sunok：
尊敬的主办方：本人是南京韦兹科技的新人所以本人对此很有兴趣，本人的申请理由下：1.SICMOSFET取代IGBT是趋势，本人有做过IGBT的项目，现在想试用下SIC MOSFET的评估板来和IGBT做个比较。2.未试用过罗姆的SIC 器件， 想以此机会评测罗姆公司的SIC产品，也为本公司储备器件供应商资料。试用规划是：1.根据评估板的参先评测下评估各项电源指标：效率、对应带宽的纹波、澡音、电压调整率、负载调整率、温飘系数等；2.与本评估板相类似功率的电源且使用IGBT器件的电源对行各参数进行比较优劣；3.最后本网站发布使用心得。