如何实测开关管的耗散功率

耗散功率Pd的定义通常是: (Tj(max)-Ta)/Rja, 它表征着芯片内部的散热能力.而I^2*Rds(on)是发热,显然Pd>=I^2*Rdson,否则IC烧毁.在一个实际开关电源中,要考察mos管的耗散功率降额,这个实际的耗散功率又如何测量呢?

Pc=I^2×Rds(ON)×D这个公式也是损耗,和上面的公式相比多了一个占空比,这两个怎么理解呢.

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ycyy

LV.2

2008-07-22 22:56

此类问题可如下分析:
MOS管或者IGBT或者其他的,我们统称全控开关器件,其功耗分4部分,1,导通损耗;2,截止损耗;3,开关损耗;4,驱动损耗.对于截止损耗和驱动损耗来说,可忽略不记.
1/分析其导通损耗,基本上由导通时前向电压和有效电流决定,so,我们可通过导通时候的电压电流来知道,电流可通过我们实际电路大致计算可得,电压可查其对应电流的DATASHEET.
2/分析其开关损耗,其中又分开通损耗和关断损耗,可通过电流大小(计算得知)、驱动电阻(实际电路)、驱动电压(实际电路)、CE/DS电压(实际电路)这些变量,查寻DATASHEET计算,so,我们一般在开发初期要先确定大致的损耗范围.

如果是实测,那更方便,直接通过电压电流的所形成的面积得知,一般来说这种比较通用.另外你刚才说的结温和壳温,不容易直接通过实际测量来得到其损耗,因为这会涉及到你的散热条件,EG,散热片,风道设计,风压风流量等等

dianqi123

LV.5

2008-07-22 22:58

I^2*Rds(on)是不是开通时开关管的损耗?如果开关管流过的电流是10A,Rds(on)又是个很小的量值,如0.1ohm或者更小,那这个计算值也只有10W不到.从datasheet看开关管的耗散功率达到300W,两个数值怎么会差别如此之大.

dianqi123

LV.5

2008-07-22 23:00

@ycyy

此类问题可如下分析:MOS管或者IGBT或者其他的,我们统称全控开关器件,其功耗分4部分,1,导通损耗;2,截止损耗;3,开关损耗;4,驱动损耗.对于截止损耗和驱动损耗来说,可忽略不记.1/分析其导通损耗,基本上由导通时前向电压和有效电流决定,so,我们可通过导通时候的电压电流来知道,电流可通过我们实际电路大致计算可得,电压可查其对应电流的DATASHEET.2/分析其开关损耗,其中又分开通损耗和关断损耗,可通过电流大小(计算得知)、驱动电阻(实际电路)、驱动电压(实际电路)、CE/DS电压(实际电路)这些变量,查寻DATASHEET计算,so,我们一般在开发初期要先确定大致的损耗范围.如果是实测,那更方便,直接通过电压电流的所形成的面积得知,一般来说这种比较通用.另外你刚才说的结温和壳温,不容易直接通过实际测量来得到其损耗,因为这会涉及到你的散热条件,EG,散热片,风道设计,风压风流量等等

耗散功率和损耗是一个概念吗