• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

【亲测ROHM评估板 】+Rohm SiC MOSFET 评测

收到Rohm碳化硅MOS评估板已经有一段时间了,今天终于有空写帖子。

先晒晒评估板和待评估的SIC MOSFET器件



样品中遗憾的是没有4条腿的SiC MOSFET,等后期有了再补上


碳化硅评估板照片如下图




评估板图片先到这,接下来对板子的细节和器件进行评估分享

全部回复(12)
正序查看
倒序查看
gxg1122
LV.10
2
2019-08-11 18:41
板子设计带有屏蔽壳吧
0
回复
小矿石
LV.10
3
2019-08-11 20:34
@gxg1122
板子设计带有屏蔽壳吧
没有屏蔽壳,为什么需要屏蔽壳呢?
0
回复
小矿石
LV.10
4
2019-08-11 20:48

对评估版的细节做个简单介绍

1、主电路上封装兼容TO247-3L和TO247-4L两种封装,可以方便的对比两种封装的器件特性差异

2、驱动芯片采用Rohm SIC MOSFET 专用驱动IC,型号BM6101

详细器件资料

/upload/community/2019/08/11/1565527258-31824.pdf

驱动芯片框图及不同封装的应用参考

3、双脉冲控制部分,3个按键模拟信号机故障复位

0
回复
小矿石
LV.10
5
2019-08-11 21:01

评估板带的几款SIC MOSFET规格如下

SCT3030AL  650V 30mohm  70A

SCT3060AL  650V 60mohm  39A

SCT3040KL  1200V 40mohm  55A

SCT3080KL  1200V 80mohm  31A


规格书下载地址:

https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices/sic-mosfet




0
回复
小矿石
LV.10
6
2019-08-11 21:17
@小矿石
评估板带的几款SICMOSFET规格如下SCT3030AL 650V30mohm 70ASCT3060AL 650V60mohm 39ASCT3040KL 1200V40mohm 55ASCT3080KL 1200V80mohm 31A规格书下载地址:https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices/sic-mosfet[图片][图片]

先来看一组SCT2080的测试数据

VGSTH IDSS BVDSS IGSSF IGSSR RDSON
3.036V 195.7nA 2300V 9.1nA 7.0nA 75.5 mohm
3.077V 203.1nA 2309V 10.5nA 2.6nA 75.2 mohm

额定电压1200V的SIC MOSFET,阻断电压居然到了2300V,可见余量很大


最新的SCT3080KE测试结果如下,Vgsth稍有提高,阻断电压依然高于额定600多V,良心产品啊

IDSS BVDSS BVDSS  VGSTH RDSON
0.69uA 1839V 1885V 3.354V 81.1mohm
0.71uA 1839V 1885V 3.361V 81.1mohm

SCT3040 KE测试数据

IDSS BVDSS BVDSS  VGSTH RDSON
0.78uA 1714V 1764V 3.527V 40.4mohm
0.81uA 1714V 1764V 3.668V 40.5mohm

从测试结果看,Rohm SIC MOSFET器件的一致性都较好,电压裕量大

0
回复
薄浩楠
LV.5
7
2019-08-16 23:18
板子的电磁辐射大么
0
回复
gxg1122
LV.10
8
2019-08-17 13:22
@小矿石
先来看一组SCT2080的测试数据VGSTHIDSSBVDSSIGSSFIGSSRRDSON3.036V195.7nA2300V9.1nA7.0nA75.5mohm3.077V203.1nA2309V10.5nA2.6nA75.2mohm额定电压1200V的SICMOSFET,阻断电压居然到了2300V,可见余量很大最新的SCT3080KE测试结果如下,Vgsth稍有提高,阻断电压依然高于额定600多V,良心产品啊[图片]IDSSBVDSSBVDSS VGSTHRDSON0.69uA1839V1885V3.354V81.1mohm0.71uA1839V1885V3.361V81.1mohmSCT3040KE测试数据IDSSBVDSSBVDSS VGSTHRDSON0.78uA1714V1764V3.527V40.4mohm0.81uA1714V1764V3.668V40.5mohm从测试结果看,RohmSICMOSFET器件的一致性都较好,电压裕量大
感谢楼主分析测试数据结果,这个数据看着性能是不错的。
0
回复
小矿石
LV.10
9
2019-08-24 21:46

按照Rohm推荐,对板子供电12V,测试输入电流约0.013mA,指示灯全部亮起


驱动供电电源测试波形如下:

从波形可以看出是反激拓扑,开关频率330kHz,电压尖峰只有20.7V


在没有输入信号的情况下,Vgs驱动电压如下:下桥-10V,上桥-15V,和理论分析偏差较大

鉴于此情况需要分析清楚原因才能继续加高压测试,否则容易损坏器件



0
回复
小矿石
LV.10
10
2019-08-24 21:49
@小矿石
按照Rohm推荐,对板子供电12V,测试输入电流约0.013mA,指示灯全部亮起[图片][图片]驱动供电电源测试波形如下:从波形可以看出是反激拓扑,开关频率330kHz,电压尖峰只有20.7V[图片]在没有输入信号的情况下,Vgs驱动电压如下:下桥-10V,上桥-15V,和理论分析偏差较大鉴于此情况需要分析清楚原因才能继续加高压测试,否则容易损坏器件[图片][图片]

找了一个TO247-4L的器件可以完美兼容安装,驱动问题解决了就可以上高压测试了

0
回复
小矿石
LV.10
11
2019-08-26 22:04
@小矿石
找了一个TO247-4L的器件可以完美兼容安装,驱动问题解决了就可以上高压测试了[图片]

今天找到问题所在了,这个评估版默认是按TO247-4L设计的,使用4L的器件测试驱动是OK的,可以准备上高压进行测试了

设置驱动电压+18V/-2V,实测关断电压-1.918V

之前测试有问题主要是没有焊接漏空的电阻

至此问题原因已分析清楚。

0
回复
小矿石
LV.10
12
2019-08-27 22:16
@小矿石
今天找到问题所在了,这个评估版默认是按TO247-4L设计的,使用4L的器件测试驱动是OK的,可以准备上高压进行测试了设置驱动电压+18V/-2V,实测关断电压-1.918V[图片]之前测试有问题主要是没有焊接漏空的电阻[图片]至此问题原因已分析清楚。[图片]

先做一个阶段性总结

1.该评估板设计上很好的兼容了247-3和247-4的封装器件,使得参数评估对比简化很多

2.控制拓扑上可以实现半桥、BUCK降压、BOOST升压等拓扑

3.驱动信号也做了很多实用的设计,比如死区时间、互锁、单独驱动、同步驱动等

4.保护功能全面,过流保护点可调的过流保护电路、故障锁存、故障复位、故障指示等

5.可调的驱动电压,可以适用Rohm不同Gen的SiC MOSFET


总体来说该评估板设计上是很完善的,所有器件采用Rohm的电子元器件,具有较好的生态解决方案

等Rohm 247-4L器件样品拿到后再做进一步测试

0
回复
小矿石
LV.10
13
2019-08-29 21:20
@薄浩楠
板子的电磁辐射大么
不涉及电磁辐射问题,只是器件的评估
0
回复