为了加大输出的电流，通常会并联MOS，这样一来。栅极电容就大了。驱动G的信号要注意哪些细节呢？

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ymyangyong

2020-09-01 09:00

建议栅极分别加驱动电阻后再并联。

QWE4562009

LV.6

2020-09-01 15:32

@ymyangyong

建议栅极分别加驱动电阻后再并联。

现在不是已经加了驱动电阻5.1K吗

ymyangyong

2020-09-01 17:07

@QWE4562009

现在不是已经加了驱动电阻5.1K吗

每个MOS都要加。5.1k偏大了吧

ZhangDeng

LV.1

2020-09-04 09:35

@ymyangyong

建议栅极分别加驱动电阻后再并联。

正解。

zhiyiyunmeng

LV.7

2020-09-07 20:12

@ymyangyong

每个MOS都要加。5.1k偏大了吧

GS并联5.1K大吗

zhenxiang

LV.10

2020-09-07 20:31

@ZhangDeng

正解。[图片]

以前的知识都是认为要给每个MOS用单独的驱动电阻并且尽可能的靠近G级放置。最近看哪种高密度的DC/DC并联MOS都是驱动IC后一个电阻到所有并联的G级。不知怎么考虑的因为板子面积小就没必要单独放置驱动电阻了吗

ymyangyong

2020-09-07 23:14

@zhiyiyunmeng

GS并联5.1K大吗

图中不是并联的

QWE4562009

LV.6

2020-09-08 18:31

@ymyangyong

图中不是并联的

难道是串联吗哈哈

ymyangyong

2020-09-09 12:17

@zhenxiang

可能对低速静态开关应用要求不高吧

zhenxiang

LV.10

2020-09-09 19:16

@ymyangyong

可能对低速静态开关应用要求不高吧

不是低速啊比如村田的DC-DC电源模块频率都在300KI以上了

ZhangDeng

LV.1

2020-09-10 09:02

@zhenxiang

不是低速啊比如村田的DC-DC电源模块频率都在300KI以上了

电源模块功率是不是比较小，所以问题不大

ZhangDeng

LV.1

2020-09-10 09:27

@ymyangyong

可能对低速静态开关应用要求不高吧

顺便请教版主一个问题，我之前做过一个30V-60V的1KW升压电源，BOOST拓扑，遇到过一个驱动波形的问题，下面上图：

1、轻载的GS波形比较正常

2、带到500W负载，关管后，驱动波形冒了个尖，再往上加负载，这个冒出来的电压尖峰会接近MOS的Vth电压，有误导通的风险，一起讨论下这个问题的原因

zhenxiang

LV.10

2020-09-10 20:03

@ZhangDeng

电源模块功率是不是比较小，所以问题不大

300W 1/4砖算小的吗

hao1855

LV.3

2020-09-10 21:22

@ZhangDeng

顺便请教版主一个问题，我之前做过一个30V-60V的1KW升压电源，BOOST拓扑，遇到过一个驱动波形的问题，下面上图：1、轻载的GS波形比较正常[图片]2、带到500W负载，关管后，驱动波形冒了个尖，再往上加负载，这个冒出来的电压尖峰会接近MOS的Vth电压，有误导通的风险，一起讨论下这个问题的原因[图片][图片]

路过的，学习学习了