landeng：
申请理由：1.SiCMOSFET在很多领域将取代IGBT，但驱动比较复杂，希望通过开发板做一定评估2.SiCMOSFET是很多国外知名厂家将来的应用主力器件，经过研发测试即将推向市场，希望利用本次开发板的机会，掌握器件的动态与保护特性，为新产品的开发做技术支撑。3.熟悉ROHM公司的产品，希望开展合作。试用规划：1.初步了解BD7682FJ-EVK-401电路原理，SiCMOSFET器件特性；2.上电测试，加三相AC400V输入，带24VDC负载进行测试，对驱动、主回路、直流纹波、效率、功耗、温升、器件的瞬态性能进行测试3.结合现有工程进行相关开发4.总结发帖