车充辐射整改方法:
就我个人而言,车充辐射整改主要从三个方向考虑:
1.选用合适的车充芯片。芯片的启动时间,频率对辐射影响很大。
2.PCB板的layou
3.芯片外围的抗干扰电路。
首先从芯片的选择来考虑。芯片的启动时间越快,越难整改。芯片的频率越高,越难整改。芯片的启动时间快,芯片内部的MOS管产生的尖峰,就越大,产生的di/dv越大。频率越高,根据公式Xl=2π fL(Xl是感抗,π 是指圆周率, f指频率,L电感量),当电感量一定时,频率越高,感抗越大,引起的损耗越大。下面用英集芯的IP6515 和斯帕沃的NDP1460做对比一下。 从资料可以知道,英集芯的IP6515的MOS管启动时间是5mS,斯帕沃的NDP1460启动时间是250nS。同一块PCB测试出来的数据完全不一样。IP6515启动时间慢,产生尖峰小,辐射效果好。 相反 NDP146启动时间快,产生尖峰高,辐射效果差 。 如下图。 上图是英集芯的IP6515测试的辐射。
下图是斯帕沃的NDP1460测试出来的辐射
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