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最新测试发现,芯片烧坏后VOUT和GND短路,此时LS2管子尚未被击穿,由于VOUT和GND短路才导致LS2被击穿的。所以电压尖峰使LS2被击穿,不是芯片烧坏的根本原因。针对您说的电压尖峰使内置管子被击穿,我有以下问题:1.如何验证是电压尖峰导致内置mos管击穿?2.下面是pcb,如何排查是layout或者其他原因导致的电压尖峰?目前能观察到的波形只有VIN、VOUT、LX1以及LX2(EN、DVS似乎没有观察的意义),那么主要是通过观察哪几个通道的波形来分析问题?谢谢!