国产IGBT模块可以考虑嘉兴斯达，江苏宏微，南京银茂，宁波达新，中车时代电气。斯达是上市公司，宏微是准上市公司以上供参考

不涉及电磁辐射问题，只是器件的评估

先做一个阶段性总结1.该评估板设计上很好的兼容了247-3和247-4的封装器件，使得参数评估对比简化很多2.控制拓扑上可以实现半桥、BUCK降压、BOOST升压等拓扑3.驱动信号也做了很多实用的设计，比如死区时间、互锁、单独驱动、同步驱动等4.保护功能全面，过流保护点可调的过流保护电路、故障锁存、故障复位、故障指示等5.可调的驱动电压，可以适用Rohm不同Gen的SiCMOSFET总体来说该评估板设计上是很完善的，所有器件采用Rohm的电子元器件，具有较好的生态解决方案等Rohm247-4L器件样品拿到后再做进一步测试

今天找到问题所在了，这个评估版默认是按TO247-4L设计的，使用4L的器件测试驱动是OK的，可以准备上高压进行测试了设置驱动电压+18V/-2V,实测关断电压-1.918V[图片]之前测试有问题主要是没有焊接漏空的电阻[图片]至此问题原因已分析清楚。[图片]

找了一个TO247-4L的器件可以完美兼容安装，驱动问题解决了就可以上高压测试了[图片]

按照Rohm推荐，对板子供电12V，测试输入电流约0.013mA,指示灯全部亮起[图片][图片]驱动供电电源测试波形如下：从波形可以看出是反激拓扑，开关频率330kHz，电压尖峰只有20.7V[图片]在没有输入信号的情况下，Vgs驱动电压如下：下桥-10V，上桥-15V，和理论分析偏差较大鉴于此情况需要分析清楚原因才能继续加高压测试，否则容易损坏器件[图片][图片]

炸机的原因很多，不一定是变压器引起的

单个变压器估计在6-8kW左右

这个是套的铁氟龙管

先来看一组SCT2080的测试数据VGSTHIDSSBVDSSIGSSFIGSSRRDSON3.036V195.7nA2300V9.1nA7.0nA75.5mohm3.077V203.1nA2309V10.5nA2.6nA75.2mohm额定电压1200V的SICMOSFET,阻断电压居然到了2300V，可见余量很大最新的SCT3080KE测试结果如下，Vgsth稍有提高，阻断电压依然高于额定600多V，良心产品啊[图片]IDSSBVDSSBVDSS VGSTHRDSON0.69uA1839V1885V3.354V81.1mohm0.71uA1839V1885V3.361V81.1mohmSCT3040KE测试数据IDSSBVDSSBVDSS VGSTHRDSON0.78uA1714V1764V3.527V40.4mohm0.81uA1714V1764V3.668V40.5mohm从测试结果看，RohmSICMOSFET器件的一致性都较好，电压裕量大