这次搞一个DC/DC的电源。24V输入24V10A输出的电源。
磁性器件用平面变压器,频率暂定300KHz。拓扑采用正激。
正在搞电路图,搞完上图。
芯片选用ISL6843。这个芯片和384X几乎一样,就是开关频率高些。38系列的开关频率只能达到500KHz,68系列的开关频率能达到2MH。
38系列框图 68系列框图
还是有些区别的,输出图腾,38系列用的三极管,68系列用的MOS管。PDF上的驱动能力是一样的,都是1A。
框图看不出来啥,姑且当它们一样吧。
图腾MOS管的驱动能力应该更强。
这是原理图,以后会有改动,这是初始原理图。
分部解析原理图。
启动电路 利用MOS管启动,比电阻启动损耗小(应该是)。
欠压保护电路 当输入电压低于设定值时,比较器 LM393 的1脚输出低电平。三极管Q6导通,拉低主芯片ISL6843的1脚,芯片停止输出。
MOS管驱动电路 主芯片6脚位QD,驱动信号通过两组NPN,PNP三极管来驱动MOS管。
芯片供电电路
芯片通过启动电路启动后,芯片的供电由正激电感上的绕组提供。这样可以提高效率。
过压保护电路。 当输出过压时,光耦工作,通过三极管拉低主芯片ISL3843的1脚,使芯片停止输出。
反馈电路 TL431提供基准电压,使用运放进行调整。
我计算续流二极管反向电压大概70V,尖峰算100V,总电压就是170V左右吧,这算是高但是没有不要不要的吧。
续流二极管用的MBR20200,200V的管子应该足够了吧。
PCB搞起,封装画完了,
是平面变压器,没有骨架的那种。我用的FEE22。
平面变压器用的高频材料,高频的时候损耗小。
你说的也对,这样可能效率高点。
但是高端MOS管的驱动是浮地的,控制起来比较复杂。
有什么办法?小吸收可以,但是尖峰就大了。 基本无尖峰,这怎么做到,加大吸收?这样效率就低了。
这个我真的做不到啊。
布局基本完成了。散热有点不好搞啊。