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求助:BOOST-BUCK 高频开关芯片容易烧坏

                                                                                 图1

                                                                               图2

                                                                              图3

                                                                                     图4

                                                                           芯片结构简图

最近在测试一款芯片,MAX77801,原理图如图。测试过程中,发现芯片容易烧坏,每次芯片烧坏后LX2和GND短路。

芯片的外接电路与芯片商家推荐的电路完全一样。

图4是绿色信号是输入,黄色信号是SW LX2,图1和图2是图4的放大波形。图3是SW LX1的波形。芯片开关频率为2.5MHz。

现在的问题是:无法确定烧芯片的原因

想请教各位有经验的大侠:

1.目前推测是LS2管子被击穿,管子的额定电压是-0.3V~6V,LX2中上冲电压峰峰值为8.5V有,是否有可能是这个上冲电压导致管子被击穿?

2.如果是LX2的上下冲电压导致管子被击穿,有可能有哪些原因导致LX2的上下冲?

3.如何改善LX2的上下冲问题?

4.除了LX2的上下冲的这个可能原因外,是否还有其他原因?

谢谢!

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ZhangDeng
LV.1
2
2020-09-02 11:25

波形很差,很可能是电压尖峰导致内置MOS击穿,PCB布局怎么样,贴上来看一下啊

0
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2020-09-03 10:36
@ZhangDeng
波形很差,很可能是电压尖峰导致内置MOS击穿,PCB布局怎么样,贴上来看一下啊

这个能看吗?

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陈 工
LV.1
4
2020-09-03 11:01
@ZhangDeng
波形很差,很可能是电压尖峰导致内置MOS击穿,PCB布局怎么样,贴上来看一下啊
上下尖峰也太高了,加小电容,试下!
0
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2020-09-03 11:16
@陈 工
上下尖峰也太高了,加小电容,试下!

PCB

0
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2020-09-03 14:01
@ZhangDeng
波形很差,很可能是电压尖峰导致内置MOS击穿,PCB布局怎么样,贴上来看一下啊

最新测试发现,芯片烧坏后VOUT和GND短路,此时LS2管子尚未被击穿,由于VOUT和GND短路才导致LS2被击穿的。所以电压尖峰使LS2被击穿,不是芯片烧坏的根本原因。针对您说的电压尖峰使内置管子被击穿,我有以下问题:

1.如何验证是电压尖峰导致内置mos管击穿?

2.下面是pcb,如何排查是layout或者其他原因导致的电压尖峰?

目前能观察到的波形只有VIN、VOUT、LX1以及LX2(EN、DVS似乎没有观察的意义),那么主要是通过观察哪几个通道的波形来分析问题?

谢谢!

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