• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

TOP269KG的频率选择可以减低轻载功耗。

     与早期的TOPSwitch类似TOP269KG也是一款集成式开关电源芯片,能将控制引脚输入电流转化为高压功率MOSFET开漏输出的 占空比。在正常工作情况下,功率MOSFET的占空比随控制引脚 电流的增大而线性减少,

      TOP269KG在不添加外部元件的情况下,使用频率、电压监测和外部流限三个端子来实现一些新的功能。将如上引脚与源极引脚连接时就是新的工作模式,无需其他外围元件。比如频率(F)引脚,如果连接到源极引脚则开关频率为132 kHz, 连接到控制引脚则开关频率为66 kHz。 此引脚不应该悬空。 低频率的选择可以减低轻载功耗。

全部回复(48)
正序查看
倒序查看
2020-08-04 21:25
在密闭的适配器壳体内工作时要在最高满载效率上面打折使用。
0
回复
2020-08-10 21:02
@亲爱的郭郭
在密闭的适配器壳体内工作时要在最高满载效率上面打折使用。
这样降低系统成本、提高电源性能和设计灵活性的附加功能。
0
回复
2020-08-16 11:55
725 V的功率 MOSFET、高压开关电流源、多模式PWM控制器、振荡器、热关 断保护电路、故障保护电路及其他控制电路集成
0
回复
2020-08-18 21:06
选择反激式电源变换器主要是那些小功率的电源可以减低设计和生产。
0
回复
2020-08-18 21:17
@原来会员名可以很长的
这样降低系统成本、提高电源性能和设计灵活性的附加功能。
三端TOPSwitch保护电路及其他控制电路集成在一个单片器件内
0
回复
2020-08-19 20:43
@ycdy09@163.com
选择反激式电源变换器主要是那些小功率的电源可以减低设计和生产。
如果采用eSOP-12封装,贴装适合超薄产品的设计,散热性能也比较好。
0
回复
2020-08-19 20:45
@a2512848524
725V的功率MOSFET、高压开关电流源、多模式PWM控制器、振荡器、热关断保护电路、故障保护电路及其他控制电路集成
具有多种保护,其中初级检测输出过压保护,快速的AC复位电路可对锁存型输出过压保护进行设定。
0
回复
2020-08-19 20:47
@亲爱的郭郭
三端TOPSwitch保护电路及其他控制电路集成在一个单片器件内
多周期调制模式能达到出色的效率,降低空载和待机时的功率水平
0
回复
2020-08-19 21:03
@原来会员名可以很长的
多周期调制模式能达到出色的效率,降低空载和待机时的功率水平
使用这种控制电路,设计灵活,而且利于产品效率提升,成本也好控制。
0
回复
2020-08-19 21:07
@ycdy09@163.com
使用这种控制电路,设计灵活,而且利于产品效率提升,成本也好控制。
TOP269还集成了很多保护功能。大大改善了电源空载、待机和轻载性能。
0
回复
2020-08-24 20:50
@亲爱的郭郭
TOP269还集成了很多保护功能。大大改善了电源空载、待机和轻载性能。
选择这个主要就是对提高电源性能和设计灵活性,还有是降低系统成本。
0
回复
2020-08-25 19:16
@亲爱的郭郭
TOP269还集成了很多保护功能。大大改善了电源空载、待机和轻载性能。
以前的top反激电源的性能比较一般,调试起来也比较难现在好一些了。
0
回复
2020-08-25 19:32
@原来会员名可以很长的
多周期调制模式能达到出色的效率,降低空载和待机时的功率水平
频率调节可以达到非常高的能效,可显著提高整个负载范围的效率。
0
回复
2020-08-25 21:31
@ycdy09@163.com
以前的top反激电源的性能比较一般,调试起来也比较难现在好一些了。
产品体积小巧,适合选取低成本的电路设计和小变压器,利于市场竞争。
0
回复
dy-pD1NXM4R
LV.1
16
2020-08-26 15:24

大神,请看一下TOP266电源问题。用PI 9软件 设计的。通电后缓慢上升电压,一带载就为0.测量D脚波形,为308V的一条直线。把X,V引脚都接源极后也是一样的。没有改善。

https://www.dianyuan.com/bbs/2486458.html

0
回复
ehi763
LV.6
17
2021-11-11 16:48
@ycdy09@163.com
选择反激式电源变换器主要是那些小功率的电源可以减低设计和生产。

在标准反激式电源转换器中,变压器的漏电感会在初级侧FET的漏极上产生电压尖峰,要加钳位电路或者吸收电路。

0
回复
spowergg
LV.10
18
2021-11-11 17:27
@ehi763
在标准反激式电源转换器中,变压器的漏电感会在初级侧FET的漏极上产生电压尖峰,要加钳位电路或者吸收电路。

但在电路中钳位保护中的功率损耗限制了反激转换器的效率。

0
回复
xxbw6868
LV.9
19
2021-11-11 17:33
@spowergg
但在电路中钳位保护中的功率损耗限制了反激转换器的效率。

耗散钳位中的功率损耗与存储与电感的能量有关。当FET导通时,变压器初级绕组中的电流逐渐增加到峰值电流。

0
回复
2021-11-11 17:38
@xxbw6868
耗散钳位中的功率损耗与存储与电感的能量有关。当FET导通时,变压器初级绕组中的电流逐渐增加到峰值电流。

关断的时候,泄漏能量不通过变压器铁心耦合,因此它可以保留在初级侧并流入钳位。

0
回复
dbg_ux
LV.9
21
2021-11-11 17:44
@大海的儿子
关断的时候,泄漏能量不通过变压器铁心耦合,因此它可以保留在初级侧并流入钳位。

效率增益与漏电感与磁化电感的比率有关,通常约为2%。

0
回复
2021-11-26 19:13

TOP269KG芯片的而控制频率可以在工作状态变化?

0
回复
2021-11-26 21:35

TOP269KG芯片的工作电压是多少,其性能、能耗方面如何?芯片可靠性呢?

0
回复
天晴朗
LV.6
24
2021-11-26 22:24

功率MOSFET的占空比随控制引脚 电流的增大而线性减少

0
回复
yujunice
LV.5
25
2021-11-26 22:56

提高系统的转换效率。在PWM模式,由谷底产生开启信号,工作频率由系统设计的变压器参数决定,高工作频率限制在125kHz。

0
回复
米修儿
LV.4
26
2022-01-22 18:01

低频率的选择可以减低轻载功耗,可以使功耗减少大概多少呢

0
回复
tabing_dt
LV.10
27
2022-03-05 17:50
@原来会员名可以很长的
多周期调制模式能达到出色的效率,降低空载和待机时的功率水平

这种模式的原理就是当峰值漏极电流降到设定流限值的25%时,控制器便会自动切换到多周期调制模式。

0
回复
2022-03-05 17:51
@tabing_dt
这种模式的原理就是当峰值漏极电流降到设定流限值的25%时,控制器便会自动切换到多周期调制模式。

多周期调制功能可有效地将每个平均开关频率控制在所需的音频范围内,保持输出稳压,同时避免出现前面提到的磁芯自谐振频率。

0
回复
2022-03-05 17:56
@lihui710884923
TOP269KG芯片的而控制频率可以在工作状态变化?

TOP269KG工作中在以非连续导通模式(DCM)工作的反激式转换器中,输出到负载的功率与开关频率、变压器初级电感量以及峰值初级电流平方均成比例

0
回复
2022-03-05 17:58
@米修儿
低频率的选择可以减低轻载功耗,可以使功耗减少大概多少呢

TOPSWITCH芯片设计电路时当采用交流230V输入时,电路空载功耗可降到300mW以下,远远低于能源之星所允许的500mW空载功耗。其中后面出的innoswitch系列功耗更低。

0
回复
ehi763
LV.6
31
2022-03-19 11:25
@原来会员名可以很长的
如果采用eSOP-12封装,贴装适合超薄产品的设计,散热性能也比较好。

高散热效率的esop封装在通过pcb散热的情况下可以提供高达40 w的输出功率,封装也比较薄。

0
回复