  

  付出努力，在摸投后，希望利用这罗目方案能构建一个实用可行或更完善的整体方案。

申请理由：1. 对于MOS管引用了解较多，我们预研的项目准备使用SIC。对于SIC有简单的了解，但是实际SIC模块没有实际使用过

                         2.对比SIC模块与MOS管的性能，

                 

试用规划：1.测试DEMO板的相关性能指标，

                2.根据现在使用的SIC型号，寻找可以做替换的IGBT,测试相关性能指标；

                3.学习DEMO的相关布局

尊敬的主办方：

本人是在校研究生，专业方向是电力电子方面的，对电源设计有浓厚兴趣，曾多次参加电子设计竞赛等相关活动，申请理由如下：

1. SIC、GaN是近年来大家一直提倡发展的功率器件，相比于 MOSFET 、IGBT更具有优势，但是由于能力和精力有限，自己做的板子和工程实际应用还是有很大差距的，所以想申请贵公司的评估板                              研究一下。

2. 没有使用过贵公司的相关产品，想借此机会了解一下，作为实验室采购渠道的参考。

试用规划如下：

1.根据提供的使用手册先评测额定负载下板子的各项电源指标包括效率，纹波，负载调整率等，然后加大负载持续工作评估其稳定性。

2.针对于评估板的测量数据与其他商家相关类似的电源做对比分析；

3.最后本网站发布使用心得。

申请理由:验证SIC电源电路与MOSFET电源电路在同等电压/功率/温度下的

            1.效率对比

            2.温升对比

            3.可靠性对比

试用规划:测试用于可否替代我现有系统中的三相辅助电源电路.

            1.先期测试样件的各个工作状态,负载变化率,极限工作电压情况

            2.满载状态下,在老化箱内工作状态

            3.负载异常及电路异常时,样品的保护性能

申请理由:

1.我开发的产品中有多款用于三相电中，控制部分的电源本来是要求能够只接任意两线也能工作的，但试过多款电源，未有满意的。

2.产品出口多个国家，应用场合多种多样，对耐高压要求严格。

3.可靠性对比，看是否能代替现有方案。

试用规划:

            1.与现用方案对比测试各种参数。

            2.安装到产品中，测试各种工况下电源的表现。

            3.购买罗姆产品，自行设计生产。

尊敬的主办方您好：

      本人是在校研究生一枚，有幸看到这则消息，想要申请贵公司的评估版，申请理由如下：

1.本人大论文课题是sic mosfet模型的研究，现在正在进行双脉冲实验，以后打算做一个基于sic mosfet的PFC电路，故想申请贵公司的评估板。

2.本人手里有几颗cree公司的c3m0065090d,还有几颗贵公司的sct2080ke,打算做一些这两个产品的对比性实验。

3.本人在恩智浦半导体实习，有幸了解到IGBT驱动的芯片以及外围电路，想要研究一下IGBT的驱动和mosfet的驱动的差异主要体现在哪些方面，以及有多大。

       使用计划：

1.做双脉冲实验，对比两种产品的差异，以及动态特性的差异，还有栅极电阻在不同电路下的影响程度。

2.用IGBT的驱动电路驱动sic mosfet，与贵公司的驱动电路进行对比，看优势有多大。

3.测试基于sic mosfet的电源相关参数，如效率，功率因数，过流，纹波等。

主办方您好，本人在职EE一枚，最近产品需求最近需要设计一款SIC的100~550V输入的功率电源

申请理由及使用规划：

1.因未接触过罗姆的芯片，故申请目的更多在于评估罗姆SIC对比CREE SIC，新节能SI，英飞凌SI等管子的性能价格优劣

2.反激尖峰很好，测试学习RCD在不同变压器不同绕法不同频率情况下对于尖峰效率的影响

此外对评估板几点表示怀疑：

1母线上限1000V为什么元件上了个600VAC的33nF MKP？

2初级侧变压器1HV+,3SW脚高达1.2KV极限脉冲电压，绝缘间距这么小是否合适？

申请理由：

1.产品有此规格需要，目前用1500V的MOS，应力不合格

2.测试与目前使用的区别

3.同时测试一下QR芯片

规划：测试样板的各项应力是否符合标准

苏州韵浩电源有限公司

1. 机器人电源模块,现有方案复杂;

2. 现在有使用ROHM MOS R6015;

3.评估板测试各项电源指标：效率、对应带宽的纹波、澡音、电压调整率、负载调整率、温飘系数等；

4.评估板可靠性测试；

5.与现有模块对比;

6.最后本网站发布使用心得。

申请理由：

             1. 对比mos管与SIC之间的性能

             2. 在不同工况下测试效率、温升、可靠性等因素

试用规划：

            1.测试sic 的各种性能参数与现有的应用做对比。

            2.根据测试性能进行小批试制，测试。

东西是好，把输入电解换成薄膜电容就比较漂亮了，3个电解瞬间拉低了可靠性，用这种3电容串联的方案，可以不使用1700v的sic管子，用普通的3颗650v管子，一个管子接一个初级绕组回路，并到一个电解上，三个绕组同一个线圈，实现电容的主动均压，和平摊mos应力，驱动就用双管正激的驱动就可以了，只是多一个绕组而已。

申请理由：

一直都想做一款三相没有零线的开关电源，奈何开关电源刚入门，没有合适的方案。今天看到这个试用方案满心欢喜，正是我需要的。1700V的高耐压完全胜任3相电整流后的电压。

二是看变压器应该是EFD15，这么小的变压器能做成24W，频率应该不小，很好奇这个方案。

我的试用规划是：

先整体评估一下工作参数，比如输入电压，输出功率，效率，工作频率，纹波等。看能否满足我的预期需求。

如能满足，可能会自己做一套板子，用于商品化。

碳化硅MOS是好东西，我已经用了7-8年年多了

Rohm的SCT2H12NZ是1700V 1ohm的SiC MOSFET

Demo 板做的380V输入其实都保守了，690V输入都是OK的，功率做50-100W不是问题

好想申请来学习学习，奈何实力不允许

主办方您好，我是在校电气小硕，目前研究方向是LLC软开关方面的，申请理由如下：

1. 我想测试对比一下，使用SiC器件的全桥拓扑的效率跟使用Si器件的LLC拓扑的相同功率的情况下软开关效率方面能提高多少，查找SiC相关论文，在理论方面分析损耗的来源。

2，实验室有用过GaN器件的师兄，采集电源数据和与GaN器件进行对比分析。

3，测出原理图，学习PCB布局，争取自己画一套。

3. 将测试结果加到我的论文中，增加调试经验，为找工作增加筹码。

试用规划如下：

1.根据提供的使用手册先评测额定负载下板子的各项电源指标包括效率，纹波，负载调整率等，然后加大负载持续工作评估其稳定性。

2.在相同功率下测试实验室LLC板子与评估板的效率差距，查找来源分布，采集GaN板子数据，进行与SiC的对比

3,画出原理图，出一份设计注意事项。

3.最后本网站发布使用心得以及软开关效率分析文档。

申请理由:之前使用过SiC和MOS管子，想学习下SIC 电源电路与MOSFET电源电路

            1.两种产品的效率及功耗。

            2.工作频率范围。

            3.电源输出的稳定性

试用规划:测试电源DEMO板，后期设计进行参考.

            1.测试样件的各个工作状态

            2.测试满载和轻载的效率

            3.电路的保护功能。

申请理由：

1. 感受SIC各方面的优势  

2.对于氮化硅，我比较信赖ROHM                

3.我们公司是做电源驱动IC的，经常会去电源工厂推广产品，在了解了SiC各方面性能之后，可给客户工程师分享罗姆半导体SiC的优势

试用规划：

1.为本产品拍下美丽的照片，给网友们分享              

2.测试各项参数，如效率，并记录数据，分享给电源网网友       

3.发个帖子，分享测试心得

申请理由：1.从事电源设计及测试工作将近20年

                2.参与过使用rohm公司SIC MOSFET 的产品开发，完成产品测试工作。所用产品型号SCT3040KL。

                3.公司主要做电源，测试仪器齐全。

试用规划：1.驱动波形测试。

                2.效率测试

                3.热测试 

                4.新产品开发考虑导入

申请理由：

1.MSOFET管的耐压及应用设计有需求

2.测试学习，积累设计经验。

3.Sic的设计学习

规划：测试样板的主要参数指标。

申请理由:以前一直使用MOS管，对SIC没有了解过，想试用性能咋样

            1.管子的功耗和发热程度。

            2.导通时间。

       

试用规划:测试一下这个电源板，和以往的MOS控制的板子对比

            1.满负载工作时的功耗和效率

            2.主要的一些波形Vds，纹波等

      

申请理由：1. 帅

                  2.免费

                  3.抱着学习的态度

试用规划：1.可能会拆成三个单相的AC/DC尝试各种拓扑，比如不加RCD吸收的反激……

申请理由:1.对比下碳化硅与普通半导体的区别 2.测试下Rohm与其他家碳化硅的优劣势 3.测试下该款产品的性能。规划:测试该电源的输入输出特性，EMC测试，温升测试等

申请理由：1. 公司在研发应用SiC的MOS

                 2.三相的电源应用，搭配用1700V的碳化硅，竟然这么强悍，有些好奇

                 3.为以后产品上应用打个基础

试用规划：1.用示波器了解，各个驱动MOS的驱动电压和电流波形,证明SiC可以有1700V的应用

                2.测试该板子的电气相关的参数

                3.学习板子的Layout设计 ，还有安规，传导，辐射设计

申请理由：

1.SiC MOSFET在很多领域将取代IGBT，但驱动比较复杂，希望通过开发板做一定评估

2.SiC MOSFET是很多国外知名厂家将来的应用主力器件，经过研发测试即将推向市场，希望利用本次开发板的机会，掌握器件的动态与保护特性，为新产品的开发做技术支撑。

3.熟悉ROHM公司的产品，希望开展合作。

试用规划：

1.初步了解BD7682FJ-EVK-401电路原理，SiC MOSFET器件特性；

2.上电测试，加三相AC400V输入，带24VDC负载进行测试，对驱动、主回路、直流纹波、效率、功耗、温升、器件的瞬态性能进行测试

3.结合现有工程进行相关开发

4.总结发帖