原图如下：
说明：单片机信号经过光耦隔离，进入IR2110S，母线电压低于100左右时，上下桥臂驱动波形很好，逆变输出波形也很好，当母线电压超过100V时候，HO信号测量时消失（隔离探头测GS两端），但是MOS管还能正常工作，逆变输出也还正常，电压再升高，比如到120V，HO信号依然测不到，逆变输出也不对了，上桥的MOS管应该是彻底不工作了。测量时，下桥信号好像也有丢失。
驱动是防着为微斯科技的模式做的，采用插板的形式查到功率地板上的，紧挨着MOSFET全桥。
100V以内波形挺好，大了就不行了
T5图（第三张），感觉上上HO输出的时间变短了。自举电容10uF/35V陶瓷电容+10uF/35V钽电容，后来又加了100uF/35V铝电解，15V母线220uF+100uF铝电解。
自举电容分别试了单10uF/35V陶瓷电容，10uF/35V陶瓷电容+10uF/35V钽电容，10uF/35V陶瓷电容+10uF/35V钽电容+100uF/35V铝电解，基本没有改善。
第三张图1、2通道是什么信号？怎么不对称？
上下半桥的驱动，上桥的脉宽变窄了
