收到Rohm碳化硅MOS评估板已经有一段时间了,今天终于有空写帖子。
先晒晒评估板和待评估的SIC MOSFET器件
样品中遗憾的是没有4条腿的SiC MOSFET,等后期有了再补上
碳化硅评估板照片如下图
评估板图片先到这,接下来对板子的细节和器件进行评估分享
对评估版的细节做个简单介绍
1、主电路上封装兼容TO247-3L和TO247-4L两种封装,可以方便的对比两种封装的器件特性差异
2、驱动芯片采用Rohm SIC MOSFET 专用驱动IC,型号BM6101
详细器件资料
/upload/community/2019/08/11/1565527258-31824.pdf
驱动芯片框图及不同封装的应用参考
3、双脉冲控制部分,3个按键模拟信号机故障复位
先来看一组SCT2080的测试数据
VGSTH | IDSS | BVDSS | IGSSF | IGSSR | RDSON |
3.036V | 195.7nA | 2300V | 9.1nA | 7.0nA | 75.5 mohm |
3.077V | 203.1nA | 2309V | 10.5nA | 2.6nA | 75.2 mohm |
额定电压1200V的SIC MOSFET,阻断电压居然到了2300V,可见余量很大
最新的SCT3080KE测试结果如下,Vgsth稍有提高,阻断电压依然高于额定600多V,良心产品啊
IDSS | BVDSS | BVDSS | VGSTH | RDSON |
0.69uA | 1839V | 1885V | 3.354V | 81.1mohm |
0.71uA | 1839V | 1885V | 3.361V | 81.1mohm |
SCT3040 KE测试数据
IDSS | BVDSS | BVDSS | VGSTH | RDSON |
0.78uA | 1714V | 1764V | 3.527V | 40.4mohm |
0.81uA | 1714V | 1764V | 3.668V | 40.5mohm |
从测试结果看,Rohm SIC MOSFET器件的一致性都较好,电压裕量大
先做一个阶段性总结
1.该评估板设计上很好的兼容了247-3和247-4的封装器件,使得参数评估对比简化很多
2.控制拓扑上可以实现半桥、BUCK降压、BOOST升压等拓扑
3.驱动信号也做了很多实用的设计,比如死区时间、互锁、单独驱动、同步驱动等
4.保护功能全面,过流保护点可调的过流保护电路、故障锁存、故障复位、故障指示等
5.可调的驱动电压,可以适用Rohm不同Gen的SiC MOSFET
总体来说该评估板设计上是很完善的,所有器件采用Rohm的电子元器件,具有较好的生态解决方案
等Rohm 247-4L器件样品拿到后再做进一步测试