对EMI有一定的效果，尤其是辐射。不过在反激电源上，不到万不得已不要去加这玩意，
对效率影响很大，而且常规这个料用CBB是比较好的，如果改用瓷片类的电容，很容易
出现概率性不良！
测试传导辐射不过 ，加这玩意就过了，就要加，或者改变压器等等，MOS你用的品牌不同也会有影响，
有些好的MOS就不用加，差的就要加。这个位置可以预留器件，能过就不加，过不了就加。传导辐射
需要调试才知道的。
没有几个开关电源加这个电容的，
影响效率，
加这个无非就是在30M~50M的地方有改善，
但是30M~50M能改的地方多的狠
在电容上串电容，减少对效率的影响吗？（没有杠的意思，不懂就问）
请教一下大神，并联这个电容后出现概率性不良具体是什么原因，因为目前遇到了这个问题，批量中出现一些这个电容损坏的现象
插件瓷片电容，MLCC要用最好的材质，实际应用过程中，即使是最好的材质也有概率问题不良，具体原因不太清楚，可能是批量的不一致性吧！
很多MOS管D.S极多有这个电容器，我们公司常用102/221，可以抑制EMI!
我不知道你做多大功率，正常不会用这么大，我正常也就用PF级别的 10P 22P
