正激变压器工作时只起变比的作用还需专门的去磁电路,反激变压器本身就是利用“去磁”工作的,所以正激、反激电路组合起来将会产生一种功率密度更大、成本更低的电路来。实际情况正反激组合电路应用的并不是很广,列举其中两种进行分析:
图1两种正反激组合电路
正激变压器工作时只起变比的作用还需专门的去磁电路,反激变压器本身就是利用“去磁”工作的,所以正激、反激电路组合起来将会产生一种功率密度更大、成本更低的电路来。实际情况正反激组合电路应用的并不是很广,列举其中两种进行分析:
图1两种正反激组合电路
正激、反激两种电路组合到一起后二者的特性也会被保留了下来,CCM的正激决定了输出电压,输出电压及反激匝比决定了反射电压,相对于普通反激这种组合式电路的反射电压更高(图3例子中为2倍关系),想要降反射电压只能降低占空比见下图:
图4 占空比与匝比及反射电压的关系
图4中最大占空比设置为0.5时反射电压=输入电压=300V,预设反射电压为100V则最大占空比不能超过0.25(其中kfb表示正激的次级匝数与反激的次级匝数之比)。
反射电压的设置可以参考下图:
图5 钳位电压、反射电压之比与漏感损耗的关系
一般参考资料会建议钳位电压与反射电压之比>1.3倍,如果取1.3则MOS管的Vds=Vin+(1+1.3)*Vor=300+230=530(适用600V的MOS管),但在正反激应用中取Vor=100V时最大占空比不能超过0.25,估计这个原因限制了这种正反激电路的应用。
问题放到后面再解决,先分析电感量的设计。励磁电感和续流电感的大小将会影响正激和反激在电路所占的功率份额。
反激电路因工作于DCM模式所以只要知道占空比和开关周期就能列出感量与能量的关系,再由总功率减去反激功率得出正激电路所需处理的功率,最后由电流纹波率算出续流电感的大小,具体计算过程如下:
分别取反激功率比重20%,40%,50%绘制出电流波形如下:
图6 不同比例的正、反激电流波形
可以结合图1的(a)、(b)两个电路使正、反激共用输出绕组以提高线圈的利用率(正激、反激分时复用)。
图7正、反激共用输出绕组电路
图7电路多用了一个续流二极管,如果占空比大于50%可以省掉这个二极管,是否还有其它结构能少用二极管的?
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文件有点乱、也没整理,凑合着看。